Индикация состояния стабилизатора
Индикация состояния стабилизатора осуществляется с помощью светодиодов (СИД). Нормальное состояние принято индицировать зеленым или желтым цветом, критическое состояние – красным.
1. Сопротивление R4 выбирается исходя из условий минимального тока СИД и минимального напряжения на нем (таблица 6). Выберем светодиод КЛ101А с параметрами IПР = 10 мА, UПР = 5,5 В.
R4 = (UН – UПР)/IПР = 4,5 В/10 мА = 450 Ом. Выбираем ближайшее меньшее номинальное значение резистора. Вычисляется мощность рассеяния на резисторе, выбирается его тип.
2. Индикация состояния перегрузки стабилизатора осуществляется с помощью СИД VD5. В исходном состоянии диод не светится. Если тиристор открывается, то напряжение на нем уменьшается до одного вольта и по СИД потечет ток. Расчет ограничительного сопротивления R5 аналогичен расчету сопротивления R4.
СИД выбирается с красным свечением.
3. Плавкий предохранитель FU выбирается на такой ток, чтобы он сработал при допустимом токе тиристора.
4. Для устранения низкочастотных и высокочастотных помех на выходе стабилизатора параллельно нагрузке включаются емкости С1 = 0,1 мкФ и С2 = 10 ÷ 20 мкФ.
3.11 Заключение
После проведения всех расчетов и выбора элементов оформляется заключение. В нем отражается задание, т.е. что следовало спроектировать и приводятся параметры стабилизатора КСТ, RВЫХ и UИср, полученные в результате проектирования.
3.12 Составление принципиальной схемы стабилизатора
После окончания расчётов отдельных узлов необходимо составить полную принципиальную схему устройства. К схеме рис. 19 добавляется схема защиты рис. 22, рис. 23. Нумерация элементов сквозная, номинальные значения элементов не указываются, стрелки направлений токов и напряжения, тоже не указываются. Схема устройства оформляется на листе формата А3, чертится рамка и основная надпись (штамп) приложение 3.
При вычерчивании принципиальной схемы следует руководствоваться требованиями ГОСТ, с которыми можно ознакомиться в библиотеке [7]. Можно воспользоваться типовой «рисовалкой» Microsoft Word, программами SPlan, Компас или Electronics Workbench.
Если схема выполняется на компьютере, то можно разделить её на две части, распечатать на двух листах А4 и затем склеить.
Принципиальная схема должна сопровождаться перечнем элементов – спецификацией, выполняемой в соответствии с ГОСТ (приложение 4). Если позволяет место на листе А3, то таблицу с перечнем элементов можно поместить над основной надписью чертежа.
ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ РАБОТЫ
4.1 Оформление работы
Курсовая работа должна быть оформлена в виде пояснительной записки, выполненной на листах формата А4 компьютерным или рукописным способом.
По всем четырём сторонам листа записки должны оставаться поля слева – 25 мм, кругом по 10 мм.
Листы пояснительной записки должны быть скреплены в двух – трёх точках на расстоянии 10 мм от левого края листа. Использование скрепок и пластиковых конвертов (файлов) не допускается.
Пояснительная записка обязательно должна включать условие задачи, размещаемой на втором листе (номер варианта указывается на титульном листе). Расчётные принципиальные схемы в пояснительной записке должны быть выполнены обязательно по трафарету. Схемы в тексте являются рисунками и должны иметь сквозную нумерацию и подрисуночные подписи.
Все буквенные обозначения физических величин должны быть указаны на рисунке или пояснены в тексте.
Расчёт численных значений физических величин должен быть оформлен следующим образом: после расчётной формулы, записанной в буквенных обозначениях, в неё подставляют численные значения величин, а затем приводят результат вычислений и обозначение единицы физической величины без скобок. Обязательно проставляется размерность полученной величины. Если хотя бы одна величина, входящая в формулу имеет три значащие цифры, то результат должен иметь также три значащие цифры. В качестве примера оформления расчетной формулы можно обратиться к формуле расчета коэффициента стабилизации КСТ.
Работы, сдаваемые на проверку, должны быть выполнены в полном объёме, приведён список использованной литературы, справочников.
Исправления следует вносить путём зачёркивания неправильного результата и вписывания правильного выше или правее неправильного. Если работа переоформлена полностью, то предыдущий вариант работы с замечаниями преподавателя должен быть вложен в исправленный текст (за исключением титульного листа, который должен быть перенесён на исправленный текст).
Пример оформления титульного листа записки приведён в приложении 2. Титульный лист является страницей номер 1, но номер не проставляется. Длинный номер под заголовком обозначает следующее. Первая позиция – номер учебной специальности, следующие две позиции в учебных проектах не заполняются, предпоследняя позиция – две последние цифры номера студенческого билета или зачётной книжки, последняя позиция – ПЗ – шифр документа – пояснительная записка.
В основной надписи принципиальной схемы эта позиция обозначается Э3 – обозначающую схему электрическую принципиальную.
В приложении приводятся вольт-амперные характеристики транзисторов, которые использовались в ходе расчётов. Эти характеристики можно скопировать из электронной версии пособия или из интернета и поместить в текст пояснительной записки.
4.2 Таблица выбора варианта и данных для расчета стабилизатора
Номер варианта выбирается по порядковому номеру студента в журнале группы.
Изменение напряжения источника питания составляет ±15% для всех вариантов.
Таблица 1.
№ Вар. | UСТ В | IH mA | ∆t 0C | Материал транзистора | КСТ не менее | ТКН % от UСТ |
50±20% | Si | менее 1% | ||||
90±20% | Si | менее 1% | ||||
60±40% | Ge | менее 0,5% | ||||
70±20% | Si | менее 0,9% | ||||
80±30% | Ge | менее 0,5% | ||||
82±20% | Si | менее 1% | ||||
96±30% | Ge | менее 0,5% | ||||
50±40% | Si | менее 0,8% | ||||
90±20% | Ge | менее 0,5% | ||||
40±40% | Si | менее 1% | ||||
60±40% | Ge | менее 0,6% | ||||
80±30% | Si | менее 1% | ||||
70±20% | Ge | менее 0,9% | ||||
90±40% | Si | менее 0,9% | ||||
100±40% | Si | менее 0,7% | ||||
92±40% | Ge | менее 1% | ||||
80±20% | Si | менее 0,5% | ||||
60±30% | Ge | менее 1% | ||||
88±40% | Si | менее 0,8% | ||||
90±30% | Ge | менее 0,4% | ||||
50±20% | Si | менее 0,5% | ||||
40±40% | Ge | менее 1% | ||||
60±40% | Si | менее 0,5% | ||||
80±20% | Ge | менее 1% | ||||
120±10% | Si | менее 0,4% | ||||
70±40% | Ge | менее 0,8% | ||||
90±30% | Si | менее 0,5% |
Таблица 1. Продолжение.
80±20% | Ge | менее 1% | ||||
60±30% | Si | менее 2% | ||||
110±10% | Ge | менее 1% | ||||
70±40% | Si | менее 0,9% | ||||
120±20% | Ge | менее 1% | ||||
60±40% | Si | менее 0,5% | ||||
58±60% | Ge | менее 0,4% | ||||
60±30% | Si | менее 0,8% | ||||
88±40% | Ge | менее 1% | ||||
92±20% | Si | менее 0,5% |
5. СПРАВОЧНЫЙ РАЗДЕЛ
5.1 Определение площади радиатора
Ge |
% |
РКm |
S |
см2 |
Рис. 24 - Выбор радиатора с необходимой площадью |
Si |