Геометрические и электрические параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

П 4.1. Полупроводниковые диоды

Применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов установлены ГОСТ 25529-82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров».

В табл. П4.1 приведены сведения об области применения и основных параметрах некоторых полупроводниковых диодов:

· Uпр –постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода;

· Uобр (Uимп) – максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде;

· Iпр (Iимп) – максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (I имп) прямой ток через диод;

· Iобр.макс – обратный ток диода при предельном обратном напряжении;

· Fмакс – максимальная рабочая частота диода;

· Tмакс – максимальная температура окружающей среды.

Наименование прибора

ГД107, ГД113, 2Д235, ГД401, КД407, 2Д420, КД503, ГД507, ГД508, КД923, 2В110, 2В117, 2В119, КВ136, 2С108А-Р, 2С133АДГ, КС133А, 2С139А, КС139А, 2С147АДГ, КС147А, 2С156А,В,Г, КС156А, 2С168А, КС168А, КС415А, 2С117, 2С123

Вид корпусов приборов приведен на рис. П4.1

Корпус

Геометрические и электрические параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем - student2.ru

Наименование прибора

2Д102,КД103, КД104

Корпус

Геометрические и электрические параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем - student2.ru

Наименование прибора

2Д108, 2Д207, КД411, 2Д416, 2В105, 2С401А, 2С401БС, 2С408, 2С501АС, 2С501Б, 2С501БС

Корпус

Геометрические и электрические параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем - student2.ru

Рис. П4.1. Вид корпусов приборов

Таблица П4.1-Полупроводниковые диоды  
Наименование прибора Область применения U пр, В Uобр (Uимп),В I пр , А I обр. макс, мА Fмакс, кГц (МГц)
  КД 102А   Выпрямительный диод для работы в приемной и усилительной аппаратуре 0,1 0,1
КД 103А Выпрямительный диод для работы в приемной и усилительной аппаратуре 0,1 0,5
КД 202А Выпрямление переменного тока с частотой до 5 кГц
КД 209Г Выпрямительный диод 0,2
КД 212А Выпрямление переменного тока повышенной частоты
КД 213А Выпрямление переменного тока повышенной частоты
КД 226Д Работа в приемной, усилительной и другой аппаратуре на частотах питающего напряжения до 50 кГц
КД 2997А Выпрямление переменного тока на частотах до 100 кГц
Продолжение таблицы П4.1
КД 2998А Выпрямительный диод с барьером Шоттки для выпрямления переменного тока на частотах 10-200 кГц 0,6
КД 2999А Выпрямление переменного тока на частотах до 100кГц
КД 407А Для работы в схемах ВЧ детекторов и коммутационных схемах - 0,05 0,0005 tи ≤10, мкс
КД 411А Импульсный диод для телевизионной аппаратуры 0,1 tи ≤20, мкс
КД 503А Переключающее устройство наносекундного диапазона 0,02 0,04 tи ≤10, мкс
КД 509А Импульсное устройство 1,1 0,1 0,05 tи ≤10, мкс
КД 510А Импульсное устройство 1,1 0,1 0,05 (200)
КД 518А Импульсное устройство   0,1 0,05 (50)
КД 522А Импульсное устройство 1,1 0,1 0,005 (100)
2Д528 Диоды с накоплением заряда для формирования импульсов пикосекундного диапазона в измерительной аппаратуре 0,015 - (3000)


П4.2 Стабилитроны

Применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров стабилитронов установлены ГОСТом 25529-82 «Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров».

В табл. П4.2 приведены сведения об области применения и основных параметрах некоторых полупроводниковых стабилитронов:

· Ucт.ном. - номинальное напряжение стабилизации стабилитрона (значение напряжения стабилитрона при протекании тока стабилизации);

· Icт.ном. – номинальный ток стабилизации стабилитрона(значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации);

· Pмакс. – Максимально допустимая мощность, рассеиваемая на стабилитроне;

· Ucт.макс (Ucт.мин ) – максимальное (минимальное) напряжение стабилизации стабилитрона;

· Rcт – дифференциальное сопротивление стабилитрона (дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона);

· αcт – температурный коэффициент стабилизации стабилитрона. (Отношение относительного изменения тока стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при неизменном токе стабилизации);

· Icт.макс (Icт.мин )максимальный(минимальный) ток стабилизации стабилитрона.




Таблица П4.2-Параметры стабилитронов
Тип прибора Назначение Uст, В Uст.мин, В Ucт.макс,, В Rст, Ом α×10-2, %/°С I ст.мин, , мА I cт.макс, мА Pмакс, мВт
Д808 Стабилизация напряжения 8,5
Д809 Стабилизация напряжения 9,5
Д810 Стабилизация напряжения 10,5
Д811 Стабилизация напряжения 9,5
Д813 Стабилизация напряжения 11,5 9,5
2С102А Источник опорного напряжения   5,1 4,84 5,36 ±1
КС107А Стабистор и для целей термокомпен-сации 0,7 0,63 0,77 -34
КС133А Стабилизация напряжения 3,3 2,97 3,63 -11
КС156А Стабилизация напряжения 5,6 5,04 6,16 ±5
КС170А Стабилизатор, двусторонний ограничитель 6,43 7,59 ±1
2С211Е Импульсный стабилитрон для стабилизации импульсного напряжения 10,5 11,6 9,5
КС215Ж Стабилизация в области малых токов (от 0,5мА) и стабилизация импульсных напряжений 13,5 16,5 0,5 8,3
2С291А Стабилизация напряжения 0,5 2,7
                     

П4.3. Тиристоры

Применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквен­ные обозначения параметров тиристоров установлены ГОСТом 20332-84 «Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров».

В табл. П4.3 приведены сведения об основных параметрах некоторых импульсных тиристоров:

• Uо.с - постоянное напряжение в открытом состоянии (падение напряжения на тиристоре в открытом состоянии);

• u.и.ос - импульсное напряжение в открытом состоянии (наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения);

• I от .у - отпирающий постоянный ток управления (наименьший постоянный
ток управления тиристора, необходимый для включения тиристора);

• U от.у - отпирающее постоянное напряжение управления (постоянное напряжение управления тиристора, соответствующее отпирающему постоянному току управления тиристора);

• tвкл - время включения (интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим током);

• tвыкл - время выключения (наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизится до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение проходит через нулевое значение без переключения тиристора);

• I.изс - повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (импульсный ток в закрытом состоянии, обусловленный повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии);

• I.и. об - повторяющийся обратный импульсный ток (обратный ток, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжением);

• I з.с - постоянный ток в закрытом состоянии (ток в закрытом состоянии при определенном прямом напряжении);

• Iобр. - постоянный обратный анодный ток;

• I макс. ср.ос- максимальный средний ток в открытом состоянии (максимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии тиристора);

• I.макс.о.с. - максимальный постоянный ток в открытом состоянии;

• u п.з.с - повторяющееся импульсное напряжение взакрытом состоянии

(наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии,
прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения);

• uп.обр -повторяющееся постоянное обратное напряжение (наибольшее
мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения);

•dUс.з/dUкр- критическая скорость нарастания напряжения в закрытом стоянии (наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое).

Виды корпусов приборов представлены на рис. П4.2

Наименование прибораКУ103

а) Корпус

Геометрические и электрические параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем - student2.ru

б) Наименование прибораКУ112А

Корпус

Геометрические и электрические параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем - student2.ru

Рис.П4.2 . Вид корпусов прибора

Таблица П4.3- Основные параметры некоторых импульсных тиристоров

Тип прибора Uос.и. (Uос),В Iу..от, мА Uу.от , В tвкл, мкс tвыкл , мкс I зс.и, Iоб.и (Iзс.и, I обр), мА I с.ср. макс (I ос. макс),А Uзс.п (Uобр.п), В dUзс dUкр, В/мкс
2У103В - - 0,15 - - - -
2У101А 2,25 (8) 0,5 0,075
2У104А 0,29 (2,5) 0,5 0,1
2У107А 1,5 (0,02) (0,55) - - 0,1
КУ112А 2,4 (0,2) (0,8) 1,2 (0,01) 0,32
2У201А - (100)
2У205А (0,5) (45) (5) (400) -
2У229А (50) - - 0,15 2,5 2,5
2У703В - -

Наши рекомендации