Плюс внешнего источника к n-области, минус - к р-области.
Плюс внешнего источника к n-области, минус - к р-области.
5.Способствующее протеканию тока дрейфа.
Номер:2.771.2.2.3.
Задание: Чем объясняется наличие потенциального барьера в переходном слое между двумя областями полупроводника с разной структурой?
Ответы:
1.Разной концентрацией подвижных носителей,
2.Наличием внешнего источника тока.
Наличием двойного электрического слоя, образующегося за счет диффузии носителей и появления некомпенсированного объемного заряда в переходе.
4.Изменением структуры кристаллической решетки.
5.Инжекцией подвижных носителей сквозь р-п переход.
Номер:2.771.2.3.1
Задание: Как изменяется барьерная емкость при увеличении (по абсолютной величине) обратного напряжения на р-п переходе.
Ответы:
1. Уменьшается.
2. Увеличивается.
3. Не изменяется.
4. Практически не меняется.
5. Нет правильного ответа.
Номер:2.771.4.3.
Задание: Какой пробой перехода называется электрическим?
Ответы:
1. Пробой, обусловленный возрастанием прямого тока.
2. Пробой, обусловленный ростом температуры перехода.
Пробой, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом.
Номер:3.771.2.1.3.
Задание: Что такое р-п переход?
Ответы:
1. Граница раздела областей полупроводника с проводимостями р- и n-типов.
2. Место соприкосновения двух полупроводников с разной структурой.
Переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая—р типа.
4. Слой, обедненный подвижными носителями заряда на границе полупроводника.
5. Граница контакта между металлом и полупроводником.
Номер:2.771.2.2.1.
Задание: Укажите, как распределен объемный заряд в р-п переходе
Ответы:
1. 
2. 
3
4. 
5. 
Номер:2.771.2.3.3.
Задание: Какое включение р-п перехода называется прямым?
Ответы:
1. Способствующее уходу подвижных носителей от р-п перехода.
2. Увеличивающее скачок потенциала на р-п переходе.
Включение, при котором уменьшается высота потенциального барьера и переход представляет собой малое сопротивление протекающему току.
4. Плюс внешнего источника к n-области, минус - к р-области.
5. Способствующее протеканию тока дрейфа.
Номер:2.771.2.4.2.
Задание: В каком направлении перемещаются электроны через переход за счет диффузии?
Ответы:
Из р-области в п-область.
2. Из n-области в р-область.
3. Равновероятно в обоих направлениях.
4. Остаются неподвижными.
5. Это неизвестно.
Номер:2.771.2.5.4.
Задание: Чем объясняется изменение ширины р-п перехода при включении внешнего источника?
Ответы:
Изменением структуры кристаллической решетки.
Перераспределением примесных атомов.
Нагреванием р-п перехода.
Изменением концентрации подвижных носителей
Вблизи границы раздела полупроводников разной структуры.
5. Наличием тока через р-п переход.
28. Какова примерно высота потенциального барьера р-п перехода в равновесном состоянии у германия
1. 0,01—0,05 В.
2. 0,05—0,1 В.
В.
4. 0,5—1 В.
29. Какова примерно высота потенциального барьера р-п перехода в равновесном состоянии у кремния?
1. 0,01—0,5-В.
2. 0,05—0,5 В.
В.
4. 0,8—1 В.
36. Как зависит напряжение пробоя перехода от удельного электрического сопротивления слоев полупроводника, прилегающих к переходу?
Точечные.
2. Плоскостные.
3. Одинаково часто плоскостные и точечные.
32. В каких пределах лежит значение емкости р-п перехода импульсных диодов?
1. 0,1—1,0 мкФ.
2. 0,2—10 пФ.
3. 20—100 пФ.
4. 100—1000 пФ.
43. Чем определяется минимальное значение рабочего тока стабилитрона?
1. Наступлением теплового пробоя.
2. Моментом перехода из области насыщения в область пробоя.
3. Устойчивостью лавинного пробоя.
4. Значением рабочего напряжения.
45. Как изменится по абсолютной величине рабочее напряжение стабилитрона, предназначенного для стабилизации напряжения выше 7 В при повышении температуры?
1. Не изменится. 2. Увеличится. 3. Уменьшится.
47. Какой вид пробоя типичен для стабилитронов, имеющих напряжение стабилизации больше 7 В?
Лавинный.
2. Туннельный.
3. Оба вида пробоя одинаково вероятны.
49. При каком смещении перехода (прямом или обратном) нормально используются варикапы?
Схема с общим эмиттером.
3. Схема с общим коллектором.
4. Во всех схемах усиление мощности одинаково.
28. Можно ли получить усиление по напряжению при включении транзистора по схеме с общим коллектором?
1. Можно.
Нельзя.
3. Можно только при больших сопротивлениях нагрузки.
30. В какой схеме включения транзистора усилительный каскад имеет минимальное выходное сопротивление?
1. В схеме с общей базой.
2. В схеме с общим эмиттером.
Полевые транзисторы
8. Какой ширины должен быть канал, чтобы наблюдалось эффективное управление током в транзисторе напряжением затвор — исток?
3. Ширина канала много больше ширины переходов;
4. Ширина канала любая.
5. Ширина канала соизмерима с шириной переходов.
6. Ширина канала пренебрежимо мала в сравнении с шириной переходов в отсутствие напряжений на выводах транзистора.
17. Будет ли протекать ток в транзисторе в режиме насыщения?
1. Не будет, так как канал перекрыт.
Плюс внешнего источника к n-области, минус - к р-области.
5.Способствующее протеканию тока дрейфа.
Номер:2.771.2.2.3.
Задание: Чем объясняется наличие потенциального барьера в переходном слое между двумя областями полупроводника с разной структурой?
Ответы:
1.Разной концентрацией подвижных носителей,
2.Наличием внешнего источника тока.