Схема электрическая структурная

 
 
WE WA RE RA
DI
RG
DO
С ECT
  D
СТ
    Q
С ECT
  D
СТ
    Q
= =
A B
Q
S R
T
&
&
DI
WE
RE
 
 
 
 
Рис. 3. Буфер FIFO. Схема электрическая структурная.

Для того чтобы разработать принципиальную схему буфера FIFO с регистровой памятью 8сл.×8р. на основе микросхемы КР1533ИР32 (4сл.×4р.), необходимо:

‑ нарастить число разрядов;

‑ нарастить число слов.

Построение блока регистровой памяти.

Увеличение числа разрядов

Задача увеличения числа разрядов заключается в следующем: из данного регистрового файла 4сл.×4р построить регистровую память 4сл.×8р. На рис.4 показан принцип увеличения числа разрядов для рассматриваемой микросхемы КР1533ИР32.

Рис. 4. Увеличение числа разрядов регистровой памяти с 4сл.×4р. до 4сл.×8р.
 
 
 
RG (ИР32)
RD1 RD2 ERD
WR1 WR2 EWR
D
    Q
 
RG
RD1 RD2 ERD
WR1 WR2 EWR
D
  Q
 
 
D0 D1 D2 D3
D4 D5 D6 D7
Q4 Q5 Q6 Q7
Q0 Q1 Q2 Q3
WR1 WR2EWR
RD1 RD2 ERD
(ИР32)
 

На рис.5 показана эквивалентная схема регистровой памяти 4сл.×8р.

Рис. 5. Эквивалентная схема регистрового файла 4сл.×8р.
RG (4сл.×8р.)
RD1 RD2 ERD
WR1 WR2 EWR
D
Q
D0 D1 D2 D3
D4 D5 D6 D7
Q4 Q5 Q6 Q7
Q0 Q1 Q2 Q3
WR1 WR2EWR
RD1 RD2 ERD
 

Увеличение числа слов

Задача увеличения числа слов заключается в следующем: из полученного регистрового файла 4сл.×8р построить регистровый файл 8сл.×8р. На рис.6 показан принцип увеличения числа слов для исследуемого случая.

Рис. 6. Увеличение числа слов с 4 до 8.
 
 
 
 
 
 
 
+E
RG (4сл.×8р.)
RD1 RD2 ERD
WR1 WR2 EWR
D
Q
 
RG (4сл.×8р.)
RD1 RD2 ERD
WR1 WR2 EWR
D
Q
Q4 Q5 Q6 Q7
Q0 Q1 Q2 Q3
D0 D1 D2 D3
D4 D5 D6 D7
WR1 WR2
RD1 RD2
 
   
Е
DC
     
   
Е
DC
     
WR3
EWR
ERD
RD3
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

На рис.6 выходы регистров Q0 …Q7 соединяются монтажным ИЛИ.

На рис.7 показана эквивалентная схема регистрового файла 8сл.×8р.

Рис. 7. Эквивалентная схема регистрового файла 8сл.×8р.
RG (8сл.×8р.)
RD1 RD2 RD3 ERD
WR1 WR2 WR3 EWR
D
Q
 



Функциональная схема блока регистровой памяти

 
 
 
RG (ИР32)
RD1 RD2 ERD
WR1 WR2 EWR
D
    Q
RG
RD1 RD2 ERD
WR1 WR2 EWR
D
  Q
 
 
 
D0 D1 D2 D3
D4 D5 D6 D7
WR1 WR2
RD1 RD2  
(ИР32)
 
 
DC
WR3
EWR
E
 
DC
RD3
ERD
E
 
 
 
 
RG (ИР32)
RD1 RD2 ERD
WR1 WR2 EWR
D
    Q
RG
RD1 RD2 ERD
WR1 WR2 EWR
D
  Q
 
 
 
D0 D1 D2 D3
D4 D5 D6 D7
Q4 Q5 Q6 Q7
Q0 Q1 Q2 Q3
WR1 WR2
RD1 RD2  
(ИР32)
 
 
 
 
+E
 
 
 
 
+E
 
 
 
 
 
 
 
 

Перечень используемых микросхем в блоке регистровой памяти:

КР1533ИР32 ‑ 4шт.;

DC – 2 шт.

Построение дешифратора

i 51sR8sAS935IDfeTGuJa7yEdRMNTjkZdgLq7pRPfNV3M//CyAJg6XIgAv9PGy2jqkMKJdA1NXZ5z 3J2QHkz9/i9AkfoWyfamPlyAQhJEEAb7zJC9jefQza2DvoRwx3SBdDEsay3XHWxXZBo9CZrrVybv ECe2DM+tJE17eRFusNVx/rZuerDd67YrGFm4vSjsOcT7zmLX68vZeKO6+yxatVfIj/4BAAD//wMA UEsDBBQABgAIAAAAIQBYGfz52QAAAAUBAAAPAAAAZHJzL2Rvd25yZXYueG1sTI/NTsMwEITvSLyD tUjcqA1UTZXGqRACBEfCz9mNt3FEvA6224S3Z+ECl5FWs5r5ptrOfhBHjKkPpOFyoUAgtcH21Gl4 fbm/WINI2ZA1QyDU8IUJtvXpSWVKGyZ6xmOTO8EhlEqjweU8llKm1qE3aRFGJPb2IXqT+YydtNFM HO4HeaXUSnrTEzc4M+Ktw/ajOXgNhOquGaJ8zO3b++g+193D03LS+vxsvtmAyDjnv2f4wWd0qJlp Fw5kkxg08JD8q+wti4Jn7DRcq2IFsq7kf/r6GwAA//8DAFBLAQItABQABgAIAAAAIQC2gziS/gAA AOEBAAATAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAABbQ29udGVudF9UeXBlc10ueG1sUEsBAi0AFAAGAAgAAAAh ADj9If/WAAAAlAEAAAsAAAAAAAAAAAAAAAAALwEAAF9yZWxzLy5yZWxzUEsBAi0AFAAGAAgAAAAh AGqcKgmOBgAAii4AAA4AAAAAAAAAAAAAAAAALgIAAGRycy9lMm9Eb2MueG1sUEsBAi0AFAAGAAgA AAAhAFgZ/PnZAAAABQEAAA8AAAAAAAAAAAAAAAAA6AgAAGRycy9kb3ducmV2LnhtbFBLBQYAAAAA BAAEAPMAAADuCQAAAAA= ">

Рис. 8. Эквивалентная схема дешифратора 1‑2.
 
Е
DC
   
A
F0
F1

При расширении по числу слов были выбраны два дешифратора с УГО (рис.8) и таблицей истинности (табл.1).

Таблица 1.
Е А F0 F1

Функционирование дешифратора описывается системой переключательных функций:

Схема электрическая структурная - student2.ru

Схема электрическая функциональная данного дешифратора представлена на рис.9.

ЛН1
 
 
 
 
 
&
&
&
&
 
 
А
Е
F0
F1
ЛИ1
Рис. 9. Дешифратор. Схема электрическая функциональная

Перечень используемых микросхем в DC:

КР1533ЛН1 ‑ 1шт.;

КР1533ЛИ1 – 1 шт.

Проектирование компаратора

Компаратор, или устройство сравнения, определяет отношения между двумя двоичными словами. Для проектируемого FIFO в компараторе основным отношением является «равно». Поэтому определим эту функцию и построим нужный компаратор, так как в серии 1533 нет специализированной микросхемы, реализующей функцию сравнения, например, как в серии 1561 микросхема КР1561ИП2.

Таблица функции «равно» для сравнения слов длиной 3 представлена ниже (табл.2). В таблице выпишем только те наборы переменных, где функция принимает значение 1.

Таблица 2
А1 А2 А3 В1 В2 В3 F

Выписав СДНФ функции F и сгруппировав слагаемые, получим:

Схема электрическая структурная - student2.ru .

На рис.10 представлена схема компаратора, на рис.11 его эквивалентная схема.

Рис. 10. Компаратор. Схема электрическая функциональная
А1
А2
А3
В1
В2
В3
F
ЛН1
 
 
 
 
 
ЛИ3
&
&
&
=
=
=
ЛП5
=

Рис. 11.Эквивалентная схема компаратора
A0
= =
Q
A1 А2 А3
F
B
В1 В2 В3

Перечень используемых микросхем:

КР1533ЛП5 ‑ 1шт.;

КР1533ЛН1 ‑ 1шт.;

КР1533ЛИ3 – 1 шт.

Наши рекомендации