Перечень элементов принципиальной схемы выпрямителя
Приложение А
Перечень элементов принципиальной схемы выпрямителя
ВБВ 24/3 – 2
Таблица П1 – Перечень элементов принципиальной схемы выпрямителя
ВБВ 24/3 – 2
| Поз. обоз-начение | Наименование | Кол. | Примечание | |
| S1 | Тумблер ПТ73–2–2 АГО.360.077ТУ | |||
| А1 | Плата преобразователя 6а5.282.037-02 | |||
| Конденсаторы К73–17 ОЖО.461.104ТУ | ||||
| Конденсаторы К50–35 ОЖО.464.214ТУ | ||||
| Конденсаторы К15–5 ОЖО.460.147ТУ | ||||
| С1…С4 | К73–17–400В–0.1мкФ ±10% | |||
| С5 | К15–5–Н20–1.6кВт–330пФ ±10% | |||
| С6 | КМН 450VN 220М 30D | NIPPON CHE | ||
| C7 | К15–5–Н20–1.6кВ–330пФ ±10% | |||
| С8 | К15–5–Н20В–1.6кВ–1000пФ ±10% | |||
| С9, С10 | К50–35–40В–1000мкФ УХЛ | |||
| С11, С12 | К73–17–250В–0.68мкФ ±10% | |||
| С13 | К50–35–6.3В–220мкФ УХЛ | |||
| F1, F2 | Вставка плавкая ВП2Б–1 УХЛ 3,15А | |||
| ОЮО.481.005 ТУ | ||||
| F3 | Вставка плавкая ВП2Б–1 УХЛ 5,0А | |||
| ОЮО.481.005 ТУ | ||||
| L1, L2 | Дроссель 2д4.759.209 | |||
| L3 | Дроссель 2д4.759.175 | |||
| L4 | Дроссель 2д4.759.174 | |||
| Резисторы С2–33Н ОЖО.467.173ТУ | ||||
| R1…R3 | С2–33Н–2–120кОм ± 5% | |||
| R4, R5 | С2–33Н–2–51Ом ±5% | |||
| R6, R7 | C2–33Н–2–2Ом ±5% | |||
| R8 | С2–33Н–0.125–10Ом ±5% | |||
| R9 | С2–33Н–2–51Ом ± 5% | |||
| R10 | С2–33Н–0.25–510Ом ±5% | |||
| R11 | С2–33Н–0.125–3кОм ±5% | |||
| R12 | С2–33Н–0.125–3кОм ±5% | |||
| R13 | С2–33Н–0.125–10кОм ±5% | |||
| Т1 | Трансформатор 2д4.730.118 | |||
| V1…V4 | Диод КД226Д аАО.336.543 ТУ | |||
| V5 | Транзистор КП707 В1 ( IRFBE30) | |||
| АДБК.432140.140 ТУ | ||||
| Продолжение таблицы П1 | ||||
| V6 | Диод HFA 30 PA60C | Фирма IR | ||
| V7 | Диод КД510А ТТ3.362.100 ТУ | |||
| V8 | Транзистор КТ961А аАО.336.358 ТУ | |||
| V9 | Стабилитрон КС210Ж аАО.336.110 ТУ | |||
| V10 | Транзистор КТ3117А1 аАО.336.262 ТУ | |||
| V11 | Транзистор КТ961А аАО.336.358 ТУ | |||
| V12 | Диод КД521А дР3.362.035 ТУ | |||
| Х1 | Вилка РШ2Н–2–13 НЩО.364.003 ТУ | |||
| А2 | Плата управления 6а5.282.038–02 | |||
| Конденсаторы К10–73 ЯАВЦ 73511.004ТУ | ||||
| С1 | К10–73–16–Н50–0,1мкФ | |||
| С2 | К10–73–16–М47–200пФ ±5% | |||
| С3, С4 | К10–73–16–Н50–0,1мкФ | |||
| С5 | К10–73–16–Н90–1,5мкФ | |||
| С6, С7 | К10–73–16–М47–200пФ ±5% | |||
| С8, С9 | К10–73–16–Н50–0,1мкФ | |||
| С10, С11 | К10–73–16–Н90–1,5мкФ | |||
| Микросхемы | ||||
| D1 | К1401СА1 бКО.348.651-03 ТУ | |||
| D2 | К561ЛН2 бКО.348.457-12 ТУ | |||
| D3 | К561ТЛ1 бКО.348.457-16 ТУ | |||
| D4 | КР1407УД2 бКО.348.725 ТУ | |||
| D5 | КР1441ВИ1 АДБК.431280.421 ТУ | |||
| Н1 | Индикатор единичный АЛ307 ГМ | |||
| аАО.336.076 ТУ | ||||
| Резисторы С2–33Н ОЖО.467.173 ТУ | ||||
| Резисторы СП3–19б ОЖО.468.134 ТУ | ||||
| R1 | С2–33Н–0.5–3.9МОм ±5% | |||
| R2 | С2–33Н–0.5–1МОм ±5% | |||
| R3* | С2–33Н–0.125–510Ом ±5% | |||
| R3, R5 | СП3–19б–10 кОм ±10%–УХЛ | |||
| Резисторы С2–33Н ОЖО.467.173 ТУ | ||||
| Резисторы СП3–19б ОЖО.468.134 ТУ | ||||
| Резисторы СП3–39а ОЖО.468.354 ТУ | ||||
| Продолжение таблицы П1 | ||||
| R6 | С2–33Н–0.125–39кОм ±5% | |||
| R7 | С2–33Н–0.125–10Ом ±5% | |||
| R8 | С2–33Н–0.125–39кОм ±5% | |||
| R9 | С2–33Н–0.125–56кОм ±5% | |||
| R10 | С2–33Н–0.125–6.8кОм ±5% | |||
| R11 | С2–33Н–0.125–10кОм ±5% | |||
| R12 | С2–33Н–0.125–20кОм ±5% | |||
| R13* | С2–33Н–0.125–130кОм ±5% | |||
| R14 | С2–33Н–0.125–130кОм ±5% | |||
| R15 | С2–33Н–0.125–7.5кОм ±5% | |||
| R16 | С2–33Н–0.125–3кОм ±5% | |||
| R17 | С2–33Н–0.125–2кОм ±5% | |||
| R18 | С2–33Н–0.125–200кОм ±5% | |||
| R19 | С2–33Н–0.125–2кОм ±5% | |||
| R20 | С2–33Н–0.125–1кОм ±5% | |||
| R21 | С2–33Н–0.125–200кОм ±5% | |||
| R22 | С2–33Н–0.125–2кОм ±5% | |||
| R23 | С2–33Н–0.125–3кОм ±5% | |||
| R24 | СП3–39а–1–10кОм ±10% | |||
| R25 | С2–33Н–0.125–1кОм ±5% | |||
| R26 | С2–33Н–0.125–10кОм ±5% | |||
| R27 | С2–33Н–0.125–3кОм ±5% | |||
| R28 | С2–33Н–0.125–5.1кОм ±5% | |||
| R29 | С2–22Н–1–750Ом ±5% | |||
| R30 | С2–33Н–0.125–22кОм ±5% | |||
| R31 | С2–33Н–0.125–10кОм ±5% | |||
| R32 | СП3–19б–1–10кОм ±5%–УХЛ | |||
| R33 | С2–33Н–0.5–2кОм ±5% | |||
| V1…V6 | Диод КД510А ТТ3.362.100 ТУ | |||
| V7 | Стабилитрон КС512А аАо.336.002 ТУ | |||
| V8 | Диод КД510А ТТ3.362.100 ТУ | |||
| V9 | Оптопара диодная АОД130А | |||
| аАО.336.565 ТУ | ||||
| V10 | Оптопара симисторная АОУ163А | |||
| АДБК.432 220.661 ТУ | ||||
| V11 | Стабилитрон Д818Д СМ3.362.045 ТУ | |||
| V12 | Транзистор КТ3107А аАО.336.170 ТУ | |||
| V13 | Диод КД521А дР3.362.035 ТУ | |||
| V14 | Диод КД510А ТТ3.362.100 ТУ | |||
| V15 | Стабилитрон КС515А аАО.336.002 ТУ | |||
Приложение Б
Микросхема К1401СА1
Счетверенный компаратор среднего быстродействия и малого тока потребления. Диапазон питающих напряжений ±3…±16,5 В.
а) б)
Рисунок П1 – Цоколевка корпусов (а) и схема включения (б)
Электрические параметры микросхемы:
| UСМ = 5мВ | U0ВЫХ =0,4В |
| IВХ = 0,25мкА | IПОТР = 2мА (для четырех компараторов) |
| ΔIВХ = 0,05мкА | UИП = ± 1В |
| КУU = 50·103 | t ЗАД = 3мкС |
Таблица П2 – Назначение выводов
| Назначение вывода | Номер вывода К1401СА1 |
| Выход 2 | |
| Выход 1 | |
| Напряжение питания (Uп) | |
| Инвертирующий вход 1(–) | |
| Неинвертирующий вход 1 (+) | |
| Вход 2(–) | |
| Вход 2 (+) | |
| Вход 3 (–) | |
| Вход 3(+) | |
| Вход 4 (–) | |
| Вход 4(+) | |
| Напряжение питания (–Uп) | |
| Выход 4 | |
| Выход 3 |
Приложение В
Микросхема К561ТЛ1
Четыре триггера Шмитта с входной логикой 2И – НЕ.
Рисунок П2 – Цоколевка схемы
Таблица П3 – Назначение выводов
| Назначение вывода | Номер вывода К561ТЛ1 |
| Входы | 1,2,5,6,8,9,12,13 |
| Выходы | 3,4,10,11 |
| Общий | |
| Напряжение питания |
Таблица П4 – Таблица истинности
| Вход 1 | Вход 2 | Выход |
Напряжение переключения (при UП = 10В, t0 = 250C)
по фронту 5,2В
по срезу 4,2В.
Напряжение гистерезиса 1В.
Задержка распространения 40нС.
Приложение Г
Микросхема К561ЛН2
Шесть логических элементов НЕ с мощным выходным инвертором.
Рисунок П3 – Цоколевка схемы
Таблица П5 – Назначение выводов
| Назначение вывода | Номер вывода К561ЛН2 |
| Вход Х1 | |
| Выход Y1 | |
| Вход Х2 | |
| Выход Y2 | |
| Вход Х3 | |
| Выход Y3 | |
| Общий | |
| Выход Y4 | |
| Вход X4 | |
| Выход Y5 | |
| Вход Х5 | |
| Выход Y6 | |
| Вход Х6 | |
| Напряжение питания |
I0ВЫХ = 8мА
I1ВЫХ = 1,25мА
Входная защита не имеет диодов, подключенных анодами к шине питания, это позволяет подавать на вход микросхемы напряжение, превы-шающее напряжение питания, т.е. до 15В.
Приложение Д
Микросхема КР1407УД2
Программируемый малошумящий ОУ. Электрические параметры нормируются током управления.
а) б)
Рисунок П4 – Функциональная схема (а) и цоколевка (б) микросхемы КР1407УД2
Таблица П6 – Назначение выводов
| Назначение вывода | Номер вывода К1407УД2 |
| Коррекция (баланс) | |
| Вход (–) | |
| Вход (+) | |
| Напряжение питания (–Uп) | |
| Коррекция (баланс) | |
| Выход | |
| Напряжение питания (Uп) | |
| Ток управления |
Возможны различные варианты подключения вывода 1 для задания режима: подключение через нормирующий резистор к полюсу источника питания, или подключение опорного напряжения.
| КУU = 50·103 | SUвых = 0,5В/мкС |
| UСМ = 5мВ | UВЫХ = UПИТ – 2В |
| IВХ = 300нА | RВЫХ = 2кОм |
| f1 = 3МГц | IПОТ = 0,1мкА; UПИТ = ± 12В |
Приложение Е
Микросхема КР1441ВИ1
Универсальный таймер.
Рисунок П5 – Функциональная схема микросхемы КР1441ВИ1
Таблица П7 – Назначение выводов
| Назначение вывода | Номер вывода КР1441ВИ1 |
| Земля (общий) | |
| Вход запуска | |
| Выход | |
| Вход сброса | |
| Контроль делителя | |
| Вход порог | |
| Выход разряда | |
| Напряжение питания |
Приложение Ж
Приложение З
Микросхема КР140УД17А
Прецизионный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией. Схема внешней балансировки представлена на рисунке П6.
Рисунок П6 – Схема внешней балансировки
Схема прецизионного суммирующего усилителя на КР140УД17А изображена на рисунке П7.
Рисунок П7 – Схема прецизионного суммирующего усилителя на КР140УД17А
Таблица П9 – Назначение выводов
| Назначение вывода | Номер вывода КР140УД17А |
| Балансировка | 1,2 |
| Вход инвертирующий | |
| Вход неинвертирующий | |
| Напряжение питания (– UП) | |
| Свободный | |
| Выход | |
| Напряжение питания (+UП) |
Приложение И
Микросхема UC1846/2846/3846
Семейство контроллеров UC1846/2846/3846 обеспечивает установку и регулировку фиксированной частоты преобразования и контроль состояния схемы. Контроллер нашел применение в линейных регуляторах напряжения, мощных преобразователях, благодаря хорошей регулировке сигналов, широкому спектру выходных характеристик и простоте монтажа. Преимуществом схемы является внутреннее ограничение импульса управления, автоматическая коррекция симметрии импульса и возможность корректировки длительности управляющего сигнала для разделения по току при параллельной работе конверторов или регуляторов. Схема защиты предусматривает минимальное предельное значение тока (около 0,5мА) и программирование предельного значения тока дополнительно к ограничению при “плавном пуске” источника. Существует также функция перезагрузки, с полным выключением и автоматическим включением и регулировкой подачи напряжения. Другой особенностью котроллера является полная блокировка посредством двойного подавления импульса управления и регулировка порога выключения. Погрешность задержки срабатывания при блокировке составляет ±1 %.
Преимуществом UC1846 является малое потребление в выключенном состоянии по сравнению с UC1847.
Эти устройства выполняются в корпусах SOIC-16 и DIL-16 (рисунок П8).
Рисунок П8– Цоколевка корпусов
Приложение К
Микросхема LM431
Микросхема LM431 – трехвыводной термоустойчивый параллельный регулятор напряжения. Регулятор сохраняет свою устойчивую работу в широком диапазоне температур. Выходное напряжение может быть установлено на любом уровне в диапазоне от 2,5 В до 36 В подбором резистора внешнего делителя напряжения, подключенного к выводу регулировки. Благодаря слабой зависимости напряжения от изменений температуры (рисунок П9) данная микросхема рекомендуется для замены зенеровских диодов.
Рисунок П10 – График зависимости выходного напряжения от температуры
Конструктивно драйвер размещен в трехвыводном пластмассовом корпусе TO – 92 (рисунок П10).
Рисунок П10 – Цоколевка корпуса
На рисунке П11 приведена функциональная схема параллельного регулятора LM431.
Рисунок П11 – Функциональная схема LM431
Приложение Л
Основные полупроводниковые приборы
Таблица П11 – Характеристики полупроводниковых приборов
| Обозначение на схеме | Тип | Параметры |
| VT3, VT4 | BC327 – 25  | Транзистор биполярный p-n-p типа UК-Б = 50В, IК = 10А, h21 Э =400, Fгр=100МГц, PРАС =0,6Вт. Корпус – TO-92 |
| VT5, VT6 | 2SK2611   | Транзистор π – MOSIII типа с каналом n – типа UС-И = 900В, IC = 9А (постоянный), IC = 27А (импульсный), RC-И =1,1Ом, tНАР = tСП = 5нС, tВЫКЛ = 10мкС, dIС/dt = 100А/мкС, PС = 150Вт, UЗ-И = ±30В. Корпус SC – 65 (EIAJ) 2 – 16C1B (TOSHIBA) |
| VD12,VD13 | MUR1640CT MURH840CT  | Быстровосстанавливающая диодная сборка (два элемента в корпусе) UОБР МАКС = 400В, IПР. ПОСТ =8А, dI/dt = 50 А/мкС, tВОСС =60нС, UПР = 1,3В. Корпус – TO – 220 |
| VT7, VT9 | 4N35  | Транзисторная оптопара UК-Э = 30В, Uизол = 2,5кВ, h21 Э = 100% при токе 10мА, Imax ВЫХ ТЕМН. К = 150мА Корпус – PDIP – 6 |
Приложение М
Схема кабеля управления
Схема кабеля управления ИБП5 (RS232C, 9 контактная вилка – розетка) приведена на рисунке П12.
Рисунок П12 – Схема кабеля управления ИБП5
Приложение Н
Силовые полупроводниковые приборы
Таблица П12 – Характеристики полупроводниковых приборов
| Узел | Обозначение на схеме | Тип | Параметры |
| ККМ | VT1, VT2 | IRFP – 450А  | Транзистор MOSFET с каналом n– типа UС-И = 500В, IC = 14А, RC-И =0,4Ом, PСmax = 180Вт. Крутизна характе-ристики S = 9,3А/В, UЗ-И = 4В. Корпус – TO247AC |
| VD6 | HFA15PB-60  | Диод Umax = 600В, IПР. СР =15А, IПР. УД =150А, dI/dt = 160 А/мкС, Pmax = 74Вт, UПР = 1,3В. Корпус – TO247AC | |
| Преобразователь (инвертор и выпрямитель) | VT1…VT4 | SSH22N50A  | Транзистор MOSFET с каналом n- типа UС-И = 500В, IC = 22А (t = 250С), IC = 13,4А (t =1000С), IC.ЭФФ = 88А, RC-И =0,25Ом, dU/dt = 3,5В/нС, PС = 278Вт, UЗ-И = ±30В. Корпус – TO – 3Р |
| VD3, VD4 | STPS40H  | Диод Шоттки сдвоенный. Umax = 100В, IПР = 2x20А, UПР = 0,61В, IПР. УД =300А (t = 10мС), IОБР = 10мкА Корпус – TО247 |
Приложение О
Микросхема UC1855/2855/3855
Семейство ИМС UC1855/2855 /3855 A/B обеспечивают все необходимые параметры управляющих сигналов для высокочастотных повышающих преобразователей (ККМ). Метод управления посредством усреднения входного тока обеспечивает стабилизацию, снижает искажения линейного переменного тока, компенсирует погрешности за счет отклонения мгновенного значения от огибающей. Кроме того, реализован режим ZVT (коммутация при нулевом напряжении) для того, чтобы значительно уменьшить время восстановления обратного сопротивления диода и потери при включении полевого транзистора (MOSFET). В результате снижается уровень помех и повышается КПД. При таком режиме возможно повышение частоты переключения преобразователя до 500 кГц, для этого требуется дополнительный полевой транзистор, диод, и индуктор, чтобы в резонансе мягко коммутировать мощный диод и ключ. Для контроля среднего значения тока применяется простой резистивный шунт или трансформатор тока. При этом синтезатор буферизует ток индуктора при открытом ключе и преобразует ток индуктора при закрытом ключе. Микросхема также имеет умножитель, квадратор и цепь делителя, которые обеспечивают программирование режима работы по току. Предел тока внутреннего умножителя ограничивает выходную мощность при низких уровнях входного напряжения. Цепь защиты от перенапряжения блокирует оба выхода контроллера в случае повышенного уровня на входе OVP.
Микросхема выполняется в пластмассовом корпусе различного типа (рисунок П13) и имеет 20 выводов.
Рисунок П13 – Цоколевка корпусов
Приложение П
Микросхема TC4427EPA
Семейство 4426/7/8 – это драйверы, созданные на основе BICMOS/DMOS технологий, с малым потреблением тока. Они способны выдерживать обратные токи до 500 мА (любой полярности) без запирания, до 5 А короткого замыкания (любой полярности) на выводах общей шины. Предназначены для управления силовыми MOSFET ключами с различными видами нагрузок (емкостные, индуктивные и т.д.), которые требуют малого выходного сопротивления, высокого пикового тока и высокого быстродействия.
Конструктивно драйвер размещен в восьмивыводном пластмассовом корпусе (рисунок П14).
Рисунок П14– Цоколевка корпуса
Приложение Р
Микросхема UC3875/6/7/8
Семейство микросхем, объединенных под названием UC3875, осуществляет управление мощным мостовым каскадом с помощью сдвига по фазе момента переключения одной половины моста относительно другой. Используется ШИМ– модуляция совместно с резонансными методами и переключением при нулевом напряжении для повышения эффективности источников электропитания на высоких частотах. Микросхемы этого семейства могут применяться в схемах управления источников электропитания с обратной связью, как по напряжению, так и по току и имеют встроенную схему токовой защиты.
Программируемая временная задержка обеспечивает паузу для работы в резонансном режиме и является независимо управляемой для каждой пары выходов (A–B, C–D).
Генератор способен работать на частотах более 2МГц, хотя практическая частота переключения около 1МГц. В дополнение к стандартному режиму свободных колебаний с помощью вывода CLS можно синхронизировать генератор внешним сигналом или при совместном соединении до 5 микросхем можно получить рабочую частоту, определяемую самым быстрым устройством.
Одна из особенностей защиты – это блокировка при понижении питания, которая поддерживает все выходы в активном состоянии НИЗКОГО уровня, пока напряжение питания не достигнет пороговой величины 10,75В. Схема блокировки при понижении питания имеет гистерезис равный 1,5В, что используется для надежного питания микросхемы в момент старта. Схема токовой защиты блокирует выходы в выключенном состоянии в течение 70нС после возникновения аварийной ситуации, а затем осуществляет повторный запуск после окончания перегрузки.
Дополнительные особенности: усилитель ошибки с полосой пропускания более 7МГц, источник опорного напряжения 5В, функция “мягкий запуск”, регулируемый генератор пилообразного напряжения и схема компенсации наклона “пилы”.
Эти устройства выполняются в корпусах DIP – 20, SOIC – 28 c дополнительными выводами GND для отвода тепла и мощном пластмассовом корпусе PLCC – 28 (рисунок П15).
Постоянный , А. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,5
импульсный (0,5 мкС) , А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
Напряжение на аналоговых входах/выходах
(выводы 1…7, 15…19), В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . .. . . . – 0,3…5,3
Рисунок П16– Цоколевка корпусов
| Рабочая температура кристалла, °C | |
| Температура соединений, °C | – 55… + 150 |
| Диапазон температур хранения, °C | – 65… + 150 |
| Температура вывода (пайка 10 с), °C | |
| Максимальная частота генератора, МГц | |
| Ширина импульсов тактовой частоты, нС | 0…100 |
| Опорное напряжение, В | 4,95…5,05 |
| Напряжение смещения усилителя ошибки, мВ | 5…15 |
| Входной ток усилителя ошибки, мкА | 5…15 |
| Напряжение нулевого фазового сдвига, В | 0,55…0,9 |
| Относительная задержка выхода ШИМ – компаратора, нс | не более ± 20 |
| Параметры схемы “мягкого запуска”: | |
| ток заряда, мкА | – 20…– 3 |
| тока разряда, мкА | – 20…– 3 |
| Выходное напряжение формирователей: | |
| НИЗКИЙ уровень, В | 0,2…0,4 |
| ВЫСОКИЙ уровень, В | 1,5…2,6 |
Назначение выводов приведено в таблице П15.
Таблица П15 – Назначение выводов
| Номер вывода | Условн. обознач. | Назначение |
| GND | Сигнальная земля. Относительно этого вывода проводятся измерения всех напряжений. Часто-тозадающий конденсатор на выводе 16, шунти-рующий конденсатор на выводе 1, конденсаторы на выводах 11 и 19 должны быть непосредственно связаны с землей шиной около вывода сигнальной земли. | |
| Продолжение таблицы П15 | ||
| PGND | Мощная земля. Вывод 10 должен соединяться керамическим конденсатором с шиной мощной земли (связанной с выводом PGND). Электро-литический конденсатор большой емкости должен быть включен параллельно этому керамическому конденсатору. Шины мощной и сигнальной земли могут быть соединены в одной точке, чтобы оптимизировать подавление шумов и уменьшить падение напряжения постоянного тока. | |
| VСС | Напряжение питания выходных ключей. Через этот вывод питаются мощные выходные формирователи и, связанные с ними, схемы смещения. Для нормальной работы необходимо соединить вывод 11 (VIN) с источником стабильного напряжения величиной большей чем 3В, а лучше около 12В. Этот вывод должен соединяться непосредственно с выводом GND через конденсатор с низкими эквивалентными последовательным сопротивлением и индуктивностью. | |
| VIN | Напряжение питания остальной схемы. Через этот вывод питаются логические и аналоговые части микросхемы, которые непосредственно не связаны с работой мощных выходных формирователей. Для нормальной работы необходимо соединить вывод VIN с источником стабильного напряжения величиной около 12 В. Пока напряжение VIN не превысит верхнее пороговое напряжение “ схема блокировки при понижении питания”, все функциональные блоки микросхемы находятся в выключенном состоянии, чтобы гарантировать правильное выполнение своих функций. Этот вывод должен соединяться непосредственно с выводом GND через конденсатором с низкими эквива-лентными последовательным сопротивлением и индуктивностью. | |
| FREQ | Вывод установки частоты генератора. Резистор и конденсатор, подключенные от вывода FREQ к выводу GND, будут устанавливать частоту генератора согласно следующим соотношениям:  . | |
| Продолжение таблицы П15 | ||
| Номер вывода | Условн. обознач. | Назначение |
| SYNC | Вывод тактовых импульсов/ вход синхронизации. Когда этот вывод используется как выход, он обеспечивает ввод импульсов синхронизации. При одновременном использовании нескольких микро-схем вывод тактовых импульсов, а когда как вход, он UC3875, каждая со своим собственным внутренним генератором, они могут быть связаны вместе с помощью выводов SYNC и синхронизированы самым быстрым из генераторов этих микросхем. Также вывод SYNC может использоваться для синхронизации микросхемы внешней тактовой частотой (сигнал ТТЛ/КМОП уровня), если внешний сигнал имеет более высокую стабильность. Чтобы минимизировать ширину тактового импульса, к этому выводу может понадобиться подключить нагрузочный резистор. | |
| SLOPE | Установка наклона пилообразного напряжения/ компенсация наклона пилообразного напряжения. Резистор, подключенный между этим выводом и VIN, будет устанавливать ток, который используется для генерации пилообразного напряжения. Подключение этого резистора к источнику входного напряжения (VSLOPE )постоянного тока обеспечивает обратную связь по напряжению. | |
| RAMP | Вход пилообразного напряжения. Этот вывод является входом ШИМ – компаратора. Необходимо подключить конденсатор от вывода RAMP к GND. Наклон пилообразного напряжения на этом выводе:  . Количество вешних компонентов в режиме работы с обратной связью по току становится минимальным, когда этот вывод обеспечивает компенсацию наклона пилообразного напряжения. Так как между RAMP и ШИМ – компаратором существует напряжение смещения, равное 1,3В, выходное напряжение усилителя ошибки не может превышать эффективное значение пикового пилообразного напряжения, и фиксация длительности рабочего цикла легко достигается с соответствующими значениями RT и CT. | |
| Продолжение таблицы П15 | ||
| Номер вывода | Условн. обознач. | Назначение |
| COMP | Вход усилителя ошибки. Усилитель ошибки пред-ставляет из себя часть схемы, полностью управ-ляемую напряжением обратной связи. Понижение уровня выходного напряжения усилителя ошибки ниже 1В вызывает нулевой фазовый сдвиг. Так как усилитель ошибки имеет относительно низкую нагрузочную способность, сигнал с его выхода может быть подавлен сигналом источника с достаточно низким импедансом. | |
| E/A (–) | Инвертирующий вход усилителя ошибки. Этот вывод обычно соединяется с резистивным делителем напряжения, через который считывается уровень выходного напряжения источника питания. | |
| E/A (+) | Неинвертирующий вход усилителя ошибки. Этот вывод обычно соединяется с источником опорного напряжения для сравнения с уровнем выходного напряжения источника питания, поступающим на вывод E/A (–). | |
| S/S | Вывод для обеспечения функции “мягкого запуска”. Пока напряжение VIN не превысит пороговое напряжение “схемы блокировки при понижении питания”, на выводе S/S удерживается потенциал земли. Когда напряжение VIN достигает своего номинального значения (предполагается отсутствие аварийного режима), потенциал на выводе S/S подтянется до напряжения приблизительно 4,8В с помощью внутреннего источника тока равного 9мкА. При появлении сигнала ошибки от обратной связи по току (напряжение на выводе C/S+ превысило 2,5В), потенциал на выводе S/S будет опускаться до потенциала земли, а размах пилообразного нап-ряжения достигать 4,8В. Если сигнал ошибки появляется во время действия функции “мягкого запуска”, выходы будут немедленно выключены, и емкость на выводе S/S должна полностью зарядиться до переустановки триггера ошибки. При парал-лельном включении микросхем выводы S/S могут быть подключены к единственному конденсатору, но при этом зарядные токи будут складываться. | |
| Продолжение таблицы П15 | ||
| Номер вывода | Условн. обознач. | Назначение |
| C/S+ | Неинвертирующий вход токосчитывающего компа-ратора. К инвертирующему входу подведено опорное напряжении (отдельно от VREF), равное 2,5В. Как только напряжение на выводе C/S+ превысит 2,5В, устанавливается триггер ошибки, выходы переводятся в выключенное состояние и включается функция “мягкий запуск”. Выходы будут находиться в выключенном состоянии до тех пор, пока напряжение на выводе C/S+ не опустится ниже 2,5В. Процесс переключения на выходах, при нулевом фазовом сдвиге, может начаться прежде, чем напряжение на выводе S/S начнет повышаться. В этих условиях мощность в нагрузку не будет передаваться. | |
| OUT A OUT B OUT C OUT D | Выходы A, B, C, D. Выходы микросхемы пред-ставляют из себя выходы квазикомплементарных формирователей, рассчитанные на ток до двух ампер, оптимизированные для работы на затворы MOSFET–транзистров и на преобразователи уровня. Выходы работают попарно с номинальным рабочим циклом 50%. Пара A–B будет предназначена, чтобы возбуждать одну половину внешнего мощного мостового каскада синхронно с тактовыми импуль-сами. Пара C–D будет возбуждать другую половину моста, переключаясь со сдвигом по отношению к A–B выходам. | |
| DLY A/B DLY C/D | Установка задержки включения выходов. Пользователь может программировать ток, текущий через эти выводы на землю (GND), устанавливая задержку включения для соответствующей пары выходов. Эта задержка вводится между выключением одного ключа и включением другого в том же самом плече моста, чтобы обеспечить “запрещенное время”, в течение которого происходит резонансный процесс переключения внешних мощных ключей. Пре-дусмотрена отдельная задержка для каждой половины моста, чтобы учесть различия зарядных токов в резонансном конденсаторе. | |
| VREF | Конденсаторы емкостью 0,1мкФ с низкими экви-валентными последовательным сопротивлением и индуктивностью. |
Приложение С
Приложение Т
Приложение У
Системные параметры модуля-выпрямителя СБЭП
Таблица П17 – Значения системных параметров, установленные
на предприятии–изготовителе
| Наименование параметра | Значение параметра |
| Текущее опорное напряжение | |
| U1 - напряжение буферного заряда батарей «Reference U1 normal» | Reference U1 normal |
| Параметры опорных напряжений, поддерживаемые на выходах выпрямителей | |
| U1 - напряжение буферного заряда батарей, В «U1 Norm voltage» | 54,5 |
| U2 - напряжение ускоренного заряда батарей, В «U2 Boost voltage» | 54,5 |
| U3 - напряжение при диагностике батарей, В «U3 Test voltage» | 45,8 |
| U4 - напряжение, определяемое потребителем, В «U4 Spare voltage» | 54,5 |
| Параметры диагностики батареи | |
| Предельная величина асимметрии, В «Symmetry limit» | 2,0 |
| Напряжение завершения теста, В «End voltage b.test» | 46,3 |
| Продолжительность теста, мин «batt. test time:min» | |
| Максимальное количество Ампер–часов, которое допустимо снять«Ah limit for test» | |
| Время автоматического запуска теста «Time of test» | |
| Номер теста «No of test/ year» | |
| Тип батареи «Battery type» | 4 blocks (4 блока) |
| Количество батарей «No of batteries» | |
| Параметры ускоренного заряда | |
| Длительность ускоренного заряда, час «Boost time» | 0,0 |
| Интервал ускоренного заряда, недель «Boost interval» | 3,0 |
| Коэффициент времени ускоренного заряда «Boost factor» | 2,0 |
| Установка уровня tl, В «Boost tl» | 51,0 |
| Установка уровня t2, В «Boost t2» | 52,0 |
| Разрешение автоматического включения ускоренного заряда «Autoboost enable» | Off (запрещено) |
| Прочие параметры | |
| Разрешение температурной компенсации «Enable tempxomp.» | On (разрешено) |
| Коэффициент температурной компенсации, В /10 °С «Сотр. factor» | 0,7 |
| Ток шунта, А «Shunt current» | |
| Напряжение шунта, мВ «Shunt voltage» | |
| Ограничение тока заряда батарей «Battcurrent limit» | On (разрешено) |
| Предельный ток заряда батарей, А «Battcurrent limit» | 66,0 |
| Сетевой адрес «N |