Транзисторно-транзисторные логические элементы со сложным инвертором

Из-за недостатков, присущих простому инвертору, большинство ЛЭ ТТЛ малой и средней степени интеграции строятся по схеме со сложным инвертором. Схема, показанная на рис. 6.7а, состоит из входной части, реализующей логическую функцию 2И и выполненной на элементах VT1 (МЭТ) и резисторе R1, и сложного инвертора (VT2 … VT4, R2, R4). Диоды VD1 и VD2 называются демпфирующими или антизвонными. Они заперты для входных сигналов положительной полярности и открываются только при поступлении на входы отрицательных напряжений, ограничивая уровень отрицательных помех до уровня падения напряжения на открытом диоде, предотвращая тем самым ложное срабатывание ЛЭ.

Транзисторно-транзисторные логические элементы со сложным инвертором - student2.ru

Рисунок 5.11. Элемент ТТЛ со сложным инввертором.

Рассмотрим передаточную характеристику (ПХ) ЛЭ, показанную на рис. 5.11б. На один из входов (например x2) подадим напряжение высокого уровня U1, а на втором (x1) будем плавно изменять напряжение Uвх от 0 до U1. При Uвх = 0 транзисторы VT2 и VT4 закрыты, а VT3 и VD3 открыты и

U1вых = Eп – IБз R2 – UБЭо3 - UДо3.

При повышении напряжении Uвх до значения Uвх.от2 ( 0,6 В) эмиттерный переход VT2 окажется на грани отпирания:

UБЭ2 = Uвх.от2 + UКЭнас1 » UБЭз.

При дальнейшем увеличении входного напряжения транзистор VT2 открывается, и его коллекторный IК2 и эмиттерный IЭ2 токи увеличиваются с ростом Uвх. Пока напряжение UR3 = IЭ2 R3 < UБЭз4 » 0,6 В, транзистор VT4 остается закрытым. В то же время увеличивающийся коллекторный ток IК2 вызывает рост напряжения на резисторе R2, что вызывает снижение высокого уровня выходного напряжения. На ПХ образуется спад.

Когда напряжение Uвх достигнет значения U0пор, начинает отпираться транзистор VT4, крутизна спада выходного напряжения резко увеличивается и ЛЭ переключается из состояния 1 в состояние 0. При Uвх = U1пор транзистор VT4 переходит в режим насыщения, а VT1 – в активный инверсный режим работы.

Недостатком ЛЭ, схема которого дана на рис. 5.11а, является его низкая помехоустойчивость. Любая помеха напряжением от Uвх.от2 до U0пор, накладывающаяся на входное напряжение U0вх, наложится и на выходное напряжение U1вых в инвертированном виде с коэффициентом передачи Кп=R2/R3. Поэтому в более поздних разработках ЛЭ ТТЛ резистор R3 заменен цепочкой, состоящей из элементов VT5, R3¢, R3¢¢ (рис. 5.12).

Транзисторно-транзисторные логические элементы со сложным инвертором - student2.ru

Рисунок 5.12. Схема элемента ТТЛ повышенной помехоустойчивости.

Принцип действия этой цепочки заключается в следующем. При закрытых транзисторах VT2 и VT4 транзистор VT5 также закрыт, и эмиттерный переход VT4 шунтируется большим суммарным сопротивлением корректирующей цепочки VT5, R3¢, R3¢¢. Таким образом, последовательно с эмиттерным переходом транзистора VT2 оказывается включен эмиттерный переход транзистора VT4, шунтируемый значительно большим суммарным сопротивлением корректирующей цепочки. Отпирание транзистора VT2 в такой схеме возможно лишь в том случае, если потенциал базы VT2 превысит значение, превышающее сумму двух пороговых напряжений отпирания транзисторов (» 1,2 В). При отпирании транзистора VT2 большая часть его эмиттерного тока будет втекать в базу транзистора VT4, форсируя его отпирание и переход в режим насыщения, после чего в режим насыщения перейдет и транзистор VT5.

Помимо коррекции ПХ (устранение спада) корректирующая цепочка VT5, R3¢, R3¢¢, отбирая часть эмиттерного тока транзистора VT2, уменьшает степень насыщения транзистора VT4, повышая тем самым быстродействие ЛЭ.

Нагрузочная способность ЛЭ ТТЛ зависит от входных токов нагрузочных элементов. Если в качестве нагрузки используются такие же ЛЭ ТТЛ, то нагрузочная способность будет зависеть от токов эмиттеров МЭТ. Эти токи определяются сопротивлением резистора R1: чем больше R1, тем меньше токи IЭ МЭТ и тем выше нагрузочная способность. Но от R1 зависят также и токи баз транзисторов VT2 и VT4 нагружаемого ЛЭ: с увеличением сопротивления R1 они уменьшаются, что вызывает в конечном итоге уменьшение эмиттерного тока VT4 и, следовательно, уменьшение Краз.

Током базы VT4 является эмиттерный ток транзистора VT2, поэтому в ЛЭ со сложным инвертором сопротивление резистора R1 можно сделать значительно больше по сравнению с его значением в ЛЭ с простым инвертором, что приводит к уменьшению входных токов. Повышенная нагрузочная способность ЛЭ со сложным инвертором обусловлена также низким выходным сопротивлением схемы как в режиме логического нуля, так и в режиме логической единицы: малым выходным сопротивлением насыщенного транзистора VT4 (при закрытом VT3) и малым выходным сопротивлением эмиттерного повторителя (при закрытом VT4).



Наши рекомендации