Тема 3 Полупроводниковые материалы

111. Основной особенностью полупроводников является способность изменять свои свойства под влиянием внешних воздействий:

А. Температуры или освещения.

Б. Температуры или давления.

В. Температуры и давления.

Г. Температуры и освещения.

112.Свойства полупроводников сильно зависят от:

А. Содержания примесей.

Б. Содержания примесей ионов.

В. Содержания примесей молекул.

Г. Содержания крупных примесей.

113.Полупроводники в зависимости от степени чистоты делят на:

А. Не примесные и примесные.

Б. Собственные и примесные.

В. Собственные и несобственные.

Г. Собственные и не примесные.

114.Примесным полупроводником называют:

А. Полупроводник, электрофизические свойства которого в основном определяются ионами.

Б. Полупроводник, электрофизические свойства которого в основном определяются примесями.

В. Полупроводник, электрофизические свойства которого в основном определяются молекулами.

Г. Полупроводник, электрофизические свойства которого в основном определяются молекулами и ионами.

115. Собственным полупроводником называют:

А. Полупроводник, в котором нельзя пренебречь влиянием примесей при данной температуре.

Б. Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при любой температуре.

В. Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием примесей при данной температуре.

Г. Полупроводник, в котором можно пренебречь влиянием молекул при данной температуре.

116.В примесном полупроводнике роль примесей играют:

А. Вакансии и междоузельные частицы.

Б. Вакансии и междоузельные ионы.

В. Вакансии и междоузельные молекулы.

Г. Вакансии и междоузельные атомы.

117.Фоторезистивным эффектом называют:

А. Изменение электрической проводимости вещества под воздействием электромагнитного поля.

Б. Изменение электрической проводимости вещества под воздействием электромагнитного излучения.

В. Изменение электрической проводимости вещества под воздействием рентгеновского излучения.

Г. Изменение электрической проводимости вещества под воздействием электрического поля.

118. Люминесценцией называют:

А. Электромагнитное нетепловое излучение, обладающее длительностью, незначительно превышающей период световых колебаний.

Б. Электромагнитное тепловое излучение, обладающее длительностью, значительно превышающей период световых колебаний.

В. Электромагнитное нетепловое излучение, обладающее длительностью, значительно превышающей период световых колебаний.

Г. Электромагнитное тепловое излучение, обладающее длительностью, незначительно превышающей период световых колебаний.

119.Ведущее место среди материалов занимают полупроводники:

А. Кремний, селен, карбид кремния.

Б. Селен, германий, карбид кремния.

В. Кремний, германий, селен.

Г. Кремний, германий, карбид кремния.

120.Существенным недостатком германия является:

А. Невысокий верхний предел рабочей температуры + 70°С.

Б. Невысокий нижний предел рабочей температуры + 70°С.

В. Высокий верхний предел рабочей температуры + 70°С.

Г. Высокий нижний предел рабочей температуры + 70°С.

121.Кремниевые выпрямительные плоскостные диоды могут выдерживать обратное напряжение и ток в прямом направлении:

А. Прямые напряжения до 1500В и пропускать ток в прямом направлении до 1500А.

Б. Обратные напряжения до 1500В и пропускать ток в прямом направлении до 1500А.

В. Обратные напряжения до 1500В и пропускать ток в обратном направлении до 1500А.

Г. Обратные напряжения до 1000В и пропускать ток в прямом направлении до 1000А.

122. Кремниевые стабилитроны в зависимости от степени легирования материала имеют:

А. Напряжение стабилизации от 3 до 800В.

Б. Напряжение стабилизации от 3 до 1000В.

В. Напряжение стабилизации от 3 до 400В.

Г. Напряжение стабилизации от 0,3 до 400В.

123. Существенным достоинством кремния является:

А. Высокий верхний предел рабочей температуры + 200°С.

Б. Высокий верхний предел рабочей температуры + 150°С.

В. Высокий верхний предел рабочей температуры + 100°С.

Г. Высокий верхний предел рабочей температуры + 250°С.

124. Для создания светодиодов используется способность карбида кремния к:

А. Регенерации света.

Б. Люминесценции.

В. Фотопроводимости.

Г. Поглощению света.

125. Светодиоды работают на принципе:

А. Инжекционной электромагнитной люминесценции.

Б. Инжекционной магнитной люминесценции.

В. Инжекционной люминесценции.

Г. Инжекционной электрической люминесценции.

126. Варисторы, высокотемпературные нагреватели изготавливают на основе:

А. Твердого карбида кремния.

Б. Порошкообразного карбида кремния.

В. Порошкообразного кремния.

Г. Твердого кремния.