Управление током в полевых транзисторах осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает электрический ток под воздействием электрического поля.

По способу создания делятся на:

1) полевые транзисторы с управляющим p-n переходом;

2) МДП транзисторы с изолированным затвором:

а) со встроенным каналом;

б) с индивидуальным каналом.

Интерес к ним вызван их преимуществами по сравнению с биполярными транзисторами:

1) высокая технологичность;

2) хорошая воспроизводимость требуемых параметров;

3) малая стоимость;

Высокое входное сопротивление.

Полевые транзисторыс управляющим p-n переходом

И З Конструкция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом , n-каналом, по схеме с общим истоком. Uзи + -

Схемное обозначение транзистора с управляющим p-n переходом.

Канал – полупроводник n-типа с относительно малым количеством донорской примеси.

Затвор – кольцевой слой полупроводника p-типа с высоким содержанием акцепторной примеси.

Электрод, от которого начинают движение носители заряда называется исток, электрод, к которому они движутся – сток.

По каналу, под действием продольного внешнего электрического поля, созданного U_си движутся электроны от истока к стоку.

носителей,чем n слой,изменение ширины p-n перехода происходит в основном за счет ширины канала (n). Измен. сечения токоведущ. канала → Iс Особенность полевого транзистора в том, что на Iс Особенность полевого транзистора в том, что на Iс

U_зи – обратное для p-n перехода, возникающего между затвором и каналом. При изменении U_зи, изменяется ширина p-n перехода - участка, обедненного ОНЗ, т.к. p-слой имеет большую концентрацию основных

Особенность полевого транзистора в том, что на I_с Особенность полевого транзистора в том, что на I_с (сильнее). Эти процессы илюстрир. семейств. стокозатв. характеристик.

На входе его практ. не расходуется мощность.

Схема замещения пол. тр-ра с упр. p-n

В обл. выс. част. В обл. ниж. част.

Характеризует работу тр-ра в обл. 2 стоковой ВАХ для перемен. составл. тока и И

2.1.4.2 МДП транзистора

Полевые транзисторы с изолированным затвором в отличии от вышерассмотренных имеют затвор, изолированный от области канала слоем диэлектрика (им может быть SiO2)

Принцип действия основан на эффектах изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.

Приповерхностный слой полупроводников является токоведущим каналом этих транзисторов.

Выполн. Двух типов – со встр. индукц. кан.

2.1.4.3 МДП тр-ры со встроен. каналом

2.1.4.4 МДП тр-р с индуц. каналом       Значение межэлектрод. емкостей Сзн1Сси<10пф Сзс<2пф Меньше, чем у тр-ров с упр. n-p пер. Применяется широко в интегр. исполнении.

ЛЕКЦИЯ №11

2.1.5 Биполярные транзисторы

2.1.5.1 Структура, схемы включения, схемное обозначение

Биполярным транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, содержащий два взаимодействующих p-n перехода, выходной ток которого управляется изменением входного тока.