Практические и лабораторные работы

Практическое занятие № 1 Исследование работы биполярного транзистора, включенного с общей базой (ОБ).

Практическое занятие № 2 Исследование работы биполярного транзистора, включенного с общим эмиттером (ОЭ).

Практическое занятие №3 Определение h-параметров биполярных транзисторов по статическим характеристикам.

Практическое занятие № 4 Исследование работы полевого транзистора

Практическое занятие №5 Исследование тиристора

Практическое занятие № 6 Графоаналитический анализ работы биполярного транзистора режима А

Практическое занятие № 7 Расчет показателей структурных схем усилителей с различными видами обратных связей

Практическое занятие № 8 Исследование работы каскада предварительного усиления

Практическое занятие № 9 Исследование работы двухтактного бестрансфрорматорного выходного каскада

Практическое занятие № 10 Исследование работы дифференциального каскада

Практическое занятие № 11 Исследование схем устройств на операционном усилителе

Практическое занятие № 12 Расчет элементов и параметров схем функциональных узлов на операционном усилителе

Практическое занятие № 13 Исследование дифференцирующих и интегрирующих цепей

Практическое занятие № 14 Расчет параметров схемы автоколебательного мультивибратора

Практическое занятие № 15 Исследование работы триггера Шмита

Лабораторное занятие №1 Исследование работы выпрямительных диодов

Лабораторное занятие № 2 Исследование работы стабилитронов

Лабораторное занятие № 3 Исследование работы фотоэлектрического прибора

Лабораторное занятие № 4 Исследование схем генераторов LC на транзисторах

Лабораторное занятие № 5 Исследование схем генераторов RC на транзисторах

Лабораторное занятие №6 Исследование работы автоколебательного мультивибратора

Зачет по практическим и лабораторным работам выставляется в конце занятия, когда выполнены задания, оформлен отчет и ответы на контрольные вопросы.

5 Пакет преподавателя (экзаменатора)

Экзаменационные вопросы

1. Структура собственных и примесных полупроводников. Виды носителей зарядов в полупроводниках.

2. Образование электронно-дырочного перехода. Виды электронно-дырочных переходов. Свойства электронно-дырочного перехода при прямом и обратном включении

3. Характеристики p-n-перехода. Виды пробоев p-n-перехода

4. Назначение и классификация полупроводниковых диодов. Структура полупроводниковых диодов.Вольтамперная характеристика полупроводниковых диодов

5. Основные параметры полупроводниковых диодов. Условные графические обозначения в схемах

6. Стабилитроны: назначение, принцип работы, характеристики, параметры, условные графические обозначения в схемах.

7. Варикапы: назначение, принцип работы, характеристики, параметры, условные графические обозначения в схемах

8. Назначение, устройство и классификация биполярных транзисторов. Условное графическое обозначение в схемах

9. Принцип работы биполярного транзистора.

10. Схемы включения биполярных транзисторов. Режимы работы биполярных транзисторов.

11. Устройство и принцип работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение в схемах.

12. Сравнительная оценка биполярных и полевых транзисторов

13. Назначение и виды тиристоров. Условные графические обозначения в схемах различных видов тиристоров.

14. Назначение, устройство и принцип работы терморезисторов, область применения. Условное графическое обозначение в схемах. Характеристики и параметры терморезисторов.

15. Болометры: назначение, конструкция, принцип работы.

16. Классификация оптоэлектронных приборов. Физические явления при поглощении и излучении света. Область применения оптоэлектронных приборов. Преимущества и недостатки устройств оптоэлектроники.

17. Фоторезисторы: назначение, устройство, принцип работы, характеристики, параметры, условное графическое обозначение в схемах.

18. Фотодиоды: назначение, устройство, принцип работы, характеристики, параметры, условное графическое обозначение в схемах.

19. Назначение оптронов. Основные параметры оптронов. Условные графические обозначения в схемах различных видов оптронов.

20. Общие сведения об ИМС. Функциональная классификация и характеристика ИМС. Достоинства и недостатки ИМС.

21. Конструктивно-технологические типы ИМС.

22. Общие сведения об усилителях. Структурная схема усилителя. Классификация усилителей. Усилительный каскад.

23. Основные технические показатели усилителей. Основные характеристики усилителей. Искажения

24. Работа усилительного элемента с нагрузкой. Уравнение нагрузочной прямой. Определение рабочей точки.

25. Определение обратной связи. Виды обратных связей.

26. Положительная и отрицательная обратная связь. Влияние обратной связи на основные показатели усилителя. Необходимость применения обратных связей в усилителях.

27. Назначение каскада предварительного усиления. Требования, предъявляемые к КПУ.

28. Назначение выходных каскадов. Требования, предъявляемые к выходным каскадам.

29. Определение усилителя постоянного тока. Назначение УПТ. Основные параметры УПТ.

30. Назначение операционного усилителя. Условное графическое обозначение в схемах. Структурная схема ОУ.

31. Общие сведения о генераторах. Классификация генераторов.

32. Определение электрического импульса. Определение импульсного устройства. Преимущества импульсного режима работы перед непрерывным.

33. Особенности работы транзистора в ключевом режиме. Электронные ключи на биполярном и полевом транзисторе.

34. Ждущий мультивибратор. Физические процессы в ждущем мультивибраторе

35. Общие сведения о триггерах.

36. Определение логического элемента. Основные логические функции и логические элементы. Таблицы истинности основных логических элементов. Логические выражения.

37. Собрать схему для исследование выпрямительного диода и снять вольт-амперную характеристику. Повышая напряжение в прямом направлении от 0 до 6 В, а в обратном от нуля до 150 В.

Собрать схему для исследования работы стабилитрона. Снять вольт-амперную характеристику. Повышать напряжение от 0 до 10 В.

63. Собрать схему для исследования работы биполярного транзистора, включенного с общей базой (ОБ) и снять входную характеристику транзистора. Ukb=0 В. а напряжение Ueb повышать от 0 до 1200мВ, и так же выполнить измерения при Ukb=30 В.

64. Собрат схему для исследования работы биполярного транзистора включенного с общей базой (ОБ) и снять выходную характеристику транзистора, для этого нужно установить ток Ie=50 мкА и повышать напряжение Uke= от 0 до 60 В.(через каждые 5 В), отмечая ток Ik. Затем измерить значение Ik при
Ie=100 мкА и Ie=150 мкА. И составить график семейства выходных статических характеристик.

65. Собрать схему и исследовать работу биполярного транзистора включенного с общим эмиттером (ОЭ) и снять семейство входных статических характеристик. Напряжение Uke= 0 В и повышать напряжение Ube= от 0 до 1200 мВ, через каждые 100 мВ, отмечая значения Ib. Тоже самое сделать при Ube= 5 В и построить график семейства входных статических характеристик транзистора.

66. Собрать схему и исследовать работу биполярного транзистора включенного с общим эмиттером (ОЭ) и снять семейство выходных статических характеристик. Установить Ib= 50 мкА и повышать напряжение Uke= от 0 до 24 В, через каждые 2 В, отмечая значение тока Ik, аналогично выполнить измерения для других значений напряжения Ib= 100 мкА и Ib= 150 мкА. По данным составить график семейства выходных статических характеристик.

67. Исследовать работу полевого транзистора, включенного с общим истоком и снять входную характеристику. Необходимо установить Uzi= 0 В и повышать напряжение Usi от 0 до 24 В, повышая напряжение через каждые 2 В, отмечая значения тока Is. Тоже самое сделать при напряжении Uzi= 1 В и Uzi= 2 В. По полученным данным построить график семейства входных статических характеристик.

68. Исследовать работу полевого транзистора, включенного с общим истоком и снять семейство вольт-амперных статических характеристик. Необходимо установить напряжение Usi= 5 В и повышать напряжение Uzi = от 0 до 6 В, через каждые 1 В. Отмечая значение тока Is. Тоже самое измерить при Usi = 10 В, а затем Usi = 15 В. По полученным данным построить график семейства статических характеристик прямой передачи исследуемого транзистора.

69. Исследование работы фотоизлучателя и определить минимальный ток, при котором светодиод зажигается. На источнике постоянного напряжения U1 от 1 до 15 В и измерить значения тока I1.

70. Исследование работы автоколебательного мультивибратора. Собрать схему и измерить длительность импульса.

71. Провести исследование триггера Шмитта с разными способами запуска. Измерить длительность и амплитуду выходных импульсов.

72. Провести исследование резистивного каскада предварительного усилителя. Снять амплитудно-частотную характеристику. Определить коэффициент усиления для каждой частоты.

73. Исследовать повторитель напряжения. Определить коэффициент усиления по напряжению. Оценить влияние сопротивления нагрузки на коэффициент усиления по току.

74. Провести исследование импульсного усилителя. Оценить влияние частоты на форму выходного сигнала импульсного усилителя.

75. Исследование однотактного трансформаторного каскада. Оценить влияние сопротивления нагрузок на величину входного сопротивления.

76. Провести исследование фазоинверсного каскада. Оценить влияние сопротивления нагрузок на величину входного сопротивления.

77. Исследовать двувходного усилителя на операционном усилителе в режиме усилителя постоянного тока. Опытным путем определить коэффициенты усиления инвертирующего и неинвертирующего усилителя на ОУ.

78. Провести исследование активных фильтров нижних частот. Опытным путем снять и проанализировать амплитудно-частотную характеристику активного ФНЧ.

79. Провести исследование активного фильтра верхних частот. Опытным путем снять и проанализировать амплитудно-частотную характеристику активного ФНЧ.

80. Проверить на работоспособность данную схему

Критерии оценки:

Оценка	Критерии
	«отлично»»	Ответ на все три вопросы
	«хорошо»	Ответ на два вопроса
	«удовлетворительно»	Ответ на один вопрос
	«неудовлетворительно»	Ни на один вопрос ответ не дан

г)Время выполнения каждого задания: 20 мин.

д) Оборудование, разрешённое для выполнения заданий (перечислить):

- компьютеры;

- методические указания.

е) Литература для студента:

Учебник:

Фролов В.А. Электронная техника: учебник в 2 ч. – М.: ФГБОУ «Учебно-методический центр по образованию на железнодорожном транспорте», 2015

Ч.1 : Электронные приборы и устройства. – 532с.

Ч.2 : Схемотехника электронных схем. – 611с.

Справочник:

Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. Под ред. Б.Л. Перельмана М., Сов. радио, 1980