Зразок оформлення переліку елементів
Поз. позначення | Найменування | Кіл. | Примітка |
Конденсатори | |||
С1 | К73-11-160 В – 1,0 мкФ ± 10% | ||
С2, С3 | К50-29-63 В – 1000 мкФ ± 20% | ||
Аналогові мікросхеми | |||
DA1 | К140УД6 | ||
DA2, DA3 | К140УД14 | ||
Резистори | |||
R1 | МЛТ-0,5 – 300 кОм ± 5% | ||
R2 | С2-33Н-0,25 – 4,7 кОм ± 5% | ||
R3, R4 | МЛТ-0,25 – 2,2 кОм ± 5% | ||
Транзистори | |||
VT1 | КТ3102Е | ||
VT2…VT4 | КТ815В |
Елементи записують в перелік групами у алфавітному порядку буквених позиційних позначень. В межах кожної групи, яка має однакові буквені позначення, елементи розташовують у порядку збільшення їх номерів. Елементи одного типу з однаковими електричними параметрами, які мають на схемі послідовні порядкові номера, допускається записувати до переліку в одну строку. В цьому випадку у графі «Поз. позначення» записуються тільки позиційні позначення з найменшим та найбільшим порядковими номерами, наприклад: R3…R5, C8…C12, а у графі «Кіл.» – загальна кількість таких елементів. В табл. 6 наведений зразок оформлення переліку елементів.
БІБЛІОГРАФІЧНИЙ СПИСОК
1. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры [Текст]: справочник / под ред. Э. Т. Романычевой. – М.: Радио и связь, 1989. – 448 с.
2. Каллер, М. Я. Теоретические основы транспортной связи [Текст] / М. Я. Каллер, А. Ф. Фомин. – М.: Транспорт, 1989. – 383 с.
3. Федоров, Н. Е. Современные системы автоблокировки с тональными рельсовыми цепями [Текст] / Н. Е. Федоров. – Самара: СамГАПС, 2004. – 132 с.
4. Лавриненко, В. Ю. Справочник по полупроводниковым приборам [Текст] / В. Ю. Лавриненко. – К.: Техніка, 1984. – 424 с.
5. Транзисторы для аппаратуры широкого применения [Текст]: Справочник / под ред. Б. Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981. – 656 с.
6. Терещук, Р. М. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства [Текст]: справочник радиолюбителя / Р. М. Терещук, К. М. Терещук, С. А. Седов. – К.: Наук. думка, 1987. – 800 с.
7. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы [Текст]: справочник / под ред. С. В. Якубовского. – М.: Радио и связь, 1990. – 496 с.
8. Нестеренко, Б. К. Интегральные операционные усилители [Текст] / Б. К. Нестеренко. – М.: Энергоатомиздат, 1982. – 128 с.
9. Джонсон, Д. Справочник по активным фильтрам [Текст]: пер. с англ. / Д. Джонсон, Дж. Джонсон, Г. Мур. – М.: Энергоатомиздат, 1983. – 128 с.
10. Гутников, В. С. Интегральная электроника в измерительных устройствах [Текст] / В. С. Гутников. – Л.: Энергоатомиздат, 1988. – 304 с.
11. Колонтаєвський, Ю. П. Промислова електроніка та мікросхемотехніка [Текст] / Ю. П. Колонтаєвський, А. Г. Сосков. – К.: Каравела, 2003. – 368 с.
12. Шило, В. Л. Популярные цифровые микросхемы [Текст]: справочник / В. Л. Шило. – М.: Радио и связь, 1987. – 352 с.
Додаток А
ПАРАМЕТРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ
Таблиця А.1
Параметри біполярних транзисторів
Тип транзистора | fгр, МГц | h21е | Uке нас, В | Uбе нас, В | Uке доп, В | Iк доп, мА | Pк доп, мВт |
Транзистори n-p-n | |||||||
КТ312А | 10-100 | 0,8 | 1,1 | ||||
КТ312Б | 25-100 | ||||||
КТ312В | 50-280 | ||||||
КТ315А | 20-90 | 0,4 | 1,1 | ||||
КТ315Б | 50-350 | ||||||
КТ315В | 20-90 | ||||||
КТ315Г | 50-350 | ||||||
КТ315Д | 20-90 | ||||||
КТ315Е | 50-350 | ||||||
КТ3102А | – | 100-250 | – | – | |||
КТ3102Б | 200-500 | ||||||
КТ3102В | 200-500 | ||||||
КТ3102Г | 400-1000 | ||||||
КТ3102Д | 200-500 | ||||||
КТ3102Е | 400-1000 | ||||||
КТ815А | ³40 | 0,6 | – | 1,5×103 | 10×103 | ||
КТ815Б | ³40 | ||||||
КТ815В | ³40 | ||||||
КТ815Г | ³30 | ||||||
КТ817А | ³20 | – | 3×103 | 20×103 | |||
КТ817Б | ³20 | ||||||
КТ817В | ³20 | ||||||
КТ817Г | ³15 | ||||||
КТ819А | ³15 | – | 10×103 | 60×103 | |||
КТ819Б | ³20 | ||||||
КТ819В | ³15 | ||||||
КТ819Г | ³12 | ||||||
Транзистори p-n-p | |||||||
КТ209А | – | 20-60 | 0,4 | 1,5 | |||
КТ209Б | 40-120 | ||||||
КТ209В | 80-240 | ||||||
КТ209Г | 20-60 | ||||||
КТ361А | 20-90 | 0,4 | – | ||||
КТ361Б | 50-350 | 0,4 | |||||
КТ361В | 20-90 | 0,4 | |||||
КТ361Г | 50-350 | 0,4 | |||||
КТ361Д | 20-90 | ||||||
КТ361Е | 50-350 | ||||||
КТ3107А | 70-140 | 0,2 | 0,8 | ||||
КТ3107Б | 120-220 | ||||||
КТ3107В | 70-140 | ||||||
КТ3107Г | 120-220 | ||||||
КТ3107Д | 180-460 | ||||||
КТ3107Е | 120-220 | ||||||
КТ814А | ³40 | 0,6 | – | 1,5×103 | 10×103 | ||
КТ814Б | ³40 | ||||||
КТ814В | ³40 | ||||||
КТ814Г | ³30 | ||||||
КТ816А | ³20 | – | 3×103 | 20×103 | |||
КТ816Б | ³20 | ||||||
КТ816В | ³20 | ||||||
КТ816Г | ³15 | ||||||
КТ818А | ³15 | – | 10×103 | 60×103 | |||
КТ818Б | ³20 | ||||||
КТ818В | ³15 | ||||||
КТ818Г | ³12 |
Примітка: fгр – гранична частота коефіцієнту передачі за струмом; h21е – коефіцієнт передачі за струмом в схемі із загальним емітером; Uке нас – напруга насичення колектор-емітер; Uбе нас – напруга насичення база-емітер; Uке доп – допустима напруга колектор-емітер; Iк доп – допустимий струм колектора; Pк доп – допустима потужність розсіювання на колекторі.
Таблиця А.2
Параметри напівпровідникових діодів
Тип діода | tвос, нс | Сд макс, пФ | Uзвор макс, В | Iпр макс, мА | Iпр і макс, мА |
Д220А | |||||
Д220Б | |||||
КД503А | |||||
КД503Б | |||||
КД509А | |||||
КД510А | |||||
КД512А | |||||
КД520А | |||||
КД522А | |||||
КД522Б |
Примітка: tвос – час відновлення зворотного опору діода; Сд макс – загальна ємність діода; Uзвор макс – максимально допустима зворотна напруга; Iпр макс – максимально допустимий прямий струм; Iпр і макс – максимально допустимий прямий імпульсний струм.
Таблиця А.3