Структура запоминающих устройств, характеристики зу. классификация устройств памяти

Адресные ЗУ представлены в классификации статическими и динамическими оперативными устройствами и памятью типа ROM. Многочисленные варианты этих ЗУ имеют много общего с точки зрения структурных схем, что делает более рациональным не конкретное рассмотрение каждого ЗУ в полном объеме, а изучение некоторых обобщенных структур с последующим описанием запоминающих элементов для различных ЗУ.
Общность структур особенно проявляется для статических ОЗУ и памяти типа ROM. Структуры динамических ОЗУ имеют свою специфику. Для статических ОЗУ и памяти типа ROM наиболее характерны структуры 2D, 3D и 2DM.
В структуре 2D, запоминающие элементы ЗЭ организованы в прямоугольную матрицу размерностью
структура запоминающих устройств, характеристики зу. классификация устройств памяти - student2.ru
где М - информационная емкость памяти в битах; k - число хранимых слов; m - их разрядность.
Структура типа 2D применяется лишь в ЗУ малой информационной емкости, т. к. при росте емкости проявляется несколько ее недостатков, наиболее очевидным из которых является чрезмерное усложнение дешифратора адреса (число выходов дешифратора равно числу хранимых слов).
Структура 3D позволяет резко упростить дешифраторы адреса с помощью двухкоординатной выборки запоминающих элементов. Принцип двухкоординатной выборки поясняется на рисунке 17 на примере ЗУ типа ROM, реализующего только операции чтения данных. Здесь код адреса разрядностью n делится на две половины, каждая из которых декодируется отдельно. Выбивается запоминающий элемент, находящийся на пересечении активных линий выходов обоих дешифраторов. Таких пересечений будет как раз
структура запоминающих устройств, характеристики зу. классификация устройств памяти - student2.ru
с одноразрядной организацией.
структура запоминающих устройств, характеристики зу. классификация устройств памяти - student2.ru
Суммарное число выходов обоих дешифраторов составляет
структура запоминающих устройств, характеристики зу. классификация устройств памяти - student2.ru

Структура 2DM.ЗУ типа ROM изображенной на рисунке 18 структуры 2DM для матрицы запоминающих элементов с адресацией от дешифратора DCx имеет как бы характер структуры 2D: возбужденный выход дешифратора выбирает целую строку. Однако в отличие от структуры 2D, длина строки не равна разрядности хранимых слов, а многократно ее превышает. При этом число строк матрицы уменьшается и, соответственно, уменьшается число выходов дешифратора. Для выбора одной из строк служат не все разряды адресного кода, а их часть Аn-1 ... Аk. Остальные разряды адреса (от Ak -1 до A0) используются, чтобы выбрать необходимое слово из того множества слов, которое содержится в строке. Это выполняется с помощью мультиплексоров, на адресные входы которых подаются коды Ak –1 ... Aq.

Длина строки равна m2k, где m - разрядность хранимых слов.
Из каждого "отрезка" строки длиной 2к мультиплексор выбирает один бит. На выходах мультиплексоров формируется выходное слово. По разрешению сигнала CS, поступающего на входы ОЕ управляемых буферов с тремя состояниями, выходное слово передается на внешнюю шину.
Данные в нужный отрезок этой строки записываются (или считываются из нее) управляемыми буферами данных BD, воспринимающими выходные сигналы второго дешифратора DCY, и выполняющими не только функции мультиплексирования, но и функции изменения направления передачи данных под воздействием сигнала R/W.

структура запоминающих устройств, характеристики зу. классификация устройств памяти - student2.ru 18. КЛАССИФИКАЦИЯ П/П ЗУ. РАЗНОВИДНОСТИ И ОСОБЕННОСТИ РАБОТЫ СТАТИЧЕСКИХ ОЗУ.

Наши рекомендации