Порядок расчета программируемых параметров

Задание характеристик:

Задание варьируемых параметров:

Результаты можно получить либо в виде графика, либо в виде таблицы.

Пример задания студенту

Студенту задано:

1. Парциальное давление силана

2. Парциальное давление фосфина

3. Температура

4. Габариты реактора

Задание:

1. При заданном полном давлении газа в реакторе определить максимальную скорость роста пленки поликремния при максимально возможном радиусе

пластины и при минимальном расстоянии между пластинами при соблюдении максимального выхода.

2. При заданном радиусе пластины определить максимальную скорость роста при минимальном расстоянии между пластинами и полном удалении

Практические указания

Моделирование процесса осаждения тонких пленок поликремния из химической паровой фазы при низком давлении (LPCVD-процесс) с одновременным легированием начинается с задания параметров процесса, таких как: радиус пластины, расстояние между пластинами, радиус реактора, длина реактора, температура пластины, полное давление газа в реакторе, парциальное давление силана и парциальное давление фосфина.

Далее студенту предстоит выбрать варьируемый параметр и его пределы: радиус пластины, расстояние между пластинами, радиус реактора, длина реактора, температура пластины, полное давление газа в реакторе, парциальное давление силана и парциальное давление фосфина, текущий радиус пластины. Имеется возможность начать процесс сначала, нажав кнопку «Назад». Программа предусматривает выдачу данных о величинах.

Совокупность всех получаемых в результате расчета данных позволяет выбрать оптимальный режим процесса получения поликремниевых слоев с заданными свойствами.

Требования к отчету

Отчет должен содержать:

1. Титульный лист.

2. Цель работы.

3. Краткий конспект.

4. Результаты выполнения лабораторной работы представить в виде описания используемых материалов и компонентов.

5. Выводы по работе.

Контрольные вопросы.

1. Какие функции выполняют полупроводниковые пленки в микроэлектронике?

2. Какой метод используется в микроэлектронике для создания пленки поликремния?

3. Опишите процесс восстановления тетрахлорида кремния водородом.

4. Опишите процесс восстановления трихлорсилана водородом.

5. Объясните конструкцию реакторов в процессе производства поликристаллических пленок.

6. Расскажите как определяется скоростьи осаждения пленки поликремния.

Список литературы:

1 Осадин Б. А, Шаповалов Г. И. Физика и химия обработки материалов, № 5, с. 43, 1976.

2 Холленд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. М., Госэнергоиздат, 1963.

3 Чистяков Ю. Д., Ивановский Т. Ф., Ушаков В. А., Попов Л. В., Кожитов Л. В. Электронная техника, сер. Материалы, вып. 6, с. 20, 1970.

4 Александров Л. Н. Процессы роста и структуры монокристаллических слоев полупроводников, ч. 1. Новосибирск, «Наука», 1988.

5 Иванов Р. Д. Катодный метод создания пленочных элементов микросхем. М., «Энергия», 1992

6 Колешко В. М., Ковалевский А. А., Калошкин Э. П., Рыжикова Н. Е. Кинетика осаждения и свойства тонких высоколегированных поликристаллических пленок кремния, полученных методом пиролиза моносилана. Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, т.13, № 6, с.941, 1977.

7 Ковалевский А. А., Некарюкин И. В., Рыжикова Н. Е. Комплексная микроминиатюризация и повышение качества радиоэлектронной аппаратуры. Минск, МРТИ,1976

8 Колешко В. М., Ковалевский А. А., Некарюкин И. В. Влияние технологических факторов на величину поверхностного сопротивления поликристаллических пленок кремния. Электронная техника, сер. Материалы, вып. 7, с.45, 1985.

9 Волькенштейн Ф. Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. М., «Наука», 1973.

10 Уикс В. Е Электроника (рус.пер.), т. 49, № 12, с.39, 1996.

11 Шварц Н., Берри Р. Физика тонких пленок, т.2. Под ред. Н. И. Елипсова и В. Б. Сандомирского. М., «Мир», 1976.

12 Кресин О. М., Харинский А. Л. Электронная техника, сер. Микроэлектроника, вып. 5, с. 24, 1967.

13 В.В.Нечаев, А.С.Турцевич. Моделирование процесса осаждения поликремния из газовой фазы. М., 1989.

14 http://avl.iatp.by/edu progs.htm

15 Нашельский А. Я. Технология полупроводниковых материалов. - М.: Москва: Металлургия, 1993.