Для формирования проводящих дорожек
Поликремний осаждается путем пиролиза (разложения) силанапри температуре 600°-650°С в реакторах, работающих при пониженном давлении:
Этот метод позволяет получать пленки однородного состава, а также вести процесс при низкой температуре с высокой скоростью осаждения.
Поликремний, осаждаемый при температуре 600°-650°С, имеет столбчатую структуру с размером зерен 0,03 - 0,3 мкм.
Поликремний может быть легирован путем диффузии, ионной имплантации или введением легирующих добавок в газовую смесь в ходе осаждения пленок. В ходе легирования происходит рост зерен до размера 0,5 - 1 мкм.
Тема Фотолитография
Урок
Фотолитография. Назначение основных операций.
Фотолитография - это многооперационный процесс, целью которого является получение рисунка нужной конфигурации на поверхности подложки с помощью ультрафиолетового света и светочувствительного вещества - фоторезиста.
В переводе с греческого языка фотолитография означает: "рисую с помощью света на камне".
Все операции фотолитографии выполняют в 3 этапа:
I. Формирование на поверхности подножки светочувствительного слоя (фоторезиста) определённой толщины.
II. Формирование рисунка (защитного рельефа) в слое фоторезиста.
III. Формирование рисунка на поверхности подложки (в слое плёнки, нанесённой на эту подложку).
Примечание: любую плёнку (SiO2 , Si3N4, ФСС, поликремния, алюминия), нанесённую на поверхность подложки, называют технологическим слоем.
Последовательность выполнения основных операций фотолитографии.
1. Подготовка поверхности подложки
2. Нанесение фоторезиста I этап
3. Сушка фоторезиста
4. Совмещение и экспонирование
5. Проявление фоторезиста II этап
6. Задубливание фоторезиста
7. Травление технологического слоя Ш этап
8. Удаление фоторезиста
I этап. Поверхность подложек предварительно очищают, чтобы удалить загрязнения с
поверхности и обеспечить высокую смачиваемость поверхности фоторезистом и адгезию (сцепляемость с поверхностью) фоторезиста.
Затем на подложки тонким слоем наносят фоторезист и сушат его для удаления из него растворителя:
![]() |
I I этап. Совмещение и экспонирование – это две различные операции, но выполняются на
одной установке. На операции совмещения рисунок на подложке (полученный на предыдущей фотолитографии) совмещают с рисунком на фотошаблоне
(фотошаблон - стеклянная пластина с нанесённым на неё непрозрачным плёночным рисунком). На операции экспонирования слой фоторезиста засвечивают через фотошаблон ультрафиолетовым светом:
На операции проявления под действием проявителей вымываются участки фоторезиста. Если фоторезист позитивный –вымываютсязасвеченные ультрафиолетовым светом участки;
если фоторезист негативный –вымываются незасвеченныеучастки:
а) Позитивный фоторезист б) Негативный фоторезист
Затем слой фоторезиста задубливают (термообрабатывают), чтобы повысить химическую стойкость и адгезию фоторезиста.
Ш этап. На операции травления под действием травителя травятся участки технологического слоя, не защищенные фоторезистом:
а) б)
а) б) |
После травления технологического слоя фоторезист удаляется, а на подложке остаётся рельефный рисунок технологического слоя, переданный с фотошаблонапри помощи фоторезиста:
![]() |
Урок