Будова озп. озп статичного типу. озп динамічного типу.

Елементна база ОЗП.Оперативно запам’ятовуючий пристрій організовано на мікросхемах з динамічними елементами DRAM (Dynamic Random Access Memory) – динамічна пам’ять з довільним доступом. В основі роботи комірки динамічної пам’яті лежить принцип заряду-розряду паразитичної ємності (конденсатора).

Оскільки конденсаторам властиві саморозряд то динамічні комірки періодично під заряджаються (регенерують), відновлюючи таким чином частину потенціалу загубленого за рахунок саморозряду.

На відміну від комірок динамічної пам’яті, комірки пам’яті SRAM (Static RAM – статична пам’ять з довільним доступом) заряд не втрачають, а втрачають його тільки при відключенні живлення.

Комірки SRAM мають таку особливість завдяки наявності в них тригерів – електронних фіксаторів, зберігаючи стан “включено” і “виключено”. Мікросхеми SRAM дуже громіздкі тому створювати статичну пам’ять високої ємності поки не вдається. Статична пам’ять використовується для організації кеш-пам’яті, а динамічна для оперативної пам’яті комп’ютера.

В теперішній час в комп’ютерах широко використовуються такі різновидності динамічної пам’яті, як SDRAM – синхронна динамічна пам’ять з довільним доступом і RDRAM (Rambus RAM).

Технологія синхронної динамічної пам’яті дозволяє суттєво зменшити затрати часу на доступ до комірок.

Мікросхема синхронної пам’яті – це комплексний модуль, який увібрав в себе багато функцій, властивих системному контролеру оперативної пам’яті. SDRAM використовуються на 64-розрядній-системній шині даних і тактовій частоті до 133 мГц.

Завдяки організації внутрішнього блоку керування функціями, вбудована шина і інші апаратні вузли працюють синхронно з зовнішньою тактовою частотою системної плати.

На відміну від модулів пам’яті інших типів, маркіровка SDRAM відображає не час доступу до даних в комірках, а тактову частоту. Для роботи на частоті шини 100 мГц використовуються модулі з часом доступу 7-8 нс.

Системна організація синхронної пам’яті RDRAM передбачає використання 16-розрядної системної шини на тактовій частоті 400 мГц. Пам’ять RDRAM-білш швидка (1,6 Гбайт/с), ніж SDRAM, використовуючи вбудовану замкнуту систему керування з добре розвинутою внутрішньою структурою магістралі даних. Доступ до даних чітко синхронізований не залежить від числа розміщення модулів пам’яті. Існують дві різновидності RDRAM – Concurrent Rambus і Direct Rambus. Пам’ять другого типу працює швидше.

Оперативний запам’ятовуючий пристрій поставляється в комп’ютери в вигляді модулів з однієї або з двох сторін яких розпаяні мікросхеми пам’яті.

DDR SDRAM (від англ. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory - синхронна динамічна пам'ять з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних) - тип комп'ютерної пам'яті , яка використовується в обчислювальній техніці в якості оперативної і відеопам'яті. Прийшла на зміну пам'яті типу SDRAM .

При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, ніж у SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту , як в SDRAM, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті. Таким чином, при роботі DDR на частоті 100 МГц ми отримаємо ефективну частоту 200 МГц (при порівнянні з аналогом SDR SDRAM). У специфікації JEDEC є зауваження, що використовувати термін «МГц» в DDR некоректно, правильно вказувати швидкість «мільйонів передач в секунду через одне виведення даних».

Специфічним режимом роботи модулів пам'яті є двоканальний.

Контрольні запитання