Электрические модели приборов

В качестве примера рассмотрим биполярный транзистор. Так коэффициент передачи тока одномерного биполярного транзистора (БТ), включенного по схеме с общим эмиттером, можно записать следующим образом:

Электрические модели приборов - student2.ru ,

где g - эффективность эмиттера;

aТ – коэффициент переноса.

Электрические модели приборов - student2.ru ;

Электрические модели приборов - student2.ru .

Физико-топологические модели

Пусть мы имеем гибридную интегральную микросхему. В качестве примера физико-топологической модели гибридной ИМС можно привести следующую:

Электрические модели приборов - student2.ru .

Электрические модели приборов - student2.ru

Рис. 9. Физико-топологическая модель гибридной ИМС

Электрические модели приборов - student2.ru

Характеризует удельное поверхностное сопротивление.

Здесь N- число квадратов резистивного элемента; Электрические модели приборов - student2.ru - отношение площади контактных площадок к площади резистивного слоя (по всем элементам); b- ширина резистивного слоя, l – контактная площадка.

Данная модель может быть использована для обоснования технологических ограничений при проектировании прицензионно - резистивных плат.

В качестве аналогичного примера для полупроводниковой микросхемы можно рассмотреть модель подвижности основных носителей заряда. При небольших концентрациях легирующих примесей можно использовать следующее эмпирическое выражение:

Электрические модели приборов - student2.ru ,

где СТАД - полная концентрация легирующих примесей; причем для электронов Электрические модели приборов - student2.ru ; Электрические модели приборов - student2.ru ; Электрические модели приборов - student2.ru ; Электрические модели приборов - student2.ru ; для дырок соответственно Электрические модели приборов - student2.ru ; Электрические модели приборов - student2.ru ; Электрические модели приборов - student2.ru ; Электрические модели приборов - student2.ru .

Зависимость подвижности от напряженности электростатического поля описывается следующим соотношением:

Электрические модели приборов - student2.ru ,

где Е – напряженность поля; Электрические модели приборов - student2.ru - подвижность в слабых полях; Электрические модели приборов - student2.ru =2; Электрические модели приборов - student2.ru ; Электрические модели приборов - student2.ru - скорость носителей заряда (зависит от температуры); причем максимальные скорости носителей заряда Электрические модели приборов - student2.ru и Электрические модели приборов - student2.ru не зависят от концентрации примесей.

Технологические модели

В качестве примера рассмотрим математическую модель технологического процесса изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплава РС3710.

Для получения модели был проведен полный факторный эксперимент, типа ПФЭ-23. В качестве основных технологических факторов используют следующие:

1) температуру испарения – Х1;

2) температуру подложки – Х2;

3) толщину резистивного слоя (d) – Х3.

Были получены следующие уравнения регрессии:

Электрические модели приборов - student2.ru ;

Электрические модели приборов - student2.ru Электрические модели приборов - student2.ru ;

Электрические модели приборов - student2.ru ;

Электрические модели приборов - student2.ru ;

tСТ - время отжига;

КСТ=1,0767 – 0,0175Х3; Kсп.= Электрические модели приборов - student2.ru SOC/ Электрические модели приборов - student2.ru Sст.

Х1=1823-1623 К; Х2=300-400 0С; Х3=200-400 Электрические модели приборов - student2.ru .

Другим примером может служить модель адгезии контактных площадок типа хром – медь, нанесенных на ситалловую подложку.

На основании априорной информации были выбраны следующие технологические факторы:

1. температура подложки при напылении подслоя хрома;

2. скорость термического осаждения подслоя хрома;

3. степень вакуума в подколпачном устройстве;

4. толщина подложки хрома;

5. срок хранения подложки после химической очистки.

Был проведен анализ степени значимости выбранных технологических факторов. Он проводился методом отсеивающих экспериментов. В результате было установлено, что значимыми являются только два технологических фактора: Х1 – температура подложки при напылении подслоя хрома; Х2 – скорость термического осаждения подслоя хрома. Математическая модель технологического процесса напыления подслоя хрома имеет следующий вид:

Электрические модели приборов - student2.ru , где Y – величина адгезии слоя ситалловой подложки.

Х1=300 0С; Х2=6 Электрические модели приборов - student2.ru .

Стоимостные модели

В качестве примера можно привести стоимость кристалла полупроводниковой микросхемы (или платы гибридной микросхемы).

Электрические модели приборов - student2.ru .

Эту формулу можно преобразовать через площадь.

SП – площадь подложки; Ск – стоимость проведения k-ой технологической операции изготовления ИМС; С0 – стоимость подложки; N – число кристаллов на одной подложке; SИМС – площадь, занимаемая одним кристаллом; РП – доля годных ИМС на одной подложке, %; М – число операций; S0 – стоимость подложки.

Надежностные модели

Рассмотрим резистивную тонкопленочную микросхему. Основным элементом являются тонкопленочные резисторы. Если процесс деградации определяется диффузией, то выражение для интенсивности отказов тонкопленочных резисторов (ТПР) ИМС можно представить следующим образом:

Электрические модели приборов - student2.ru ,

где b – ширина резистивного слоя;

t – текущее время;

t0 – среднее время до отказа.

Наши рекомендации