Энергия магнитной кристаллографической анизотропии

Если зависимость энергии магнетика от взаимной ориентации его магнитных моментов связана с обменом, то зависимость его энергии от направления намагниченностей относительно кристаллографических осей определяется так называемой энергией магнитной анизотропии. Обычно рассматривают два типа взаимодействий: диполь-дипольном и одноионном. Рассматривая диполь-дипольное взаимодействие говорят о магнитном взаимодействии между дипольными магнитными моментами отдельных атомов.

Очень часто основной вклад в энергию магнитной кристаллографической анизотропии дает так называемая одноионная анизотропия, обусловленная тем, что магнитной анизотропией (зависимость энергии от направления магнитного момента) обладает уже отдельный магнитный ион, находящийся в кристаллической решетке. Грубо говоря, орбитальный магнитный момент благодаря кристаллическому полю определенным образом ориентируется относительно кристаллографических осей, а спиновый магнитный момент, в свою очередь, «привязывается» спин-орбитальным взаимодействием к орбитальному моменту, что и приводит в итоге к одноименной анизотропии.

Оба механизма определяют энергию, существенно зависящую от ориентации магнитных моментов по отношению к кристаллографическим осям. Соответствующая энергия анизотропная.

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru (2.1.5)

Энергия Дзялошинского

Существуют антиферромагнитные кристаллы, в которых магнитные моменты подрешеток упорядочены не точно антипараллельно, а с небольшим скосом. Взаимодействие, противодействующее обмену, вызывающее скос называется энергией Дзялошинского. По природе – это обменнорелятивистское взаимодействие.

Обычно угол скоса не велик, это значит, что энергия Дзялошинского слабее обменного взаимодействия.

Упругая энергия

Упругая энергия – энергия кристаллической решетки, точнее ее переменной части, связанной с упругими деформациями кристалла.

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru

Явный вид тензора модулей упругости (упругих жесткостей) определяется симметрией кристалла. Здесь мы ограничимся учетом только так называемых акустических типов упругих колебаний решетки. Это не колебания, для которых смещение всех атомов в элементарной ячейке имеют одинаковую фазу (вся элементарная ячейка смещается как одно целое). Фактически это есть обычный звук, для которого характерно то, что частота может быть сколько угодно низкой, обращаясь в ноль при волновом векторе Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru . Другие (так называемые оптические) типы колебаний, минимальная частота которых обычно велика по сравнению с указанными частотами, в большинстве случаев не играют существенной роли в интересующих нас длинноволновых и низкочастотных процессах и могут таким образом не рассматриваться. Указанное обстоятельство проявилось в том, что ни компоненты тензора деформации Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru , ни упругие модули Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru не зависят от номеров подрешеток.

Магнитоупругая энергия

Взаимная связь между магнитным и упругим состояниями магнетика обусловлена так называемым магнитоупругим (МУ) взаимодействием. Энергию этого взаимодействия можно представить как изменение энергии магнитных (обменных и магнитоанизотропных) взаимодействий, вызванное упругими деформациями. Деформация кристалла ведет к изменению взаимодействия между магнитными моментами атомов, поскольку изменяется расстояние между ними. И наоборот изменение ориентации магнитных моментов деформирует кристалл. МУ взаимодействие относится к разряду сравнительно слабых взаимодействий в магнитных кристаллах. Но в некоторых случаях, МУ взаимодействие может оказаться определяющим для многих свойств магнитоупорядоченных веществ. К исследованию эффектов сильного проявления МУ взаимодействия до сих пор сохраняется не ослабевший интерес. Это относится, в частности, и к динамическому проявлению МУ – к магнитоакустике магнетиков. Впервые большой эффект влияния МУ взаимодействия на динамику магнетика наблюдался в 1963 г. В экспериментах Рудашевского и Шальниковой.

РАЗДЕЛ 3

ПОСТРОЕНИЕ СИММЕТРИЙНЫХ ИНВАРИАНТОВ

3.1.Инварианты упругой энергии

Изменение свободной энергии при изотермическом сжатии кристалла является квадратичной функцией тензора деформации. Эта функция содержит большое число независимых коэффициентов.

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru . (3.1)

Тензор деформации симметричен: т.е. uab = uba. Отсюда видно, что произведение uabugd не меняется при перестановке индексов aсb, gсd или пары a, b с парой g, d. Очевидно, что и модули упругости должны быть определены так, чтобы они обладали такими же свойствами симметрии по отношению к перестановке индексов

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru . (3.2)

Путем простого подсчета можно убедиться в том, что число различных компонент тензора четвертого ранга, обладающего такими свойствами симметрии равно в общем случае 21 [95].

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru (3.3)

Наличие той или иной операции симметрии кристалла приводит к появлению зависимостей между различными компонентами тензора Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru , так что число его независимых компонент оказывается меньшим, чем 21.

Рассмотрим эти соотношения только для ромбоэдрической сингонии, к которой относится борат железа.

Потребуем выполнения уравнений (3.1) по отношению к упругой энергии (3.3).

Ось 2x эквивалентна преобразованию координат x® x, y® –y, z® –z. Компоненты тензора деформации преобразуются как произведения соответствующих двух координат. Поэтому ясно, что все компоненты с индексами x, y или x, z поменяют свой знак, а остальные останутся неизменными.

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru

Отсюда

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru (3.4)

Сравнивая формулы (3.3) и (3.4) мы видим, что для соблюдения равенства (3.1) необходимо выполнение следующих условий

Сxxxy = Cxxxz = Cxyyz = Cxyyy = Cxyzz = Cxzyy = Cxzyz = Cxzzz = 0.

Тогда

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru (3.5)

Теперь рассмотрим действие оператора 3z на упругую энергию. Для выяснения ограничений, налагаемых на компоненты тензора Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru , удобно произвести формальное преобразование, введя новую систему координат в базисной плоскости x, y. Тогда переход к новой системе координат может быть произведен посредством поворота системы координат на некий угол a (в нашем случае a = 2p/3).

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru , (3.6)

а отсюда

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru . (3.7)

Тогда для различных наборов тензоров деформации можно записать следующие выражения

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru (3.8)

Подставим соотношения (3.8) в уравнение (3.5)

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru(3.9)

Нетрудно видеть, что для выполнения условия (3.1) необходимо положить

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru (3.10)

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru (3.11)

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru (3.12)

Решив системы уравнений (3.10 – 3.12), мы нашли следующие соотношения между модулями упругости:

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ;

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru .

Отсюда может быть получена окончательная формула для упругой энергии

Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru (3.13)

В выражении (3.13) были использованы общепринятые обозначения индексов модулей упругих констант, в соответствии с которыми: Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru ; Энергия магнитной кристаллографической анизотропии - student2.ru .

Наши рекомендации