Переход от административного противоречия к техническому 6 страница

такого расклада. Можно себе представить, какая была бы

радость, если бы заговор удался!

Разработанный метод впоследствии я применил еще

несколько раз - он оказался очень удобным для разбраковки

пластин по толщине эпитаксиального слоя.

Конечно, один из интересных вопросов - как пришла мне в голову

мысль о двухзондовом методе?

По-видимому желание, доверие, сопротивление и еще

ряд факторов заставляют человека думать более интенсивно

и находить правильные решения.

Несомненно также то, что надо в своей области деятельности

не просто читать и знать свое дело, но и все время смотреть,

а что можно использовать, применить по другому, по новому.

Это известно, но все же обратим внимание, что и жесткие сроки

проведения работы тоже заставляют человека работать более

интенсивно, не просто сроки, но и ответственность за

порученную работу.

Результаты работы были опбликованы в /26/.

ТРИЗ И ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ

В исследованиях по ТРИЗ, ЖСТЛ и др., широко рекламируется

методология и анализа информации, патентного фонда,

биографии известных личностей - творческих людей.

На основе этого фонда, изучая его, можно получить нужную информацию,

увидеть закономерности. Выведя же из фонда закономерности,

приемы их можно распространить на новые решаемые задачи,

в принципе в виде аналогов - аналоги.

Однако, не надо забывать, что это статистика - одна

из древних профессий. Одновременно надо помнить, что при

таком подходе могут быть все время белые лебеди, и мы можем

не увидеть черного лебедя.

Наряду с таким подходом может быть и противоположный,

дополнительный метод. Он заключается в том, что можно

изучить одну биографию, одно изобретение и сделать

попытку выявить то, что важно, интересно, полезно,

что можно получить для дальнейшего применения.

Например, представляет громадный интерес биография

Г.С.Альтшуллера.

Что побудило его заняться изучением технического

творчества, разработкой АРИЗ, ТРИЗ?

Несомненно, исследователи ТРИЗ займутся этой проблемой

и найдут в ней массу интереснейших моментов, которые

смогут применять будущие тризовцы.

Меня же длительное время занимала одна проблема, одно

изобретение. Само по себе это изобретение не очень

значительно, на первый взгляд. Но сверхэффекты от него

даже не назвать громадными,- они просто фантастически

громадны!

Теперь, задним числом можно проследить историю создания

планарного транзистора, планарного процесса, и даже

его как бы предсказать.

Тем не менее, этот процесс предложила единственная фирма

в Америке и больше никто! Ни в СССР ни в Японии этого не

сделали! Почему?

У меня небольшое число изобретений, но все они

представляют собой некие вариации уже имеющихся изобретений.

Более того, например, заявка на ДФШ /дублированный

фотошаблон/ как выяснилося после отказного решения,

чуть-ли не слово в слово представляла собой японский

патент, хотя мы его не читали.

Условно все изобретения можно разделить на три группы:

К первой группе отнести такие изобретения, которые

опоздали, то есть на них уже не выдают АС - они уже

известны.

Ко второй группе - изобретения, заявки, которые приходят

одновременно, либо изобретения имеющие малые отличия.

К третьей же группе отнести изобретения, которые

делают отдельные личности, и они не только не предлагаются

еще кем-либо, но, к сожалению, не воспринимаются обществом.

С точки зрения восприятия обществом планарной технологии

повезло. Ее сразу начали осваивать, разрабатывать.

Появились положительные и отрицательные сверхэффекты, но об этом ниже.

А сейчас посмотрим, ведь и ТРИЗ, разработанная Г.С.Альтшуллером,

является изобретением третьей группы! Что интересно в

изобретении ТРИЗ?

Во-первых, значительное число людей знало и понимало,

что решение задач вобще происходит через формулирование

противоречия и его снятие.

Во-вторых, многие предполагали, что техника развивается

не хаотично, а по каким-то законам и воспринимается обществом.

С точки зрения воспринятия техническим обществом

планарной технологии повезло. Как мы уже говорили,

многие полагали, что техника развивается по каким-то законам.

Но... никто не взялся за разработку теории решения

изобретательских задач, кроме Альтшуллера. Почему?

Я думаю, что он не мог не сделать этого по целому

ряду причин - природным данным, воспитанию по отношению к

окружающей среде, работе и т.д.

И вот появилась ТРИЗ.

Теперь вернемся к планарному процессу. В чем его суть?

В чем его величие?

Уже были известны несколько процессов, которые как бы

подталкивали к их усовершенствованию. Назовем два из этих

процессов.

Была хорошо разработана теория и технология диффузии

примесей в кремний с целью получения диффузионных

р-п переходов - диодов. На рис.22 представлен этот процесс.

В пластины Si при высокой температуре порядка 1100'C в

среде диффузанта, например, бора, происходит диффузия

атомов бора. В том месте, где происходит линия раздела

между областями р и п типа проводимости и находится

р-п переход.

Обратите внимание - диффузия прошла по всей поверхности

пластины кремния. А надо бы научиться проводить диффузию локально,

в заданном месте. На пластину можно накапать капли воска,

а лишний кремний стравить.

На рис.22 показан такой прием. Но ведь это не технология!

Надо придумать защиту кремния, причем такую, чтобы через нее

не проходили, не диффундировали такие элементы, как

B, P, S6 и др.

По нашим представлениям ИКР выглядел бы как кремний

сам себя должен защищать, предохранять от проникновения

примесей из окружающей среды. Но кремний сам себя

защищать не может, а вот его соединение с кислородом, то

есть окисел кремния - может.

Таким образом, процесс будет выглядеть так. На поверхности кремния

выращивают окисел кремния из самого кремния, толщиной

0,5 мкм, а затем в окисле делают окна. Рис.23 видно, что

линия раздела между р и п областями выходит на поверхность

/черная точка/ и в том случае, когда линия закрыта окислом

кремния, р-п переходы получаются высоковольтными, с низкими токами

утечки, и что самое главное - стабильными.

Это связано с тем, что влажный воздух окружающей среды

не соприкасается с областями п и р типа проводимости

кремния.

Идея выращивать окисел SiO2 на Si и использовать его

в качестве защитной и стабилизирующей маски делает

прекрасные результаты и позволила начать разработку

планарных высокочастотных транзисторов.

С помощью этой технологии были разработаны в различных

странах самые разнообразные транзисторы - усилительные,

переключающие, мощные, маломощные, в/ч, св/ч,

низкошумящие и т.д.

А теперь давайтевоспользуемся аналогией!

ТРИЗ - это планарный транзистор, планарная технология.

Как стала дальше развиваться планарная технология?

Сначала на одном кристалле сделали два транзистора, потом

10, 100, 1000, 10000 ... 10 в пятой степени !

Для этого пришлось разработать новые процессы -

фотолитографии, ионной имплантации, сборки, метрики,

испытаний и т.д.

Но теперь уже один кристал стал выполнять функции целой

ЭВМ! Однако, до 10 в пятой степени элементов в одном

кристалле не дотянули.

Что стали делать дальше?

Начали создавать сверхкомпьютеры. Комбинируя параллельно

и поточные обработки, можно создавать сложные

многопроцессорные системы, содержащие те же планарные

транзисторы.

Есть ли дальнейшие пути продвижения вперед в области

планарной технологии?

Есть! Можно уменьшить размеры элементов, пробовать другой материал

и т.д.

А что ТРИЗ? По нашему мнению, наступил период, когда

она должна начать бурно развиваться. Конечно, должно

быть несколько АРИЗ - два, поли, поли разные. Например,

радиотехнический, для научных задач и т.д.

Сейчас работает одна часть, одна противоположность ИКР.

Мы стремимся навязать любой ТС, чтобы она сама

выполняла дополнительные функции. Но ведь есть и другое направление -

снятие с ТС функций и передача их другой, новой ТС.

Например, ряд принципов, найденных Альтшуллером,

недвусмысленно свидетельствуют об этом, например,

принцип внесения, принцип посредника и т.д.

Эта идея появилась в беседе с В.М.Герасимовым. Вот

интересно: эта идея не нова, но я ее понял только в разговоре.

Ведь это - целое направление.

Мы уже писали о сверхэффектах. По ним практически нет

ничего определенного, то есть нет руководства к действию,

а это тоже целое направление работ. Из их изучения можно

ожидать новых тенденций развития ТС.

И наконец, сам человек.

Мы молчаливо предполагаем, что каждый человек

может быть обучен решению технических задач с применением

ТРИЗ. Большой многолетний опыт показывает, что это не

совсем так.

Да, есть такие, которые решают задачи по АРИЗ.

Но есть и такие, которые, видя задачу, сразу дают правильные

ответы. Есть такие, которые только формулируют ИКР и не

доходят до ФП. Существуют и другие варианты решателей.

Для нас представляло бы большой интерес также знакоство

с людьми, которые после обучения АРИЗ действительно

решают задачи, чем больше пользуются и т.п.

Например, один из наших преподавателей решает задачи

примерно так. Он видит в задаче ИКР, функции, связи,

свойства. Он видит зрительно, что хочет получить сразу.

Вспоминает задачи-аналоги /причем иногда - антианалоги/.

И надо сказать, что простые задачи ему удаются.

Но ведь этому не научить другого! А сам он не может решать

по шагам, не может себя пересилить, он должен

чувствовать себя свободным при решении.

Мы не знаем, как человеку приходит мысль и поэтому

должны искать все новые и новые пути к побуждению,

возникновению мысли, правильной мысли.

На это должны быть направлены эгоистические побуждения, о которых

мы уже говорили - любовь, ненависть, упрямство, интерес,

любопытство, самоутверждение, желание заработать честно

и т.д. и т.п.

По-видимому, есть еще много, что нам надо узнать, чтобы

развить техническое творчество.

ЛИТЕРАТУРА

1.Электронная техника сирия 6. Материалы выпуск 3 (164) 1982 г.

В.В.Зарубин, С.А.Литвиненко, В.В.Митрофанов, В.И.Соколов

"Механизм образования пор в пленках двуокиси кремния

на кремний", стр.61-64.

2.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника

выпуск 3 1983 г. С.А.Литвиненко, В.В.Митрофанов,

В.И.Соколов "Исследование влияния условий формирования системы

кремний-окисел на ее электрофизические свойства", стр.42-48.

3.Электронная промышленность выпуск 4 (110) 1982 г.

С.А.Грамм, В.В.Митрофанов "Повышение качества фотошаблонов

для производства ИС", стр.54-58.

4.Философский словарь.

5.Москва, Изд. Политической литературы 1981 г.

6.А.Н.Аверьянов "Системное познание мира". Москва,

Изд. Политической литературы 1985 г.

7.Дерзкие формулы творчества. Петрозаводск, "Карелия"

1987 г., Г.С.Альтшуллер "Основные идеи ТРИЗ" стр.57-76.

8.Нить в лабиринте. Петрозаводск, "Карелия" 1988 г.,

Г.С.Альтшуллер "Маленькие необъятные миры", стр.169-229.

9.Е.Л.Фейнберг "Кибернетика, логика, искусство".

Москва "Радио и связь" 1981 г.

10.Сборник ВИМИ "РИПОРТ" N'16, 1976 г.

С.А.Литвиненко, В.В.Митрофанов, "О природе эффекта Тваймана".

11.Г.С.Альтшуллер, В.Л.Злотин, А.В.Зусман "Теория и практика

решения изобретательских задач", Кишинев, 1989 г., стр.20.

12.Журнал "Англия" 111 1989 г. "Ученый для ученых"

13.Журнал "Энергия" N'6 1989 г. "Еще одна угроза"

А.А.Федоряк.

14.Функционально-стоимостной анализ и методы технического творчества

Комплект материалов. ЛПЭО "Электросила" им. С.М.Кирова,

Ленинград, 1988 г., стр.26-27.

15.Станислав Старикович "Самое обычное животное", изд."Наука"

Библиотека журнала "Химия и жизнь" "Ода дождевому червю"

стр.7-78.

16 Физика твердого тела т.10 1968 г. Я.В.Дьяченко,

В.В.Митрофанов и др. "Влияние атомарного водорода,

выделяющегося с поверхности кремния, на образование скрытого

изображения в фотослоях", стр.3749-3751.

17.Физика твердого тела т.14 1972 г. В.В.Митрофанов, С.А.Смирнов,

В.А.Фогель "Об имиссии активированного водорода и перекиси

водорода со свежеобработанной поверхности твердых тел",

стр.913-915.

18.Физика твердого тела т.16 1974 г. В.В.Митрофанов,

В.А.Соколов "О природе эффекта Рассела", стр.2435-2437.

19.Сборник ЛЭТИ им.Ульянова /Ленина/. В.В.Митрофанов,

В.И.Соколов "Существуют ли экзоэлектроны Крамера", стр.100-102

УДК 535,533,2.

20.Химия традиционная и парадоксальная, 1985 г., изд.

Ленинградского Университета. Г.А.Скоробогатов

"Быстрые реакции... инертных газов", стр.69-87.

21.Скорчеллети "Теоретическая электрохимия", 1970 г.,

стр.420. Изд. "Химия" Ленинград.

22.Техника и наука, N'2 1982 г. В.В.Митрофанов

"По следам возбужденной молекулы", стр.24-25.

23.А.М.Чеховский, В.В.Митрофанов, АС N'253195 на

изобретение "Способ отбраковки термокомпрессионных

сварных соединений", 1969 г.

24.Электронная техника серия 2. Полупроводниковые приборы

выпуск 4 (47), 1969 г. В.В.Митрофанов, А.М.Чеховский

"Некоторые премы контроля качества термокомпрессионных

соединений", стр.210-222.

25.Электронная техника серия 2. Полупроводниковые приборы

выпуск 4 (42), 1968 г. В.В.Митрофанов, В.Н.Ребров

"Об относительном методе измерения толщины высокоомного слоя

кремния на пластинах после встречной диффузии во время полировки",

стр.115-122.

ПЕРЕХОД ОТ АДМИНИСТРАТИВНОГО ПРОТИВОРЕЧИЯ К ТЕХНИЧЕСКОМУ