Выбор материала для создания солнечных элементов
Кремний (Si) - химический элемент IV группы периодической системы Менделеева, атомный номер - 14.
По распространенности в природе он занимает второе место, уступая только кислороду. Он составляет 27,6 % массы земной коры.
В природе кремний встречается в виде окислов (кремнезем (Si02)n), различных силикатов (солей кремниевых кислот). Кристаллический кремний - темно-серое с металлическим блеском, тугоплавкое, хрупкое кристаллическое вещество, обладающее незначительной проводимостью.
В химических соединениях кремний четырехвалентен. Кремний устойчив ко многим кислотам, нерастворим в воде, но легко растворяется в горячих растворах щелочей, а также в смеси фтористо-водородной и азотной кислот. Почти со всеми металлами кремний образует силициды.
Кремний обладает сравнительно высокой температурой плавления и в расплавленном состоянии отличается высокой химической активностью. Поэтому возникают большие трудности с подбором тигельного материала при выращивании монокристаллов. Наиболее чистые материалы (кварц и графит), из которых обычно изготавливают тигли и нагревательные элементы, при высоких температурах взаимодействуют с кремнием. Физико-химические свойства кремния приведены в табл.1 [16].
Таблица 1.
Основные свойства кремния.
№ п/п | СВОЙСТВО | ЗНАЧЕНИЕ |
ОПТИЧЕСКИЕ | ||
Диапазон пропускания, мкм | 1,2÷1,5 | |
Показатель преломления, n | 1,4223 (1=5мкм) | |
Потери на отражение, % | 46,2 | |
dn/dT, К-1 | 160*10-6 | |
dn/dµ = 0, мкм | 10,4 | |
Коэффициент поглощения, см | 1*10-3 | |
ФИЗИЧЕСКИЕ | ||
Параметр решетки, a (300K), нм | 0,543072 | |
Плотность, Pтв/Pж , г/см3 | 2,33/2,53 | |
Температура плавления, Тпл, К | ||
Ширина запрещенной зоны, Eg300K ,эВ | 1,12 | |
Энтальпия плавления, ∆Н, кДж/моль | 46,47 | |
Энтропия, ∆S0 298K, Дж/моль*К | 18,84 | |
Подвижность носителей заряда. см2/В*с: | ||
Дырок, Up | ||
электронов, Un | ||
Коэффициент теплопроводности при 273К, Вт/м*К | 162,3 | |
Коэффициент термического расширения, К-1 | 4,15*10-6 | |
Удельная теплоемкость, Дж/(кг*К) | ||
ХИМИЧЕСКИЕ | ||
Растворимость | В воде не растворим | |
Молекулярный вес | 28,09 | |
Структура | алмаза |
От очистки кремния зависит возможность его применения для создания солнечных элементов. Различают:
- Кремний электронного качества (т. н. «электронный кремний») — наиболее качественный кремний с содержанием кремния свыше 99,999 % по весу, более высокими показателями по времени жизни (свыше 25 мкс), используемый для производства твердотельных электронных приборов, микросхем и т. п. Удельное электрическое сопротивление кремния электронного качества может находиться в интервале примерно от 0,001 до
150 Ом*см, но при этом величина сопротивления должна быть обеспечена исключительно заданной примесью т. е. попадание в кристалл других примесей, хотя бы и обеспечивающих заданное удельное электрическое сопротивление, как правило, недопустимо. Основная масса кристаллов кремния электронного качества является т.н. "бездислокационными кристаллами", т. е. плотность дислокаций в них не превышает 10 см-2.
- Кремний солнечного качества (т. н. «солнечный кремний») — кремний с содержанием кремния свыше 99,99 % по весу, со средними значениями времени жизни неравновесных носителей и удельного электросопротивления (до 25мкс и до 10 Ом*см), используемый для производства фотоэлектрических преобразователей (солнечных батарей);
- Технический кремний — блоки кремния поликристаллической структуры, полученного восстановлением из чистого кварцевого песка; содержит 98 % кремния, основная примесь — углерод, отличается высоким содержанием легирующих элементов — бора, фосфора, алюминия; в основном используется для получения поликристаллического кремния; в 2006—2009 гг. в связи с дефицитом кремниевого сырья солнечного качества предпринимались попытки использования этого материала для производства кристаллического кремния солнечного качества: для этого производилась доочистка технического кремния путём дробления по межкристаллитным границам и стравливания примесей, концентрирующихся на границах, затем производилась перекристаллизация одним из вышеупомянутых способов).
Монокристаллический кремний получают с помощью метода Чохральского, и очень часто его используют и для производства солнечных элементов. Меж тем, этот метод достаточно дорог в производстве, а для солнечных элементов монокристаллы кремния не обязательно. Достаточно использовать более дешёвый вариант: столбчатую структуру монокристаллов, так называемый "мультикремний".
Степень необходимой чистоты кремния для производства солнечных элементов на основе мультикремния (до 16,5% в полевых условиях, до 23% в лабораторных) представлена ниже:
Доноры (P, As, Sb)< 1,5*1013
Акцепторы (B, Al)< 5*1012
Углерод (С)< 2,5*1016
Металлы (Fe, Ti, Cr, Ca, Na) < 7*1014
Общее удельное сопротивление (Ом*см) по донорам >100, по акцепторам >1000.
Значения необходимых нам удельных сопротивлений и времени жизни представлены в табл. 2 [14].
Таблица 2.
Характеристики кремния, полученного методом Чохральского и методом Бриджмена
Характеристика | Метод Чохральского | Метод Бриджмена | Минимальное значение, удовлетворяющее условиям создания солнечного элемента |
Удельное сопротивление, Ом*см | 0,001...150 | 0,5…3 (->10) | 0.5-20 |
Время жизни неосновных носителей заряда, мкс | >25-50 | 8-10 (->25) | >5 (теор. >2) |
В силу кратной дешевизны производства мультикремния по сравнению с монокристаллическим кремнием по методу Чохральского, мы выбираем для производства солнечных элементов мультикристаллический кремний.
К мультикремнию относят прямоугольные блоки поликристаллического кремния, получаемые в больших тиглях (контейнерах) прямоугольной формы методом направленной кристаллизации (методом Бриджмена). При кристаллизации температура расплава кремния в тигле (контейнере) по высоте постепенно понижается тем самым кристаллиты растут в одном направлении постепенно разрастаясь и вытесняя более мелкие кристаллиты. Размер зерна поликристалла выращенного таким образом может достигать в сечении перпендикулярном направлению роста 5-10 мм. Получившиеся блоки обрезают для удаления краевых участков, содержащих частицы тигля-футеровки, а полученный блок разрезают на призмы квадратного сечения с размерами 100х100 мм, 125х125 мм, 150х150 мм, 170х170 мм, 200х200 мм в зависимости от используемой технологии.
Эффективность солнечных элементов, изготовленных из пластин, вырезанных по нормали к оси столбчатых кристаллов, в настоящее время составляет 16%, а в опытных образцах достигла 22% , то есть приближается к эффективности элементов на основе монокристаллического кремния при значительно более низкой себестоимости (25%) [33].
Технология мультикремния
Как отмечено в п. 1.2, для производства фотоэлектрических преобразователей пригоден крупноблочный мультикристаллический кремний, структура которого включает монокристаллические зерна размером не менее 2…5 мм (рис.6) [4].
Рис.6. Схематическое изображение монокристаллических блоков в мультикремнии.
Время жизни и удельное сопротивление такого материала должны составлять >2мкс и >100 Ом*см соответственно. Сырьем для мультикристаллического кремния может служить как поликристаллический кремний, полученный из технического методом водородного восстановления трихлорсилана, так и кремний, полученный методом карботермического восстановления [13]. Ниже представлены оба этих метода, и проведено сравнение их экономической эффективности и технологичской сложности.
Промышленное производство мультикремния включает два этапа: получение очищенного поликристаллического кремния как исходного материала и переработка его методом направленной кристаллизации (методом Бриджмена) с требуемыми параметрами. Рассмотрим последовательно эти этапы.