Керамические и другие неметаллические материалы
Исследованы основные закономерности и механизмы формирования пространственных структур керамических материалов. На примере рутила впервые обнаружено и исследовано влияние кривизны поверхности окисляемой преформы и ее массы на скорость и количество образующегося продукта, что открывает возможности управления процессами окислительного конструирования тонкостенной керамики. (ИПК РАН)
Методом пирогидролитического синтеза из растворов нитратов получены наноструктурированные оксидные пленки системы SnO2-In2O3-CdO на керамических подложках из Al2O3, ZrO2, CеO2.. Показано, что резистивные сенсоры на основе SnO2 чувствительны к парциальному давлению кислорода и могут использоваться для экологической экспертизы различных производств. Оксидные пленки на основе CdO обладают низким электрическим сопротивлением и могут быть предложены в качестве электродов для твердых электролитов на основе ZrO2 и HfО2.(ИХС РАН)
Методом СВС синтезированы термо- и коррозионностойкие керамические материалы на основе системы AlN-TiB2, электрофизические свойства которых меняются в зависимости от формы частиц TiB2 и их расположения в матрице AlN от высокоэлектропроводящих до диэлектрических. Теоретическое рассмотрение структуры керамики допускает образование фрактальных структур, в которых даже небольшое количество электропроводящей фазы TiB2, сформированной в виде игл, обеспечивает высокую электропроводность всего материала. (ИСМПМ РАН)
Золь-гель методом получены наноразмерные смешанные ортофосфаты LaxLu1-xPO4. Показано, что изоморфная емкость наноразмерного материала значительно превышает емкость поликристаллических образцов микронного размера.
Методом обратного осаждения при 0оС получены аморфные твердые растворы состава Zr0,965Ce0,035O2 и Hf0,90Ce0,10O2, в ходе термообработки которых до 1200 оС образуются частично стабилизированные нанокристаллические (до 30 нм) порошки. Из нанопорошков твердых растворов Zr(1-x-y)HfxYyO2 (0,05<x<0,15; y=0,08) получены электропроводящие керамические материалы кубической структуры с плотностью близкой к теоретической и размером кристаллов 50-60 нм. (ИХС РАН)
Химия высокочистых веществ
Получены образцы высокочистого поликристаллического кремния-30 с содержанием основного изотопа 99,73%, содержанием газообразующих и электроактивных примесей <1017 и 8·1015 см-3, соответственно. Из полученного поликристаллического кремния впервые выращен бездислокационный монокристалл кремния-30. (ИХВВ РАН, НТЦ «Центробежные технологии» С-Пб., Институт роста кристаллов, Берлин, фирма «Виткон», Йена, Германия)
В интервале 5-300 К измерена теплопроводность высокочистого моноизотопного кремния 28Si (99,98%), которая, в исследованном диапазоне температур, оказалась выше, чем образца природного изотопного состава. При комнатной температуре эффект составляет 10±2%, что согласуется с теоретическими оценками, а в области максимума (26 К) теплопроводность 28Si (99,98%) выше в 7,7 раза теплопроводности природного кремния. (ИХВВ РАН, РНЦ «Курчатовский институт», фирма «Виткон»,, Йена, Германия).
На основе высокочистых редкоземельных металлов синтезированы соединения R2Fе14B (R=Y, Gd, Lu). Получены гидриды с содержанием водорода до 2,5 атомов на формульную единицу. Изучено влияние гидрирования на магнитные свойства R2Fе14B. Обнаружено увеличение намагниченности насыщения и магнитного момента при гидрировании. Поле магнитной анизотропии этих соединений при гидрировании уменьшается, а температура Кюри – увеличивается на »30°С. (ИМЕТ РАН)
Разработана технология очистки исходных солей и получения одно- и двухслойных световодов для волоконной техники на основе высокочистых монокристаллов галогенидов серебра с поглощением n.10-4 см-1. Исследования позволили применять при изготовлении двухслойных волокон разные сочетания кристаллов и получать сердцевину и оболочку с заданной разницей показателей преломления. (ГНЦ Гиредмет).
Выращены кристаллы высокочистых хлорида и бромида серебра (материалов для волоконных световодов), легированных ионами иода и тербия (3+). Методом СВЧ- фотопроводимости изучена кинетика фотохимических процессов, приводящих к формированию кластеров серебра. (ИПТМ РАН, ИПХФ РАН)