Порядок выполнения эксперимента. Примечания: В схеме нельзя использовать два канала коннектора

• Приложите синусоидальное напряжение амплитудой 10 В к цепи (рис.3.2.3). Частота напряжения должна быть между 10 и 20 кГц. На схеме V1 – вход коннектора или мультиметр, V2 – только мультиметр. Индуктивность 200 мГн получается путем последовательного соединения двух индуктивностей по 100 мГн, постоянное напряжение больше 15 В – путем последовательного соединения регулируемого и нерегулируемого источников напряжения.

Примечания:

1. В схеме нельзя использовать два канала коннектора, т.к. при этом частота отсчетов оказывается недостаточной.
2. Конденсатор C = 0,22 мкФ служит для исключения пути протекания постоянного тока через катушку и ввиду большой емкости не влияет на параметры резонансного контура.

2

Рис.3.2.3

• Изменяйте обратное постоянное напряжение варикапа ступенями согласно табл. 3.2.1. и находите значения резонансной частоты f_РЕЗ для каждого значения обратного напряжения. Резонансная частота в данном случае - это та частота, при которой напряжение между концами параллельной цепочки достигает максимума. Занесите результаты измерений в табл.3.2.1.

Таблица 3.2.1

UОБР, В	fРЕЗ, кГц	L, мГн	СОБЩ, пФ	СV, пФ

• По таблице 3.2.1 постройте график зависимости резонансной частоты от обратного напряжения U_ОБР.

Рис.3.2.4

• Вычислите емкость резонансной цепи по измеренным резонансным частотам и индуктивности, занесите значения в табл. 3.2.1.

С_ОБЩ = 1 ¤ (2p f_РЕЗ)² L,

где С_ОБЩ - емкость в Ф,

L- индуктивность в Гн,

f_РЕЗ - частота в Гц.

• Затем определите собственную емкость катушкиС_К. Для этого уберите из цепи диод и конденсатор и измерьте снова резонансную частоту. Собственную емкость катушки по найденной резонансной частоте можно вычислить по той же формуле

- без варикапа f_РЕЗ = … кГц;

С_К = 1 ¤ (2p f_РЕЗ)² L =…………….пФ.

• Разница между емкостью резонансной цепи С_ОБЩ исобственной емкостью катушки С_К есть емкость запорного слоя варикапа:

С_V = С_ОБЩ - С_К.

• Занесите значения емкости запорного слоя С_V в табл.3.2.1. Затем постройте зависимость емкости запорного слоя С_V от обратного напряжения U_ОБР на графике (рис. 3.2.5).

Рис. 3.2.5

Вопрос 1:Какова величина порогового напряжения варикапа?

Ответ: ....................

Вопрос 2:Как ведет себя емкость запорного слоя при увеличении обратного напряжения?

Ответ:....................

Биполярные транзисторы

Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов

Общие сведения

Транзистор (рис. 4.1.1) представляет собой полупроводниковый триод, у которого тонкий р-проводящий слой помещен между двумя n-проводящими слоями (n-p-nтранзистор) или n-проводящий слой помещен между двумяр-проводящими слоями (p-n-pтранзистор).

p-nпереходы между средним слоем (база) и двумя крайними слоями (эмиттер и коллектор) обладают выпрямительным свойством, которое можно исследовать как в случае любого выпрямительного диода.

Рис. 4.1.1