Экспериментальная часть. Исследовать влияние тока базы на вольтамперную характеристику IК(UЭK) для n-p-n

Задание

Исследовать влияние тока базы на вольтамперную характеристику IК(UЭK) для n-p-n транзистора с помощью осциллографа.

Порядок выполнения эксперимента

  • Соберите цепь согласно схеме (рис. 4.2.2). В этой цепи в качестве источника синусоидального напряжения используется линейное напряжение трехфазного генератора, а диод включен для исключения обратного напряжения на транзисторе. Приборы А1 и V0 – входы коннектора, служащие для вывода тока IК и напряжения UKЭ на виртуальный осциллограф. Миллиамперметр А служит для измерения тока базы и может быть как мультиметром, так и виртуальным прибором.

Экспериментальная часть. Исследовать влияние тока базы на вольтамперную характеристику IК(UЭK) для n-p-n - student2.ru

Рис. 4.2.2

  • Включите виртуальные приборы А1, V0 и виртуальный осциллограф. На осциллографе установите режим XY. В качестве входа Y выберите ток коллектора, т.е. А1 (по умолчанию это канал 3). В качестве входа Х выберите UKЭ, т.е. V0 (по умолчанию – канал 1).
  • Установите регулятор постоянного напряжения на ноль и зафиксируйте кнопкой 1 осциллографа масштаб по напряжению. Затем установите регулятор постоянного напряжения на максимум и зафиксируйте кнопкой 3 осциллографа масштаб тока. Теперь при регулировании тока базы масштабы по осям осциллографа автоматически изменяться не будут.
  • Регулируя тока базы от 0 до максимального значения и наоборот, пронаблюдайте за изменением кривой IК(UKЭ) на осциллографе. При нескольких значениях тока базы (включая нулевое и максимальное) перерисуйте кривую IК(UKЭ) с осциллографа на рис. 4.2.2. Не забудьте указать масштабы по осям и токи базы для каждой кривой.
  • На семействе кривых IК(UKЭ) выберите какое-либо постоянное напряжение UKЭ (например, 5 В) и на рис. 4.2.3 постройте зависимость IК(IБ) для этого значения напряжения UKЭ. Рассчитайте и на этом же рисунке постройте график b(IБ)= DIК ¤ DIБ. Нанесите шкалы по осям.

Экспериментальная часть. Исследовать влияние тока базы на вольтамперную характеристику IК(UЭK) для n-p-n - student2.ru

Рис. 4.2.2.

Экспериментальная часть. Исследовать влияние тока базы на вольтамперную характеристику IК(UЭK) для n-p-n - student2.ru

Рис. 4.2.3.

Характеристики транзистора

Общие сведения

Свойства транзисторов описываются следующими четырьмя семействами характеристик.

Входная характеристикапоказывает зависимость тока базы IБ от напряжения в цепи база/эмиттер UБЭ (при UКЭ = const).

Выходная характеристикапоказывает зависимость тока коллектора IК от напряжения цепи коллектор/эмиттер UКЭ при различных фиксированных значениях тока базы.

Характеристика управленияпредставляет собой зависимость тока коллектора IК от тока базыIБ (при UКЭ = const).

Характеристика обратной связиесть зависимость напряжения цепи база ¤ эмиттер UБЭ, соответствующего различным неизменным значениям тока базы, от напряжения цепи коллектор/эмиттер UКЭ при различных фиксированных значениях тока базы.

Наши рекомендации