Технічні характеристики тестера MS8201

N з/п	Вимірювана величина	Діапазон	Дискрет- ність	Допустима похибка	Харак-теристики споживання	Частотний діапазон
1	2	3	4	5	6	7
	Напруга постійного струму	400 мВ 4 В 40 В 400 В	0,1 мВ 1 мВ 10 мВ 100 мВ	±(0,7% U_x+ + 2 од.дискр)	R_вх = = 10 МОм
1000 В	1 В	±(0,8% U_x+ +2 од.дискр)
	Напруга змінного струму	4 В 40 В 400 В	1 мВ 10 мВ 100 мВ	±(0,8% U_x+ +3 од.дискр)	R_вх = = 10 МОм	40 Гц – 400 Гц
40 Гц – 1 кГц
750 В	1 В	±(1,0% U_x+ + 3 од.дискр)
	Опір	400 Ом 4 кОм 40 кОм 400 кОм 4 МОм	0,1 Ом 1 Ом 10 Ом 100 Ом 1 кОм	±(1,2% R_x+ +2 од.дискр)
40 МОм	10 кОм	±(2,0% R_x+ + 5 од.дискр)
	Ємність	4 нФ	1 пФ	±(5,0% C_x+ +5 од.дискр)
40 нФ 400 нФ 4 мкФ 40 мкФ 200 мкФ	10 пФ 100 пФ 1 нФ 10 нФ 100 нФ	±(3,0% С_x+ +3 од.дискр)
Закінчення табл. 2.6
1	2	3	4	5	6	7
	Частота	9,999 Гц 99,99 Гц 999,9 Гц 9,999 кГц 99,99 кГц	0,001 Гц 0,01 Гц 0,1 Гц 1Гц 10 Гц	±(2,0% F_x+ +5 од.дискр)	Діапазон вхідної напруги 0,6 В – 3,0 В (для низьких частот напруга більша) гармонічний сигнал 600 Гц-200 кГц прямокутні імпульси 0,5 Гц-200 кГц
199,9 кГц	100 Гц	не нормується
	Постійний струм	4000 мкА 400 мА	1 мкА 0,1 мА	±(1,2% І_x+ + 3 од.дискр)	Захист: 10 А – плавний запобіжник мкА і мА – автоматичний запобіжник Максималь-ний вхідний струм 400 мА для діапазонів мкА і мА
10 А	10 мА	±(2,0% І_x+ +5 од.дискр)
	Змінний струм	4000 мкА 400 мА	1 мкА 0,1 мА	±(1,5% І_x+ +3 од.дискр)	Захист: 10 А – плавний запобіжник мкА і мА – автоматичний запобіжник	40 Гц – 1 кГц
10 А	10 мА	±(3,0% І_x+ +5 од.дискр)
	Контроль діода		1 мВ	Визначає приблизно пряму напругу на діоді. Прямий струм на діоді 1 мА Зворотня напруга приблизно 1,5 В
	Звукова перевірка контакту			Звуковий сигнал при опорі ≤ 40 Ом

Примітка: U_x, І_x, F_x, С_x, R_x – вимірювальне значення, відповідно, напруги,

струму, частоти, ємності конденсатора та опору.

Таблиця 2.7

Технічні характеристики тестера MY-63

N з/п	Вимірювана величина	Діапазон	Дискретність	Допустима похибка	Характеристики споживання та ін.	Частотний діапазон
1	2	3	4	5	6	7
	Напруга постійного струму	200 мВ 2 В 20 В 200 В	0,1 мВ 1 мВ 10 мВ 0,1 В	±(0,5% U_x+ +1 од.дискр)	R_вх = =10 МОм
1000 В	1 В	±(0,8% U_x+ +2 од.дискр)
	Напруга змінного струму	200 мВ	0,1 мВ	±(1,2% U_x+ +3 од.дискр)	R_вх = =10 МОм	10 Гц – 400 Гц
2 В 20 В 200 В	1 мВ 10 мВ 0,1 В	±(0,8% U_x+ +3 од.дискр)
700 В	1 В	±(1,2% U_x+ +3 од.дискр)
	Постійний струм	2 мА 200 мА	1 мкА 10 мкА	±(0,8% І_x+ +1 од.дискр)	Спад напруги 110 мВ/мА 15 мВ/мА
2000 мА	0,1 мА	±(1,5% І_x+ 1 од.дискр)	5,0 мВ/мА
10 А	10 мА	±(2,0% І_x+ +5 од.дискр)	0,03 В/А
	Змінний струм	2 мА 200 мА	1 мкА 10 мкА	±(1,0% І_x+ + 3 од.дискр)	Спад напруги 110 мВ/мА 15 мВ/мА	40 Гц – 400 Гц
2000 мА	0,1 мА	±(1,8% І_x+ +3 од.дискр)	5,0 мВ/мА
10 А	10 мА	±(3,0% І_x+ +7 од.дискр)	0,03 В/А
Закінчення табл. 2.7
1	2	3	4	5	6	7
	Опір	200 Ом 2 кОм 20 кОм 200 кОм 2 МОм 20 МОм 200 МОм	0,1 Ом 1 Ом 10 Ом 100 Ом 1 кОм 10 кОм 100 кОм	±(0,8% R_x+ +3 од.дискр)	На діапазоні 200 МОм від результату необхідно відняти 1 МОм (при закороченому вході показ 1 МОм)
±(0,8% R_x+ +1 од.дискр)
±(1,0% R_x+ +2 од.дискр)
±[5,0% (R_x- 10 од.дискр) + 10од.дискр]
	Частота	2 кГц 20 кГц	1 Гц 10 Гц	±(2,0% F_x+ +5 од.дискр) ±(1,0% F_x+ + 5 од.дискр)	Діюче значення вхідного сигналу від 200 мВ до 10 В
	Ємність	2 нФ 20 нФ 200 нФ 2 мкФ 20 мкФ	1 пФ 10 пФ 0,1 нФ 1 нФ 10 нФ	±(4,0% С_x+ +3 од.дискр)
	Температура	-20 ^оС – 1000 ^оС -20 ^оС – 0 ^оС 0 ^оС – 400 ^оС 400 ^оС – 1000 ^оС	1 ^оС	±(5,0% Т_x+ +4 од.дискр) ±(1,0% Т_x+ =3 од.дискр) ± 2,0% Т_x

Примітка: U_x, І_x, R_x, F_x, С_x, Т_х – вимірювальне значення, відповідно, напруги, струму, опору, частоти, ємності конденсатора і температури.

Джерела живлення

В лабораторії використовують стабілізовані джерела живлення
ВИП-009 і ВИП-010. Робота джерел живлення базується на принципі послідовного компенсаційного стабілізатора напруги. Вони двоканальні і забезпечують плавне регулювання напруги постійного струму в широкому діапазоні.

Джерела живлення дають змогу як окремого, так і паралельного включення вихідних каналів.

В таблиці 2.8наведено основні параметри джерел живлення

Таблиця 2.8