На полевом транзисторе. Задание на моделирование автогенератора представлено на рис

Задание на моделирование автогенератора представлено на рис. 3.50. Колебательный контур, образованный индуктивностями L1, L2 и конденсатором Ck, включён в цепь стока транзистора J1. Автотрансформаторная обратная связь осуществлена с помощью индуктивности L2, подключённой к затвору полевого транзистора. Начальное смещение, обеспечивающее первоначальное положение рабочей точки, задаётся резисторами R1 и R2. Конденсатор С1 обеспечивает подведение напряжения обратной связи без потерь. Элементы R3, C2 образуют цепь истоковой стабилизации рабочей точки транзистора. Конденсатор С4 и резистор R4 образуют развязывающий фильтр. При вводе этой схемы использовать компоненты следующих библиотек:

На полевом транзисторе. Задание на моделирование автогенератора представлено на рис - student2.ru

Рис. 50. Схема LC-автогенератора с автотрансформаторной обратной связью на полевом транзисторе

- analog.slb – пассивные компоненты (R, C, I, K);

- jfet.slb – полевой транзистор (J1);

- jfet.slb – полевой транзистор (J1);

- port.slb – узел с нулевым потенциалом, общий провод (AGND);

- source.slb – источник постоянного напряжения (VDC).

Для устойчивого запуска автогенератора атрибутам конденсатора Ck и индуктивностей L1 и L2 «.IC» (initial conditions – начальные условия) присвоены значения «0.1 V» и «10 uA» соответственно. При расчёте переходного процесса использование этих атрибутов обеспечивает установку на конденсаторе напряжения 0,1 В и тока через индуктивность 10 мкА в начальный момент времени.

Связь между индуктивностями дросселя L1 и L2 установлена с помощью модели сердечника K_Linear. Сердечник характеризуется следующими атрибутами:

L1 = L1 – наименование первой катушки;

L2 = Lk – наименование второй катушки;

COUPLING = 0.5 – коэффициент связи.

На полевом транзисторе. Задание на моделирование автогенератора представлено на рис - student2.ru

Рис. 3.51. Временная диаграмма напряжения

на стоке транзистора J1

Для анализа формы генерируемых колебаний производится вывод значения напряжения на стоке транзистора J1. Установка маркера напряжений ускоряет эту процедуру.

В результате расчёта получается временная диаграмма (рис. 3.51). Из диаграммы видно, что форма генерируемых колебаний близка к синусоидальной а разница между их амплитудами незначительна.

Для исследования спектра генерируемого сигнала необходимо исключить из временной диаграммы участок переходного процесса. Спектральный состав генерируемых колебаний рассчитывается с использованием быстрого преобразования Фурье (рис. 3.52). На спектральной диаграмме кроме первой гармоники отмечены также более высокие гармонические компоненты генерируемого колебания.

На полевом транзисторе. Задание на моделирование автогенератора представлено на рис - student2.ru

Рис. 3.52. Спектральная диаграмма генерируемых

колебаний

Оценка влияния температуры на частоту генерируемых колебаний

Исследование влияния температуры на частоту генерируемых колебаний производится путём расчёта

спектра при значении температуры 70 °С. Результаты исследования влияния температуры сведены в табл. 3.5.

Таблица 3.5

Температура Частота первой гармоники, МГц Амплитуда первой гармоники, В
24,700 2,6105
24,700 2,6447

Исследования влияния напряжения питания на частоту генерируемых колебаний производится при изменении текущего значения атрибута источника питания V1 «DC». На рис. 3.53 приведена спектральная диаграмма генерируемых колебаний при напряжении питания 9В. В результате изменения напряжения питания смещается рабочая точка транзистора, а также изменяются его параметры. С учётом условия баланса фаз это ведёт к изменению частоты генерации.

На полевом транзисторе. Задание на моделирование автогенератора представлено на рис - student2.ru

Рис. 3.53. Спектральный состав сигнала при изменении

напряжения источника питания

Для исследования влияния положения рабочей точки на генерацию колебаний необходимо изменить её

На полевом транзисторе. Задание на моделирование автогенератора представлено на рис - student2.ru

Рис. 3.54. Временная диаграмма затухающего

колебания при неправильном выборе рабочей точки

положение. Это произойдёт, напр., при уменьшении сопротивления резистора R2. На рис. 3.54 представлена временная диаграмма затухающих колебаний при значении сопротивления R2 1кОм.При смещении положения рабочей точки в область меньшей крутизны характеристики транзистора происходит генерация затухающих колебаний.

Для исследования влияния напряжения обратной связи на генерацию колебаний потребуется, например, уменьшить значение индуктивности L2, или понизить коэффициент связи в модели сердечника «COUPLING», либо выполнить обе процедуры. Это приводит к уменьшению напряжения обратной связи и затуханию колебаний (рис. 3.55). Иллюстрация получена при значении индуктивности L2, равном 5 нГн, и коэффициенте связи, составляющем 0,1.

На полевом транзисторе. Задание на моделирование автогенератора представлено на рис - student2.ru

Рис. 3.55. Временная диаграмма затухающего

колебания при уровне напряжения положительной

обратной связи меньше критического

Наши рекомендации