Нанесение рамки чертежа и основной надписи

Часто чертеж схемы и результаты проведенного моделирования необходимо представить, например, в виде отчета по лабораторной работе. Для облегчения документирования в программе МС9 имеется возможность сопроводить проделанную работу соответствующими комментариями, которые вносятся в специальный угловой штамп.

Щелчком по иконке наносится рамка чертежа схемы вместе с угловым штампом. Формат рамки чертежа устанавливается в соответствии с форматом бумаги, выбираемом в меню File по команде Print Setup. В принципе, размер схемы может быть произвольным. Причем если размер схемы превышает габаритные размеры рамки, на схему наносится ряд при­мыкающих друг к другу рамок, и пользователь должен сам позабо­титься, чтобы компоненты и цепи схемы не пересекались линиями рамки. Это неудобно, поэтому для создания больших схем целесооб­разно использовать несколько листов.

Заполнение полей углового штампа выполня­ется в окне, вызываемом двойным щелчком по угловому штампу (рисунок 5.7б).

В диалоговом окне имеются пять полей Field 1 — Field 5. По умолчанию в них помещаются ключевые слова, которые на схеме заменяются их значениями, введенными пользователем с клавиатуры:

Field 1 — имя файла схемы;

Field 2 — $user $company — фамилия пользователя и название ком­пании;

Field 3— по усмотрению пользователя;

Field 4 — $date — текущая дата;

Field 5 — sheet $sheet of $maxsheet— номер страницы и общее ко­личество страниц.

а)

б)

Рисунок 5.7 – Пример заполнения углового штампа чертежа

принципиальной схемы

После завершения создания схемы ее следует сохранить стандартным способом, присвоив ей понятное имя и указав путь.

Представление чисел, переменных и

Математических выражений

При создании принципиальных схем используются числа, пере­менные и математические выражения следующего вида.

Числа

Числовые значения параметров компонентов представляются в виде:

· действительных чисел с фиксированным десятичным знаком (в качестве десятичного знака в программе МС9 используется точка). Например, сопротивление 2,5 кОм, записы­вается как 2500, а емкость

1 мкФ как 0.000001;

· действительных чисел с плавающим десятичным знаком - научная нотация. Например, емкость 1 мкФ может быть записана как 1Е-6;

· действительных чисел с плавающим десятичным знаком - инженер­ная нотация, согласно которой различные степени 10 обозначаются теми же суффиксами, как приведено в таблице 2.1 для пакета PSpise.

Для экономии места на осях X, Y графиков результатов моделиро­вания малая буква «m» обозначает 10^-3, большая буква «М» — 10⁶ (вместо MEG). Во всех остальных случаях большие и малые буквы не различаются.

Например, сопротивление 1,5 МОм может быть записано как 1.5MEG, 1.5meg или 1500К, емкость 1мкФ как 1U или luF. В послед­нем примере показано, что для большей наглядности после стандарт­ных суффиксов допускается помещать любые символы, которые при интерпретации чисел не будут приниматься во внимание. Пробелы между числом и буквенным суффиксом не допускаются!

Переменные

В программе МС9 ряд констант и переменных имеют стандартные обозначения:

Т — время в секундах;

F — частота в герцах;

Е — ЕХР(1 )= 2,718281828;

PI — число p = 3.14159265389795;

TEMP — температура компонентов в градусах Цельсия;

S — комплексная частота, равная 2*PI*F;

J — корень квадратный из –1.

Другая часть переменных носит специфический прикладной характер обозначений:

Tmin — начальный момент времени расчета переходных процес­сов;

Tmax — конечный момент времени расчета переходных процессов;

Fmin — начальная частота расчета частотных характеристик;

Fmax — конечная частота расчета частотных характеристик;

GMIN — минимальная проводимость ветви;

PDT — общая рассеиваемая в схеме мощность;

DCINPUT1 — первая варьируемая переменная в DC-анализе.

Номера узлов, присваиваемые программой МС9 автоматически, представляют собой целые числа, например 0, 2, 25. Кроме того, пользователь может присвоить любому узлу имя в виде текстовой алфавитно-цифровой переменной, начинающейся с буквы и содержащей не более 50 символов, например Al, Out, In и т.д.

В математических выражениях могут использоваться следующие переменные, приведенные в таблице 5.1:

Таблица 5.1 Список переменных

D(A)	Логическое состояние цифрового узла А
V(A)	Напряжения на узле А (напряжения измеряются отно­сительно узла «земли», которой программа присваива­ет номер 0)
V(A,B)	Разность потенциалов между узлами А и В
V(D1)	Напряжение между выводами устройства D1
I(D1)	Ток через устройство D1
I(A,B)	Ток через ветвь между узлами А и В (между этими уз­лами должна быть включена единственная ветвь)
IR(Q1)	Ток, втекающий в вывод R устройства Q1
VRS(Q1)	Напряжение между выводами R и S устройства Q1
CRS(Q1)	Емкость между выводами R и S устройства Q1
QRS(Q1)	Заряд емкости между выводами R и S устройства Q1
R(R1)	Сопротивление резистора R1
C(X1)	Емкость конденсатора или диода X1
Q(X1)	Заряд конденсатора или диода X1
L(X1)	Индуктивность катушки индуктивности или сер­дечника X1
X(L1)	Магнитный поток в катушке индуктивности или сер­дечнике L1
B(L1)	Магнитная индукция сердечника L1
H(L1)	Напряженность магнитного поля в сердечнике L1
RND	Случайное число с равномерным законом распределе­ния на отрезке [0, 1]
ONOISE	Корень квадратный из спектральной плотности выход­ного напряжения
INOISE	Корень квадратный из спектральной плотности вход­ного напряжения, равной ONOISE/коэффициент пере­дачи по мощности
PG(V1)	Мощность, генерируемая источником V1
PS(X1)	Реактивная мощность, накапливаемая в устройстве X1
PD(D1)	Мощность, рассеиваемая в устройстве D1

В этом перечне символы А и В обозначают номера узлов схемы, D1 - имя компонента с двумя выводами или управляемого источника, Q1 - имя любого активного устройства или линии передачи. Симво­лы R и S заменяются аббревиатурами выводов устройств, согласно таблице 5.2:

Таблица 5.2 Обозначение выводов транзисторов

Устройство	Аббревиатуры выводов	Названия выводов
МОП-транзистор (MOSFETs)	D, G, S, B	Сток, затвор, исток, подложка
Полевой транзистор (JFETs)	D, G, S	Сток, затвор, исток
Арсенид-галлиевый транзистор (GaAsFETs)	D, G, S	Сток, затвор, исток
Биполярный транзис­тор (BJT)	B, E, C, S	База, эмиттер, кол­лектор, подложка
Линия передачи (Тгаn. Line)	АР, AM, BP, BM	Вход+, вход-, выход+,выход-

Например, следующие выражения означают: I(R1) — ток через ре­зистор R1; R(Rload) — сопротивление резистора Rload; IC(VTl) — ток коллектора биполярного транзистора VT1; VBE(Ql) — напряже­ние между базой и эмиттером биполярного транзистора Q1.