Методические рекомендации по решению задачи 3
Равновесное состояние
Задача 1
Начертите схему включения p-n перехода, соответствующую заданному состоянию; покажите токи,
протекающие через p-n переход, их направление и сотношение; укажите порядок величины
результирующего тока.
Методические рекомендации по решению задачи 1
1.1. Приведите условие задачи и таблицу с вашим вариантом задания.
1.2. Начертите заданную схему включения p-n-перехода с указанием на ней запирающего слоя,
направления движения основных и неосновных носителей заряда.
1.3. Укажите приблизительную величину результирующего тока, протекающего через p-n-переход в
Равновесном состоянии
Задача 2
По заданной маркировке диода определите его тип, дайте ему полную техническую характеристику,
укажите физический смысл и рассчитайте заданный параметр. Ответ должен содержать:
1) таблицу с выписанным заданием своего варианта;
2) расшифровку маркировки заданного типа диода;
3) запись определения данного типа диода;
4) краткий ответ, какое свойство p-n-перехода используется в этом типе диода;
5) типовую характеристику;
6) схему включения;
7) область применения;
8) ответ о физическом смысле и расчёт заданного параметра.
Таблица 2
Вариант | Марка диода | Параметр диода для п. 8 задания | |
2Д 215А | Кв, если дано: Iобр = 50 мкА; Iпр = 1 А (при Uпр = Uобр = 1В) |
Методические рекомендации по решению задачи 2
2.1. Приведите задание и таблицу с вашим вариантом задания.
2.2. Пользуясь справочником, разберитесь в системе принятых обозначений полупро-
водниковых диодов. Расшифруйте маркировку заданного диода.
2.3. Определив по маркировке тип заданного диода, приведите запись определения
данного диода.
2.4. Разберитесь в принципе действия рассматриваемого диода. Приведите схему
включения диода.
2.6. Приведите характеристику рассматриваемого диода. На ней выделите рабочий
участок.
2.7. Укажите область применения заданного типа диода.
2.8. Объясните физический смысл заданного параметра и приведите формулу его расчёта.
Задача 3
По справочнику выберите биполярный транзистор согласно условию своего
варианта. Выполните необходимые вычисления, построения и сделайте выводы. Ука-
жите физический смысл заданного параметра.
Ответ должен содержать:
1) таблицу с выписанным заданием своего варианта;
2) таблицу с обозначением выбранного транзистора и его справочными данными;
3) запись определения биполярного транзистора;
4) заданную схему включения транзистора;
5) запись о том, какие токи и напряжения являются для данной схемы вход-
ными и выходными;
6) особенности данной схемы включения;
7) входную и выходные характеристики транзистора, включённого с ОЭ;
8) расчёт и построение нагрузочной прямой с обозначением на выходных ха-
рактеристиках величин: Eк; Iк.р.т.; Uкэ р.т.; URн; Iк=Eк/Rн;
9) данные режима работы транзистора;
10) таблицу расчёта линии допустимых режимов, построение этой линии на вы-
ходных характеристиках, вывод о допустимости работы транзистора в заданном режиме;
11) обозначение на выходных характеристиках транзистора областей насыще-
ния и отсечки;
12) ответ о физическом смысле заданного параметра;
13) расшифровку маркировки заданного транзистора.
Вариант | Условия выбора транзистора | Схема включения и режим работы транзистора | Eк | Rн | Iкрт | Iбрт | Uкэрт | Параметр | |
fгр = 20 МГц наибольший h21э max | С ОЭ, режим активный, статический | 12к Ом | 2,1 А | 20 В | P |
Методические рекомендации по решению задачи 3
3.1. Приведите условие задачи и таблицу с вашим вариантом задания. Некоторые
графы этой таблицы окажутся незаполненными. После решения задачи и нахождения
всех значений недостающих величин заполнять пустые клетки не требуется.
3.2. Для выбора транзистора следует использовать справочник. Нужно отыскать все
транзисторы с заданной fгр. Затем из этой группы выбрать тот единственный, который
удовлетворяет второму условию выбора. Выбрав транзистор, приведите в тетради
таблицу с его справочными данными по форме:
Таблица 4
Тип транзистора | Структура транзистора | fгр, МГц | Pк max, Вт | Uкэ max, В | Iк max, А | h21э min | h21э max |
3.3. Запишите определение биполярного транзистора.
3.4. Начертите схему, соответствующую режиму работы и схему включения бипо-
лярного транзистора.
3.5. В соответствии со схемой включения транзистора запишите, какие токи и на-
пряжения являются входными, какие – выходными.
3.6. Приведите особенности схемы включения, проанализировав эту схему по ряду
показателей: Rвх, Rвых, KI, KU, КP. Дайте качественную и количественную характери-
стику этим показателям.
3.7. Постройте входную и выходную характеристики транзистора, используя справочник.
3.8. Постройте нагрузочную прямую транзистора, используя уравнение нагрузочной пря-
мой: Uкэ = Е к- Iк × Rн В тетради обязательно приведите пояснение построения нагрузоч-
ной прямой: по каким точкам построена, координаты этих точек, расчёт координат.
3.9. Имея положение рабочей точки на выходных характеристиках, перенесите её на
входную характеристику при U кэ не равно 0 . Определите координаты рабочей точки.
3.10. Постройте линию допустимых режимов работы транзистора, используя соотно-
шение: к кэ к.max Iк ×Uкэ = P к.max. По графику сделайте вывод о допустимости использования за-
данного режима работы транзистора.
3.11. В импульсных и вычислительных устройствах транзисторы используются в ре-
жимах отсечки и насыщения.
3.12. Поясните физический смысл заданного параметра.