Исходные данные для расчета. Определить критическую свободную энергию и минимальную толщину сплошной металлической пленки (критический размер скопления) при вакуумном
Определить критическую свободную энергию и минимальную толщину сплошной металлической пленки (критический размер скопления) при вакуумном напылении.
Варианты
Металл | Температура, С0 | |||||
Al | ||||||
Cu | ||||||
Ag | ||||||
Au | ||||||
Ni | ||||||
Cr |
Порядок выполнения работы
1. Коротко описать механизм образования сплошной металлической пленки при вакуумном напылении .
2. По уравнению (2) на основании данных таблицы 1 рассчитать объемную свободную энергию материала fV ;
3. По уравнению (4) рассчитать критический размер скопления, т.е минимальную толщину сплошной пленки (r* ) ;
4. По уравнению (5) рассчитать критическую свободную энергию конденсации металлической пленки (DF*);
5. По уравнению (6) рассчитать скорость роста пленки;
6. По уравнению (7) найти время, необходимое для образования сплошной пленки
Разработал Вигдорович Е.Н.
Термодинамический анализ процесса напыления
металлической пленки
(Методическое пособие для курсовых и расчетных работ)
Возможны три различных варианта поведения атомов газовой фазы после соударения их с поверхностью подложки. Во-первых, непосредственно после соударения атомы могут адсорбироваться на поверхности подложки и окончательно прилипать к ней. Во-вторых, через некоторое время после адсорбции атомы могут вновь уходить с поверхности подложки (реиспаряться) и, наконец, они могут сразу же отскакивать от этой поверхности. Первые два случая являются наиболее обычными. Если число реиспаряющихся атомов Nи равно числу атомов, падающих на поверхность Nк (Nк = Nи ) то осуществляется стационарное равновесное состояние.
Адсорбированные атомы могут мигрировать по поверхности и, сталкиваясь с другими атомами, образовывать скопления адсорбированных атомов. Такие агрегаты должны быть более стабильны, чем отдельные адсорбированные атомы, поскольку между атомами в скоплениях существуют силы связи, характеризуемые энергией конденсации. Однако до тех пор, пока скопления имеют очень малые размеры, отношение их поверхности к объему весьма велико. Такие скопления обладают высокой поверхностной энергией, что делает их менее стабильными, так как большая величина поверхностной энергии приводит к увеличению давления пара над поверхностью по сравнению с массивным конденсатом и, следовательно, к диссоциации этих скоплений. Поэтому существует критическое значение размера скоплений, при котором они обладают минимальной устойчивостью. Добавление еще одного атома к скоплению критического размера повышает устойчивость такого скопления, а удаление – к ее снижению.
Для вычисления критического радиуса r* такого агрегата допустим, что с паровой фазой граничит скопление атомов с площадью поверхности a1r2, причем площадь контакта между этим скоплением и подложкой равна a2 r2, а объем скопления равен a3 r3, здесь a1, a2 и a3 - постоянные, a r—средний линейный размер скопления. Полная свободная энергия скопления.
DF = DFV + DFS
где DFV - объемная составляющая;
DFS – поверхностная составляющая.
DFV = а3r3 fV
DFS = a1 r2 s1 + a2 r2 s2 – a2 r2 s3
и тогда
DF = a3 r3 fV + a1 r2 s1 + a2 r2 s2 – a2 r2 s3 (1)
Здесь fV (в эргах на 1 см3) -свободная энергия материала пленки в массивном состоянии при той же степени пересыщения. Эта величина отрицательна и равна
fV = ( - RT / V) ln (Nк / Nи ) (2)
Отношение (Nк / Nи ) можно заменить на отношение давлений пара при заданной температуре и комнатной (РТ/Р298). Значение R/V для металлов можно принять равным 3,73×105 эрг/см2 град. Величины s1 (положительная) и s2 (которая может принимать положительные или отрицательные значения) представляют собой соответственно свободную энергию поверхности скопления и свободную энергию поверхности раздела между скоплением и подложкой, а s3 - поверхностная энергия подложки. Все величины s выражаются в эргах на 1 см2. Появление в правой части выражения (1) члена a2r2s3 обусловлено тем, что при возникновении скопления закрывается ранее свободная площадь a2 r2 поверхности подложки.
Дифференцируя выражение (2) по размеру скопления, получаем
dDF/dr = 3a3r3 fV + 2a1r2s1 + 2a2r2s2 – 2a2r2s3 (3)
При этом предполагается, что при изменении размера форма скопления и его термодинамические свойства не меняются. Величина свободной энергии скопления проходит через максимум, когда скопление достигает критического размера, т.е. при dDF/ dr = 0, откуда
-2(a1s1 + a2s2 – a2s3)
r* = ¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾ (4)
3 a3 fV
Свободная энергия, соответствующая этому критическому размеру r*, равна
4(a1s1 + a2s2 – a2s3)3
DF* = ¾¾¾¾¾¾¾¾¾¾ (5)
27 a3 f2V
Скорость образования скопления критического размера (сплошной пленки) можно определить по уравнению
I = К exp (-mDF*/kT) (6)
где К – кинетический коэффициент ( для нашего случая =1А/сек);
m – коэффициент ( для нашего случая =10-3)
к – константа Больцмана ( 1,38.10-16эрг/град)
Разделив критический размер скопления на скорость роста можно найти время, необходимое для образования сплошной пленки
t = r*/ I (7)
Таблица 1
Исходные данные для расчета
lg P (мм.рт.ст) = A – B/T | s1(10000) эрг/см2 | -Ds/DТ | ||
A | B | |||
Al | 9,384 | 0,47 | ||
Cu | 9,320 | 0,46 | ||
Ag | 9,465 | 0,47 | ||
Au | 8,683 | 0,43 | ||
Ni | 11,396 | 0,42 | ||
Cr | 10,807 | 0,47 |
Для полусферической границе раздела при нанесении металлов на Si а1 = 2p; а2 = p; а3 = 2p/3; s2= 0,8 s1 ; s3 = 500