Расчет температурных допусков

Проверка термостабильности схемы. Для каскада, включенного по схеме с общим эмиттером, можно записать: ,то есть полное приращение тока коллектора будет определяться приращением тока базы, обратного теплового тока коллектора и коэффициента передачи тока базы:

Дифференцируя это соотношение и переходя к конечным приращениям, получим:

где

Расчеты показывают, что ,это является свидетельством наличия ООС по постоянному току, поскольку ток базы с ростом температуры уменьшается.

Для определения тока базы преобразуем схему транзистора, включенного по схеме с ОЭ, в схему по Тевенину (рис.10).

Рис.10.Приведенная схема включения транзистора по Тевенину.

В соответствии с теоремой Тевенина потенциал базы определяется по следующей формуле: , а .

Для потенциала базы относительно общего провода можно записать следующее выражение:

,пренебрегая , получим .

Так как , то

, выражая отсюда ток базы , получим:

Теперь рассчитаем полное приращение тока коллектора:

Допустимое температурное отклонение тока коллектора от его значения в рабочей точке А оценивается по формуле:

В нашем случае ­­­­– значит схема термостабильна.

Теперь выполним расчет температурного коэффициента тока коллектора. На основании формулы произведем расчет коэффициентов влияния:

Рассчитываем температурные коэффициенты входных параметров:

Тогда температурный коэффициент тока коллектора будет равен

Обоснование выбора элементной базы

Таблица 3.Сводная таблица элементов схемы

Элементы	Расчетные значения	Выбранные значения	Компоненты
R1	10,7 кОм	10 кОм	МЛТ-4,0-10 кОм±5%
R2	2,2 кОм	2,2 кОм	МЛТ-0,75-2,2 кОм±5%
R3 (RK)	400 Ом	390Ом	МЛТ-0,125-390 Ом±5%
R4 (RЭ)	200 Ом	200 Ом	МЛТ-0,1-200 Ом±5%
С1г	60,6 пФ	62 пФ	К10-73-МП0-62 пФ 5 % -В
C2, С2г	84,7 пФ	82 пФ	К10-73-МП0-82 пФ 5 % -В
С3, С3г	6,5 пФ	6,8 пФ	К10-73-МП0-6,8 пФ 5 % -В
Cбл	7,4 нФ	7,5 нФ	К10-73-МП0-7,5 нФ 5 % -В
Ск	17,4 пФ	18 пФ	К10-73-МП0-18 пФ 5 % -В
Срг	486,9 нФ	470 нФ	К10-73-МП0-470 нФ 5 % -В
Срк	61,2 пФ	62 пФ	К10-73-МП0-62 пФ 5 % -В
L1г	2,8 мкГн	2,7 мкГн	ДМ-0.1А-2,7 мкГн
L2г	2,65 мкГн	2,7 мкГн	ДМ-0.1А-2,7 мкГн
Lкг	5,4 мГн	5,6 мГн	ДМ-0.1А-5,6 мГн
VT1			КТ312А

Заключение

В ходе выполнения данного курсового проекта был произведен схемотехнический расчет схемы контура гетеродина радиоприемника.

При заданной полосе пропускания, равной , и промежуточной частоте резонансный контур имеет невысокую эквивалентную добротность .

Так же расчеты показали, что обратная связь значительно уменьшает коэффициент усиления по напряжению каждого из каскадов, а ,соответственно, и всего усилителя.

В целом, конструкция спроектированного контура гетеродина радиоприемника отвечает требованиям технического задания.

Приложение

Приложение 1.Характеристики транзистора КТ312А.

Список литературы

1. Радиоприемные схемы на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет /Под ред. Валитова Р.А. и Куликовского А.А.- М.:Сов. радио, 1968.-383 с.: ил.

2. Екимов В.Д. Расчет и проектирование транзисторных радиоприемников. М.: Связь, 1972..

3. Галкин В.И. и др. Полупроводниковые приборы. Транзисторы широкого применения: Справочник /В.И. Галкин, А.Л. Булычев, П.М. Лямин. – Мн.: Беларусь, 1995. – 383 с.:ил.

4. Аксенов А. И., Нефедов А.В. Элементы схем бытовой радио­ап­па­ра­ту­ры. Конденсаторы. Резисторы: Справочник.- М.: Радио и связь. 1995. - 272 с.: ил.- (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1203).

5. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА. Справ. пособие/Э.Т. Романычева и др. М.: Радио и связь, 1984.-356 с.: ил.

6. Демаков Ю.П. Курсовое проектирование компонентов радиоэлектронных средств: Учеб. пособие для вузов. – Ижевск: Изд-во ИжГТУ, 2002. - 220 с.: ил.