Экспериментальное определение параметров электрической цепи. 1.1 Электрические схемы (рисунки 1 и 2)
1.1 Электрические схемы (рисунки 1 и 2).
| Рисунок 1 – схема исследования характеристик полевого транзистора с n-каналом | Рисунок 2 – схема исследования характеристик полевого транзистора с индуцированным каналом |
1.2 Опытные данные.
Таблица 1 – Входная характеристика IGBT транзистора
| UЗЭ, В | 1.4 | 3.1 | 4.4 | 5.5 | 6.9 | 7.9 | 9.3 | ||
| IК, мА |
Таблица 2 – Выходные характеристики IGBT транзистора
| UЗЭ=0 В | UЗЭ=5.5 В | UЗЭ=11 В | |||
| UКЭ, В | IК, мА | UКЭ, В | IК, мА | UКЭ, В | IК, мА |
| 0.09 | 0.05 | 0.05 | |||
| 2.4 | 0.01 | 0.55 | 0.5 | 0.51 | |
| 5.1 | 0.01 | 0.9 | |||
| 0.05 | 1.5 | 1.5 | |||
| 8.7 | 0.06 | 2.0 | 2.0 | ||
| 2.6 | 2.5 |
Таблица 3 – Исследование схем включения IGBT транзисторов
| Схемы включения | С общим эмиттером | С общим коллектором | С общей базой |
| UВХ, В | |||
| UВЫХ, В | |||
| IВХ, мА | 0.01 | 0.01 | 0.01 |
| IВЫХ, мА |
Обработка опытных данных.
2.1 По данным измерений (Таблица 1) строим входную ВАХ транзистора (рисунок 3).
Рисунок 3 – Входная ВАХ транзистора
2.2 По данным измерений (Таблица 2) строим выходные ВАХ транзистора (рисунок 4).
Рисунок 4 – Выходные ВАХ транзистора
Вывод.
В ходе данной лабораторной работы мы изучили параметры, характеристики и режимы работы IGBT транзистора. Несоответствие выходных ВАХ транзистора получилось вследствие неидеального оборудования.
Исследование характеристик тиристора и динистора
Цель работы: Ознакомиться с принципом действия тиристора и динистора, исследовать их ВАХ.
Экспериментальное определение параметров электрической цепи.
1.1 Электрические схемы (рисунки 1 и 2).
| Рисунок 1 – схема исследования ВАХ динистора | Рисунок 2 – схема исследования ВАХ тиристора |
1.2 Опытные данные.
Таблица 1 – прямая ветвь ВАХ динистора
| UПР, В | 0.71 | 0.74 | 0.76 | 0.78 | 0.8 | ||||
| IПР, мА | 0.01 | 0.06 |
Таблица 2 – обратная ветвь ВАХ динистора
| UОБР, В | 0.7 | 1.3 | 1.8 | 2.7 | 3.2 | 3.8 | 4.5 | 4.9 | |
| IОБР, мА | 0.1 |
Таблица 3 – прямая ветвь ВАХ тиристора
| IУ=8 мА | |||||||||
| UПР, В | 0.12 | 0.20 | 0.30 | 0.48 | 0.50 | 0.57 | 0.61 | 0.71 | 0.79 |
| IПР, мА | 0.24 | 0.22 | 0.20 | 0.19 | 0.17 | 0.06 |
Обработка опытных данных.
2.1 По данным измерений строим прямую и обратную ветви ВАХ динистора (рисунок 2).
Рисунок 3 – прямая и обратная ветви ВАХ динистора
2.2 По данным измерений (Таблица 3) строим входную ВАХ тиристора (рисунок 4).
Вывод.
В ходе данной лабораторной работы мы ознакомились с принципом действия тиристора и динистора, исследовали их ВАХ.
Оптоэлектронные приборы
Цель работы: изучение видов и принципов работы основных видов оптоэлектронных приборов индикации, исследование и сравнение ВАХ различных видов светодиодов с ВАХ обычного диода