Снятие характеристики полупроводникового диода

Оборудование: амперметр, вольтметр, источник стабилизированного напряжения, диод, реостат, ключ двухполюсный.

Цель: Определение вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

Теоретическое введение

К полупроводникам относятся многие элементы 3,4 ,5 и 6 групп таблицы Менделеева, многие окислы металлов, сульфиды и некоторые другие соединения. Полупроводники обладают проводимостью двух видов - электронной и дырочной. Электронная проводимость (n) обусловлена наличием в полупроводниках небольшого количества свободных электронов. Дырочная проводимость (р) связана с существованием в атомах полупроводников "свободных вакантных мест" ("дырок"), не заполненных валентными электронами. При воздействии на полупроводник постоянного электрического поля "дырки" в атомах последовательно будут заполняться валентными электронами от соседних атомов. В последних будут снова образовываться "дырки". Так в полупроводнике возникает перемещение "дырок, противоположное движению электронов. Чистые полупроводники обладают смешанной проводимостью, у них концентрация свободных электронов равна концентрации "дырок". Для практики большое значение имеет применение полупроводников с наличием в них примесей. Добавление к полупроводникам из германия и кремния (элементы 4 группы) небольших количеств элементов 5 группы (фосфор, мышьяк) резко увеличивает плотность свободных электронов. Полупроводники с такими примесями являются n-полупроводниками (основные носители тока - свободные электроны). Добавление к германию или кремнию элементов 3 группы порождает дополнительные дырки. Полупроводники с такой примесью обладают р-проводимостью. На основании сочетания полупроводников с обоими видами проводимости разработаны полупроводниковые диоды и триоды, заменяющие многие современные электронные лампы.

Контакт двух разных по проводимости полупроводников или проводника р-типа с металлом образует n-р-переход. В области n-р-перехода дырки будут диффундировать из полупроводника р-типа в область с электронной проводимостью, а электроны, наоборот, в область с дырочной проводимостью. Вследствие этого в области n-р-перехода образуется двойной слой с разностью потенциалов U1 - U2 (так же как и при контакте двух металлов) (рис.1а). Т.к. концентрация носителей тока у полупроводника мала и контактная разность потенциалов образуется за счет перехода электронов (дырок) с части объемов, прилегающих к границе раздела, протяженность двойного слоя оказывается довольно широкой (d - 5÷10 см) и обеднены основными носителями тока. Поэтому сопротивление n-р-перехода уподобляется диэлектрику, и его называют запорным слоем. Если к элементу n-р-перехода приложить напряжение, как показано на рис.1б, то внешнее поле стремится оттянуть электроны в n-проводнике и дырки в р-проводнике от границы раздела полупроводников, вследствие этого запорный слой расширяется по сравнению с равновесным состоянием. Величина тока в этом случае очень мала (обратный ток).

Если к n-р-переходу приложить напряжение в пропускном направлении, запорный слой сужается (рис.1в). Кривая зависимости тока от напряжения, приложенного к n-р-переходу, называется его вольтамперной характеристикой.

Т.к. n-р-переход обладает практически односторонней проводимостью, его используют для устройства полупроводниковых диодов.

2.Описание лабораторной установки и метода измерения

Лабораторная установка по изучению вольтамперной характеристики полупроводникового диода, изображена на схеме (рис. 2). В качестве источника постоянного тока используется выпрямитель ВСШ-6 (рис.3а). Для измерения напряжения – вольтметр (рис.3б), силы тока – миллиамперметр (рис.3в). Для изменения напряжения в цепи используется реостат (рис.3г). Чтоб направить ток в диоде (рис.3е) в обратном направлении, используется ключ К (рис.3д).

3. Порядок выполнения работы. Обработка результатов измерения

1. Собрать цепь по схеме рис. 2.

2. Меняя положение движка на реостате, подавать различные напряжения на диод. Измерить значения напряжения и соответствующие значения тока. Занести результаты измерения таблицу.

3. Изменить направление тока через диод (переключателем), снова измерить соответствующие значения тока и напряжения. При измерении обратного тока рекомендуется заменить миллиамперметр на микроамперметр.

4. Построить график зависимости тока от напряжения I =f(U).

U, В
I, mA Прямой ток
I, µA Обратный ток

ВОПРОСЫ:

1. Какие тела называются полупроводниковыми?

2. Чем отличается полупроводник n-типа от проводника?

3. Какая проводимость называется проводимостью р-типа?

4. Что происходит на границе контакта проводника n-типа с полупроводником р-типа?

5. Что такое собственная и примесная проводимость?

6. Что такое запирающий слой?

7. Почему контакт 2-х полупроводников с разного типа проводимостью обладает односторонней проводимостью?

8. Что такое прямое и обратное напряжение? Прямой и обратный ток?

9. Что называется вольтамперной характеристикой диода?

10. Для чего служит полупроводниковый диод?

11. Включение реостата как потенциометра.

12. Включение 3-х полюсного переключателя для изменения направления тока в цепи.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 6