Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания

Режим обеспечивается выбором коэффициента включения транзистора Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru и коэффициента включения источника сигнала Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru , в колебательный контур на входе СУ. В этом режиме при заданной полосе пропускания реализуется минимальный коэффициент шума усилителя. Коэффициенты включения выбираются по формулам

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru .

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ,

где (если в СУ используется полевой транзистор)

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ,

при этом коэффициент шума Ш вычисляется по выражению

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru .

В диапазоне частот 0.3÷10 ГГц для расчета транзисторных усилителей используются матрицы рассеяния Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru . S-параметры связывают падающие ai и отраженные bi - волны, которые выражаются через комплексные амплитуды токов и напряжений İi и Ůi на зажимах транзистора

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ; Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru

где W0 − характеристические сопротивления стандартных линий передачи, подключаемых ко входу (i = 1 )и выходу транзистора (i = 2).

Уравнения, связывающие падающие и отраженные волны, записываются в виде

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ,

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru .

Обычно S-параметры представляются в показательной форме Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru , где |Sij|− модуль соответствующего параметра, а φij – фаза в градусах.

В зависимости от значений S-параметров транзистор может находиться в области потенциальной устойчивости (ОПУ), либо в области безусловной устойчивости (ОБУ). В ОБУ транзистор устойчив при подключении к нему произвольных сопротивлений Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru со стороны входа и Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru со стороны выхода. Условие нахождения транзистора в ОБУ записывается в виде

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ,

где kу− инвариантный коэффициент устойчивости,

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru .

Если транзистор находится в ОПУ, то его переводят в ОБУ путем подключения стабилизирующих резисторов.

Обычно СУ СВЧ работают в одном из двух режимов: режиме экстремального усиления, либо режиме, реализующем минимальный коэффициент шума. Режимы работы СУ обеспечивается выбором входных и выходных согласующих цепей, которые включаются между источником сигнала и входом транзистора, выходом транзистора и нагрузкой.

В режиме экстремального усиления реализуется максимальный коэффициент передачи СУ по мощности. При этом

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru .

Для реализации этого режима необходимо выполнить условия согласования соответствующих импедансов сопротивлений транзистора, как со стороны его входа, так и со стороны выхода.

Параметрические усилители

Активным элементом параметрического усилителя (ПУ) является нелинейная емкость перехода параметрического диода Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru . Величина этой емкости зависит от приложенного к диоду напряжения u. Усиление сигнала в ПУ осуществляется за счет передачи энергии вспомогательного генератора, называемого генератором накачки, входному сигналу с помощью периодически изменяющейся емкости Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru , изменения которой обусловлены воздействием напряжения генератора накачки на параметрический диод. Передача энергии эквивалентна внесению во входной контур усилителя, настроенного на частоту усиливаемого сигнала f с , отрицательного сопротивления, что приводит к регенеративному характеру процесса усиления.

В настоящее время из всех разновидностей ПУ в диапазоне СВЧ применяют в основном двухчастотные регенеративные параметрические усилители. В этих ПУ наряду с сигналом накачки с частотой fн используют сигнал на холостой частоте fх = fн – fс , возникающий при взаимодействии входного сигнала и периодически изменяющейся емкости . Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru .

В зависимости от соотношения частот fх и fс различают два вида двухчастотных ПУ: двухконтурный (ДПУ) и одноконтурный (ОПУ). В ДПУ частоты fх и fс значительно отличаются, так что для их выделения в усилителе имеются отдельные контуры, причем холостой контур не имеет связи с входом, который также является и выходом усилителя. На рис. 6 изображена эквивалентная схема ДПУ. Параметрический усилитель работает на отражение и поэтому использует ферритовый циркулятор (с волновым сопротивлением W) для разделения входного и выходного сигналов.

Входной сигнал Pс вх, подводимый через циркулятор к ПУ в виде падающей волны, возбуждает отраженную волну сигнала Pс вых, мощность которой в результате усиления превышает мощность падающей в Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru раз. К первому плечу циркулятора (Ц) подключены: реактивные четырехполюсники Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru и Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru , трансформирующие сопротивления источника сигнала W и сопротивление генератора ( Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ) накачки Rг к клеммам полупроводниковой структуры диода, фильтры Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru , Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru , Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru , пропускающие только частоты fс, fх, fн , параметрический диод с нелинейной емкостью Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru и эквивалентным сопротивлением потерь r и генератор накачки ( Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ). К третьему плечу циркулятора подключена нагрузка Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru . Минимальная шумовая температура параметрического усилителя Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru определяется выбранной величиной Kp и динамической добротностью диода Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ,

где Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ,

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ,

fкр − критическая частота диода.

Критическая частота диода представляет собой такую частоту сигнала, до которой одноконтурный параметрический усилитель, собранный на этом диоде, может усиливать входной сигнал, т.е. обеспечивать Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru . Величина fкр определяется типом диода и режимом его работы и может быть оценена по выражению

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ,

где Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru − коэффициент модуляции емкости диода,

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ,

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru , uнор.обр , Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru - параметры диода:

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru − контактная разность потенциалов полупроводниковой структуры,

uнор.обр − нормируемое обратное напряжение

τ(u0) − постоянная времени диода при выбранном напряжении смещения u0.

Оптимальные значения холостой частоты и частоты накачки, при которых шумовая температура ПУ минимальна, могут быть рассчитаны по выражениям

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru ,

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru .

Минимальный коэффициент шума ПУ (ПУ с идеальным циркулятором без потерь) определяется как

Режим оптимального рассогласования при заданной полосе пропускания - student2.ru .

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЧАСТОТЫ

Наши рекомендации