Применение нелинейной обратной связи

U_кэ=0.3 В _к=0.3 В _а - _к=0.4 В Диод открыт

_а= U_бэ=0.7 В

Диод будет шунтировать К-Б переход (К-Б переход будет смещен в обратном направлении).

Транзистор будет работать в усиленном режиме и не войдет в режим насыщения.(будем работать на границе области насыщения) в базе не будет избыточного заряда t_р =0

увеличение быстродействия.

Ключи на полевых транзисторах.

Ключевые схемы (КСПТ) распространены больше, чем биполярные (60% КСПТ, 40% КСБТ).

Достоинства КСПТ:

Ø технологичность (кол-во операций при изготовлении схем меньше)

Ø размеры схем меньше (именно схем, а не транзисторов)

Ø стоимость изготовления меньше (на 1 кристале больше схем и процент выхода годных больше)

С точки зрения схемотехники:

Ø КСПТ не требуют дополнительного источника смещения

Ø есть схемы, которые не потребляют энергии в статическом режиме (очень экономичные схемы)

Главный недостаток КСПТ:

маленькое быстродействие по сравнению с КСБТ.

Схема ключа на полевом транзисторе.

U₀ – напряжение отпирания транзистора

II уравнение Кирхгофа:

Ключ выключен:

r_канала При использовании приближенного способа расчета,

если учесть практически линейность на крутой области,

то можно определить r_канала

Оценим r_k:пусть

Передаточная характеристика:

E_п

I II III

U_вх

Переходные процессы в МОП ключе с резистивной нагрузкой.

1. При подаче напряжения на затвор канал формируется почти мгновенно.

2. Все задержки фронтов связаны с перезарядом паразитной емкости С_н.

транзистор закрылся заряд С_н.

МОП ключ с нелинейной нагрузкой.

Недостаток предыдущей схемы – большое R_c большие размеры области резистора на схеме в интегральном исполнении. Для уменьшения R_c заменяют транзистором (пока заменяем R_c на транзистор для экономии места в интегральной схеме).

U_0н – напряжение, при котором открывается Т_н

Линией нагрузки будет стоко-затворная характеристика (*) Тн. Пусть Uвх =0. Оба транзистора закрыты.

(1)=(2)

передаточная характеристика для схемы с R_c

передаточная характеристика для схемы с T_н

Е_п

Е_п-U_он

III

I II

I область: Т_у – закрыт. На входе

II область: Т_у – открыт и работает в пологой области. (T_н всегда работает в пологой области)

III область: Т_у – открыт и работает в крутой области.

Переходные процессы.

Переходные процессы главным образом определяются процессом перезаряда паразитной емкости С_н.

	Ту – открывается мгновенно, после подачи “1” точка А переходит на характеристику, где U0н В. Т.к. на выходе “1” , то С заряжен до напряжения на “1”. После подачи на вход “1” , С начинает разряжаться через Ту током iразряда. После момента времени t1 Ty закрыт потечет через Сн заряд емкости уменьшается до 0.

По быстродействию получили худшую схему, чем когда нагрузкой было R_c. Как улучшить эту схему?

Хорошо бы, чтобы Т_н работал в крутой области. Для этого на затвор Т_н подается повышенное напряжение.

Т_н со встроенным U_из=0. Рабочая точка

Т_н работает в крутой каналом. всегда постоянна.

области.