Я схема. 2-й осенне-зимний оборот.

Старые растения заменяются новыми в летнее время, что гарантирует хорошее качество и продуктивность в осенний период. При этом следует промежуток в сборе урожая, длящийся 2 месяца и обычно приходящийся на июль-август, когда на рынке держатся низкие цены из-за обилия томатов в открытом грунте. С применением этой системы пик урожайности приходит­ся на март-июнь и сентябрь-октябрь.

Основной проблемой данной системы является то, что молодые расте­ния высаживают в самый жаркий период лета. Это может привести к нару­шению роста и качества первых плодов. Исходя из этого, может появиться необходимость забеливания теплиц мелом с целью защиты молодых расте­ний от слишком большого количества света на период от посадки рассады до завязывания первой кисти.

Таким образом, наибольшие урожаи возможны при системе продленно­го оборота и при подсадке растений летом. Но для областей с континенталь­ным климатом рекомендуется система с двумя оборотами в году (3-я схема), так как на протяжении периода июль-ноябрь существует значительный риск появления томатов плохого качества и низкой урожайности из-за жаркой летней погоды.

Для того, чтобы максимально сократить летний интервал в сборе уро­жая, относительно более крупные растения нужно высаживать в июле (4-х — 5-недельные растения). В этом случае необходимо обеспечить достаточные площади в секции для выращивания рассады.

9.5.2 ВЫРАЩИВАНИЕ РАССАДЫ

Выращивание растений начинается с высокого качества посадочного материала (рассады). Для посадки в декабре-феврале рассаду выращивают при самой низкой освещенности (ноябрь-январь), поэтому тре­буется её электродосвечивание.

Обычно семена сеют в кассеты. Используют семена высокого качества.

Для нормального развития корневой системы сеянцев субстрат в кассе­тах должен отвечать оптимальным требованиям.

После посева кассеты должны быть присыпаны тонким слоем вермику­лита и затем накрыты прозрачной пленкой на 3—5 дней для поддержания высокой влажности воздуха.

При выращивании рассады в блоках — горшках через 12—14 дней после посе­ва сеянцы высаживают в них. Необходимо отбирать только наилучшие сеянцы.

Чтобы избежать повреждений при пересадке, не стоит поливать сеянцы непосредственно перед посадкой. Если сеянцы имеют низкий тургор, риск повреждения при пересадке значительно уменьшается. После пересадки днев­ную/ночную температуру необходимо понизить до 20°С. Оптимальная тем­пература в корневой зоне должна составлять 17°С (в среднем).

Для получения хорошего соотношения высота/вес, необходимо провес­ти расстановку растений. К 5—6-ой неделе после высадки сеянцев в горшки или кубики их густота должна быть 16—20 растений на кв. метр.

9.5.2.1 ПОЛИВ И ПОДКОРМКА В ПЕРИОД ВЫРАЩИВАНИЯ РАССАДЫ

Рассадо-разводочное отделение при использовании мелко­форсуночной системы должно иметь спланированную почву с хорошим дренажем.

Своевременный полив и оптимальная температура способствуют качествен­ному выращиванию рассады. Постоянное визуальное и лабораторное определе­ние уровня влажности является единственным путем определения правильной стратегии полива. Молодые растения не должны находится в сухом субстрате. Вместе с тем, чрезмерное увлажнение ведет к обильному росту (жированию).

Для оптимального вегетативного роста молодых растений рекомендуется питательный раствор с высоким содержанием кальция и без аммиачных форм удобрений. Уровень ЕС и рН раствора должен быть соответственно 2,0—2,5 и 6,0 (Табл. 9.12)

Оптимальная дозировка углекислоты во время выращивания имеет по­ложительное влияние на темпы роста, силу клеток растения и содержание сухого вещества. В результате получаются более сильные растения. Концен­трация 600—700 ррт (0,06-0,07%) в теплице будет идеальной как с вентиля­цией, так и без нее. В рассадоразводках, во избежание загрязнения (СО), моторную технику предпочтительно не использовать.

9.5.2.2. РОСТ ПЕРВОЙ КИСТИ

При ранней посадке в условиях недостаточной освещен­ности (декабрь-февраль) очень важно количество листьев до первой кисти, равно как и число листьев между первой и второй кистями. Необходимо наличие минимум 9-ти листьев до первой кисти, с целью обеспечения цвет­ков и плодов первой кисти достаточным количеством ассимилянтов.

Рост первой кисти в рассадо-разводке определяется двумя факторами, а именно, температурой и светом. Большое количество света влияет на фор­мирование более ранней кисти, т. е. при меньшем количестве листьев. Эти же факторы влияют на количество листьев между первой и второй кистями. Условия плохой освещенности отрицательно влияют на этот процесс.

Главные условия развития кистей следующие:

Посев — всходы (3—7 дней): дневная температура — 25°С, ночная — 25°С;

Всходы — пикировка (7—10 дней): дневная и ночная температура — 23°С.

При этих условиях первая кисть закладывается через 10 дней после всхо­дов, а вторая — на 8—9 дней позже.

9.5.3. ПОСАДКА НА ПОСТОЯННОЕ МЕСТО

Когда растения пересаживают из рассадной теплицы в теплицу на постоянное место, их не помещают сразу на минвату. Растения еще не готовы укореняться в минвате, и это может привести к вегетативному типу роста. Поэтому в начале этого периода в теплице рассада в кубиках помещается на полиэтиленовую пленку возле лунок. Этот период нужен для того, чтобы направить развитие растений в генеративное русло. Это необхо­димо для развития плодов хорошего качества на первой кисти и для созда­ния здорового сильного растения. В зависимости от ситуации (погодные ус­ловия, времени года, сорта), кубики размещаются на постоянное место на матах, когда зацветают первая-вторая кисти. Мин. плиту необходимо насы­щать до показателя ЕС — 3.0-3.5 и рН — 5.6-5.8. После посадки возможна вегетативная реакция, т. е. усиление роста за счет цветения. Эту реакцию необходимо контролировать принятием следующих мер:

— ЕС питательного раствора увеличить на 0.5-1.0 мС/см;

— поддерживать разницу между дневной и ночной температурами;

— активизировать транспирацию нагреванием труб отопления;

— регулировать температуру при плохой освещенности — повышать ее в
ночное время.

В первые дни после посадки растения необходимо поливать достаточ­ным количеством воды (частые кратковременные поливы) днем и ночью.

Через 4—7 дней (после укоренения) количество воды нужно отрегулировать в соответствии с транспирацией и ростом. До того времени, пока не зацветут 3—5 кисти, необходимо сохранять плиту относительно сухой путем неболь­шого дренажа.

После посадки следят за соответствием температуры требованиям генератив­ного развития. В ясные морозные ночи температура не должна быть намного ниже дневной температуры, поскольку t° растений падает ниже t° воздуха. Кроме того, если поднимать температуру от относительно низкой (ночь) до более высо­кой (день), требуется много дополнительной энергии для нагрева.

ЕС питательного раствора должна быть 3.0-3.5 мСМм/см. После укоре­нения уровень ЕС можно снизить до 2.8-3.0, однако, при необходимости, с целью поддержания генеративного развития, ЕС можно повышать.

При избыточной влажности в корневой зоне, формируется слабое расте­ние. Окраска растения должна изменяться от ярко-зеленой утром до темно-зеленой в послеобеденное время. Этого можно добиться при правильной ирригации, а также кратковременным, — приблизительно на 2 часа, подня­тием t° на 2—4°С в полуденное время.

Это, особенно в пасмурные дни, стимулирует растение к активности и генеративному развитию.

Температура после посадки такая же, как и в рассаднике-теплице. Чем позже производится посев и чем выше уровень освещенности, тем выше может быть средняя суточная температура. Она может колебаться от 17°С в зимнее время до 22—23°С в летнее время. До появления 1-й кисти темпера­тура день/ночь одинаковая. После появления всходов температуру постепен­но снижают до 19°С днем и до 18°С ночью, а затем до 18°С днем и до 17°С ночью. Если световой уровень ниже 100 Дж/см² в день, среднюю суточную t° необходимо снизить до 17—17,5°С. После появления первой кисти необхо­димо создавать разницу температур день/ночь в 1 —2°С для развития сильной кисти.

Если световой уровень > 200 Дж/см²/день, среднюю t° можно повышать до 18—18,5"С.

Варьирование ЕС — от 3.0 (4 недели) до 3,5 (6 недель).

СО₂: до 8000 ррт — 0,08%. Будьте осторожны с проветриванием при внешней температуре <15°С. При длительной низкой температуре снаружи теплицы необходима очень осторожная вентиляция с одновременным по­догревом.

При более высокой наружной температуре степень нагрева труб должна быть соответствующей.