Выращивания огурца на минеральной вате

Семена огурца высевают в небольшие рассадные кубики, и после прорастания кубики переставляют в более крупные блоки, либо проводят прямой посев в 7,5 см или 10 см кубики. Обычная производственная практика состоит в проращивании семян огурца в лотках с вермикулитом и пикировкой в блоки, либо прямым посевом в блоки для летней/второй культуры. Блоки необходимо расставлять для предотвращения взаимозатенения листьев растений. Проращивание проводят при относительно низкой ЕС питательного раствора (1,5 мСм/см), в последующем ЕС медленно повышают по мере роста растений. Выращивание в блоках, имеющих снизу дренажные желобки, является идеальным для огурцов, поскольку растения обычно чувствительны к избытку влаги в субстрате. Блоки устанавливают с ориентацией желобков в том же направлении, что и общий уклон гряды в теплице, и эта ориентация должна сохраняться при перестановке блоков на гряды. Если блоки с желобками не употребляются, важно, чтобы блоки размещались на слое перлита или аналогичного рыхлого материала для предотвращения образования водоупора листом полиэтиленовой пленки. Тонкая корневая система огурцов меньше подходит для желобов, где получается относительно высокое отношение воды к воздуху, но при промышленных урожаях 150 огурцов/м² становится понятным, что они могут хорошо справляться при использовании любых доступных материалов, включая минераловатные плиты низкой плотности, если последние хорошо приготовлены.

Температура субстрата при проращивании должна быть 21—22^оС. Для этого используют отопительные трубы под стеллажом или трубы, размещаемые для подачи максимального тепла непосредственно минераловатным плитам. Температура поливной воды также важна на этой стадии, потому что подаваемый в блоки объем больше по сравнению с термальным объемом.

Поливная вода должна нагреваться, минимально до 18 или достигать температуры воздуха в теплице до поступления к растениям. Общее время выращивания составляет 4 недели, при досвечивании достаточно 3 недель. Рассада должна иметь 4—5 листьев. Огурцы обычно выращивают на стандартных минераловатных плитах при плотности посадки 2 растения на плиту. При выращивании в теплице плотность посадки составляет 1,4—1,5 раст./м², что составляет объем субстрата не менее 10 л/м², желательно немного больше.

Некоторые схемы выращивания предусматривают 2—3 культуры огурца в год, и в этом случае плотность ранней культуры составляет 1,5 раст./м² и в осенний период — 1—2 раст./м² для получения плодов более высокого качества.

При выращивании можно использовать стандартные плиты высотой 7,5 см,

шириной — 20—25 см с минеральной ватой низкой или высокой плотности взависимости от намерения их вторичного использования.

ФОРМИРОВКА РАСТЕНИЯ

Наибольшее количество света растения получают при V-системе. При этом плоды свисают не касаясь главного стебля.

Наиболее часто применяют зонтичную систему. На самой ранней стадии

удаляют все боковые побеги за исключением последних 2-х от вершины растения. Нельзя формировать плоды на главном стебле на высоте до 1 м над уровнем фунта. Когда растения перерастают шпалеру на 15 см, точка рост удаляется и растения фиксируются на шпалере. Два боковых побега, сформировавшиеся сразу под шпалерой, перебрасываются через шпалеру. При достижении ими 60—80 см они прищипываются, и развиваются новые побеги.

С этого момента все вновь развившиеся боковые побеги должны быть прищипнуты приблизительно после 6-го листа. В этом случае растения формируются гораздо более активными и продуктивными, чем если позволить боковым побегам развиваться до длины 50—60 см до уровня почвы.

Очень важно поддерживать листовую поверхность в открытом состоянии; старые непродуктивные боковые, побеги необходимо удалять, так же, как и старые листья. Если этого не делать, можно ожидать появления кривых и больных плодов.

Число плодов на главном стебле нормируют. Не следует слишком загружать основной стебель плодами при очень ранних посадках, поскольку это серьезно затруднит дальнейшее развитие растений и снизит общий урожай.

В зависимости от срока посева и высоты расположения шпалеры, на главном стебле можно оставлять 4—7 плодов при очень ранней культуре. До высоты 80 см над землей не оставляют плодов. Оптимальным считается, когда растение достигает шпалеры до начала первых сборов. Если сборы начались до достижения растениями шпалеры, растение не будет расти очень быстро и может остановиться в росте из-за нагрузки плодами.

ТЕМПЕРАТУРА

Огурцы хорошо отзывчивы на утепление корневой зоны. Оптимальная температура субстрата составляет 21—23°С.

Сразу после посадки (на 1 или 2 день) температура днем/ночью должна быть одинаковая 21—21° С, после этого дневную температуру постепенно поднимают до 23°С в первую неделю.Во вторую неделю поддерживают режим 22—20°С в третью неделю поддерживают — 21—20°С. При достижении растениями шпалеры поддерживают температуру 21—19°С.

Растения должны быстро дорасти до шпалеры, поэтому поддерживают относительно высокие температуры. Низкие температуры дадут медленную культуру, больше плодов в узел и больше трудозатрат по прищипке. Температура должна поддерживаться в соответствии с числом плодов в узле. Среднесуточная температура должна повышаться при наличии 3—4 плодов в узле. В этом случае дневной/ночной режим 22—21°С (с повышением на 2°С в яркие солнечные дни) должен быть предпочтительным.

Недостатками слишком низких температур является медленное развитие огурцов, что увеличивает число плодов 2-го класса (в том числе у шипастых или короткоплодных гибридов). При поддержании температурной разницы днем/ночью растения становятся более избирательными по отношению к плодам,что дает меньше плодов 2-го класса и меньше потерь ассимилятов энергии.

При достижении растениями, шпалеры температура должна быть на уровне 2С (+ поправка на свет 19°С). После сбора плодов с главного стебля ночную температуру можно снизить до 18—19°С, доведя среднесуточную температуру до 20°С. Только в случае очень слабых цветков можно понижать температуру на 1°С в вечернее время.

Температуру можно использовать для поддержания баланса между наливом плодов и вегетативным ростом. При снижении ночной температуры усиливается вегетативный рост и сильнее развиваются цветки, с увеличением ночной температуры ускоряется развитие плодов.

Для пасмурных дней минимальная температура в светлое время должна быть 21°С в солнечные дни она может возрасти до 28°С.

При очень сильном вегетативном росте поддерживайте дневную температуру (и ЕС) очень высокими а при слабом вегетативном росте повышайте ночную температуру (и ЕС). Постарайтесь избегать температурных шоков, поскольку они могут оказать побочное влияние на развитие плодов.

Температура ростовой среды также важна, она не должна быть ниже 20°С , а 22°С считается, оптимальной.

Огурец любит относительно теплую и влажную атмосферу; весной важно не вентилировать слишком сильно, поскольку это снизит относительную влажность и затормозит рост. Влажность необходимо поддерживать на уровне 80—85%, а при очень разреженной культуре до 88%.

При подаче достаточного количества воды и поддержания влажности на высоком уровне растения остаются активными и продолжают расти. Явным признаком неактивной культуры является закрытая верхушка растения (розетка) по утрам; постепенным нагреванием теплицы и подачей достаточного количества воды при указанных уровнях влажности это явление устраняется.

В самом начале выращивания культуры могут появляться обожженные верхушки, что связано с большой разницей в климатических факторах, например, когда растения поступают из рассадного отделения в теплицу — из относительно влажной в относительно сухую среду. Также поддержание слишком высоких температур с низкой освещенностью дает те же признаки.

8.6.3 УПРАВЛЕНИЕ ГЕНЕРАТИВНЫМ/ВЕГЕТАТИВНЫМ/

РАЗВИТИЕМ РАСТЕНИЙ

В течение сезона может возникнуть необходимость усилить генеративное или вегетативное развитие растений в зависимости от нагрузки плодами, мощности отплетков и тд. При этом можно использовать следующие методы (табл. 8.4).

ПОЛИВ

Перед посадкой рассады плиты нагревают до 20 °С. Плиты располагают по возможности ближе к трубам отопления, но не касаясь их. Также важио использовать теплую воду для поливов в первые 2 недели после посадки: пока корни не прорастут в плиты, подаваемый объем воды не достаточен для оказания влияния на температуру плит, холодная вода может вызвать резкое охлаждение небольших зон субстрата. Этого нужно избегать, особенно в солнечные дни, когда трубы обогрева холоднее и подаваемый объем воды больше.

В таких условиях, в корневой зоне температура может упасть до уровней вызывающих повреждение корневых волосков и позволяющих развиться грибным болезням (Рytnium).

Важно минимизировать различие во влажности мата наилучшим образом, поскольку это негативно влияет на развитие растений и корней. Равномерный полив поэтому очень важен.

Содержание воды в мате зависит от количества подаваемой воды в течение цикла и от количества циклов: большое число циклов с малыми объемами воды дают более влажный мат, чем небольшое количество циклов с большим объемом воды за один цикл.

Дренаж является очень важным показателем для оценки достаточности поливной нормы. Объем дренажа должен составлять около 30 %. В начале культуры полив проводят в течение всех суток, пока растения не укоренятся в мате. В последствии возможен только один полив в ночное время.

Рассадные кубики должны плотно устанавливаться на плиты, и капельницы должны осуществлять полив через кубики. В первый период полив проводят достаточно часто, чтобы быть уверенными, что объем плиты под кубиками достаточно влажный, и прорастание корней происходит нормально. После укоренения растений полив проводят по мере необходимости. В пасмурные дни избыточный объем воды, который используется для дренажа. необходимо ограничивать до 5% от внесенного объема. И большую часть потребности в воде необходимо удовлетворять в начале дня. В солнечные дни объем дренажа увеличивают до 13—20% и поливной объем распределяет в течение всего дня, с последним поливом за час до захода солнца.

Если пасмурная погода сохраняется несколько дней, то существует риск возрастания ЕС в плите, особенно в связи с накоплением хлоридов и сульфатов. В этом случае необходимо дать единовременный повышенный полив питательным раствором в начале дня с пониженным ЕС раствора для того, чтобы вымыть эти соли.