От температуры активной среды
Мощность генерации лазера определяется коэффициентом усиления активной среды, а коэффициент усиления, в свою очередь, пропорционален инверсии. Поэтому, чтобы определить зависимость мощности от температуры, необходимо определить зависимость от температуры инверсии населенностей на лазерном переходе, т.е. определить функцию [N (Т) — N
(Т)]=f(Т), где N
и N
— населенности верхнего и нижнего уровнейлазерного перехода соответственно. Прежде, чем перейти к определению этой функции, сделаем отступление в виде трех замечаний.
Замечание1
Оценим величину плотности тока разряда. Очевидно, она равна
J = j +j
(1.10)
j=j +j
=n
eυ
+ n
eυ
= ne(υ
+ υ
) (1.11)
Т.к. υ >>υ
, то формулу (1.11) можно записать в виде
j=j +j
j
(1.12)
Замечание 2
Оценим электрическую мощность, выделяемую в ГР. Если напряженность электрического поля в разряде Е, плотность тока (согласно замечанию 1) j j
, выделяемая в разряде мощность Р, объем ГР V, то электрическая мощность, выделяемая в единице объема ГР, равна P/V=E виде j
, откуда
P= (Ej )V (1.13)
Будем считать, что V = const, а изменяются только давление р газа и его температура Т. Тогда по закону Шарля
p/T=p /T
, откуда p=T p
/T
, (1.14)
где p и T
-начальные значения давления и температуры газа.
Известно, что давление — это энергия в единице объема. Тогда можно записать, что
p=Pt/V , откуда TP /T
=jEt. (1.15)
Отсюда следует, что
Т~jE. (1.16)
Замечание 3
В результате интенсивного обмена между вращательными и поступательными степенями свободы молекул СО в рабочей смеси лазера устанавливается термодинамическое равновесие. Следовательно, распад населенности по вращательным подуровням подчиняется Больцмановскому закону:
N (1.17)
для СО -молекул В = 0,39 см
, N
— полная населенность на колебательном состоянии v, N
— населенность на вращательном подуровне j колебательного состояния v.
После сделанных замечаний вернемся к обсуждению инверсии. Будем теперь исходить только из качественных соображений. Выделяющаяся в ГР электрическая мощность jE идет частично на резонансное возбуждение верхнего уровня (с КПД η
80%), а оставшаяся часть идет на нагревание газа (с КПД η
20%). Тогда
•в результате нагрева газа до температуры Т все состояния его молекул
в отсутствие лазерной генерации) приобретут некоторую заселенность, в том числе и нижнее состояние 1 лазерного перехода, которое будет находиться в равновесии с основным в соответствии с Больцмановским распределением:
N ~e
, (1.18)
т.е. населенность нижнего уровня лазерного перехода будет экспоненциально увеличиваться с ростом температуры;
*верхнее состояние 2 лазерного перехода, ввиду более высокого расположения, практически не заселяется, поскольку для этого мала температура. Однако оно заселяется резонансным электронным ударом. Его заселенность N ~ j E ~ Т, т.е. населенность верхнего уровня лазерного перехода также будет увеличиваться с ростом температуры, но уже не по экспоненциальному закону, а линейному. Качественно зависимости N
, (Т) и N
(Т) приведены на рис. 26.
Рис. 26 Рис. 27
Наибольшее значение инверсии (N — N
) соответствует некоторой Т
. В точке Т
N = N
и инверсия пропадает. Если учесть,что имеет место генерация, а следовательно и релаксация с верхнего уровня, то зависимость N
(Т) будет иной (пунктирная линии). Но качественно ход рассуждений не меняется. Для СО
-лазеров Т
700 — 800К, а Т
400- 500К.
Таким образом, одним из основных условий работы -лазераявляется обеспечение и поддержание температуры его рабочей смеси вблизи значения Т
. Недопустимость перегрева его рабочей смеси выше этого значения требует его эффективного охлаждения. Отвод теплоты от рабочей смеси СО
-лазера может осуществляться либо за счет теплопроводности к охлаждаемой стенке разрядной трубки (диффузионное охлаждение), либо путем замены (прокачки) нагретой порции газа новой (конвективное охлаждение).
Иногда ГЛ с диффузионным охлаждением называют ГЛ с медленной прокачкой, а ГЛ с конвективным охлаждением — ГЛ с быстрой прокачкой. В свою очередь, прокачка смеси может осуществляться как вдоль оси разрядной камеры (продольная прокачка), так и перпендикулярно ей (поперечная прокачка). Рассмотрим эти способы подробнее.