Переход металл - п/п
Переход Шоттки (Schottky Ubergang, Schottky junction) –электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.
ПЕРЕХОД ДИЭЛЕКТРИК - П/П
Переход металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) представляет собой структуру, в которой между слоем металла и полупроводника располагается тонкий слой диэлектрика (обычно двуокиси кремния SiO2).
ИЗОТИПНЫЕ ПЕРЕХОДЫ(или контакт полупроводник- полупроводник)
Если слои одного типа проводимости, но с разной концентрацией примесей, то получается электронно-электронный (n+-n) и дырочно-дырочный (p+-p) переходы. (“+” обозначает повышенную концентрацию).
Электронно-электронный переход(n‑n+ переход, n‑n+‑Ubergang, N‑N+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника n‑типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Дырочно-дырочный переход (p‑p+ переход, p‑p+‑Ubergang, P‑P+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.
ПО ШИРИНЕ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ различают:
Гомогенный переход (гомопереход,Homogener Ubergang, Homogenous junction) –электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны, созданный в одном полупроводниковом материале (только в германии, только в кремнии, только в арсениде галлия).
Гетерогенный переход (гетеропереход,Heteroubergang, Heterogenous junction) –электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. создается на границе различных полупроводниковых материалов: германий-кремний, кремний-арсенид галлия.
ПО ВИДУ ВАХ (вольтамперной характеристики) различают:
Выпрямляющий переход(Gleichrichterubergang, Rectifying junction)–электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.
Омический переход(Ohmischer Ubergang, Ohmic junction)–электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов.
ПО ГРАДИЕНТУ состава на границе различают:
Резкий переход(Steiler Ubergang, Abrupt junction)–электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.
Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.
Плавный переход(Stetiger Ubergang, Graded junction)–электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.
ПО ТЕХНОЛОГИИ изготовления перехода различают:
Плоскостной переход(Flachenubergang, Surface junction)–электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины.
Точечный переход(Punktubergang, Point-contact junction)–электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.
Диффузионный переход(Diffundierter Ubergang, Diffused junction)–электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике.
Планарный переход(Planarubergang, Planar junction)–диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.
Конверсионный переход(Konversionsubergang, Conversion junction)– электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси.
Сплавной переход(Legierter Ubergang, Alloyed junction) –электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.
Микросплавной переход(Mikrolegierter Ubergang, Micro-alloy junction)–сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника.
Выращенный переход(Gezogener Ubergang, Grown junction)–электричеcкий переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава.
Эпитаксиальный переход(Epitaxieubergang, Epitaxial junction) –электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.
Эпитаксиальное наращивание – создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки.