Запоминающие устройства с произвольной выборкой, структура и организация работы с информацией

Это часть ОЗУ которая позволяет считывать и записывать информацию. Объем запоминающего устройства с произвольной выборкой (ЗУПВ)определяет объем памяти (этот объем пользователь использует для выполнения программ). Большая часть запоминающих устройств с произвольной выборкой(ЗУПВ)теряет данные при выключении компьютера. ЗУПВ- это любое ЗУ, позволяющее без прохода по всем предшествующим позициям выбрать необходимые данные.

На рис. 4.10 показано обозначение ЗУПВ и его внутренняя структура.

Рис. 4.10. ОЗУ с произвольной выборкой. а) ОЗУ 16x4 бит; б) ОЗУ 64Кx1 (КР565РУ5)
Здесь: D1-Dn (справа DI) - информационные входы; Q1 - Qn (справа DO) - инверсные выходы; A1- An - адресные входы; WE# - запись/чтение; CS# (Chip Select) - выбор кристалла; CAS# (Column Address Strobe) и RAS# (Row Address Strobe) - сигнал выборки столбца и строки соответственно.

31) Полупроводниковые ЗУ статического и динамического типа.

Полупроводниковые ЗУ в настоящее время представляют собой большой класс запоминающих устройств, различных по своим функциональным и техническим характеристикам, широко используемых в качестве внутренних ЗУ ЭВМ
Различные сферы применения накладывают свои особенности на реализацию полупроводниковых ЗУ.
Высокое быстродействие полупроводниковых ЗУ обусловливает то, что большинство из них имеет организацию с произвольным доступом.
Это же высокое быстродействие определяет и основные области применения полупроводниковых ЗУ в ЭВМ: кэш-память и оперативная память.
Для построения запоминающего устройства с произвольным доступом современных персональных компьютеров широко применяются полупроводниковые запоминающие устройства, в частности широко применяются СБИС запоминающих устройств оперативной памяти, по принципу организации подразделяемые на статические и динамические. В ОЗУ статического типа запоминающий элемент представляет собой триггер, изготовленный по той или иной технологии (ТТЛ, ЭСЛ, КМОП и др.), что позволяет считывать информацию без её потери. В динамических ОЗУ элементом памяти является ёмкость (например, входная ёмкость полевого транзистора), что требует восстановления записанной информации в процессе её хранения и использования. Это усложняет применение ОЗУ динамического типа, но позволяет реализовать больший объём памяти. В современных динамических ОЗУ имеются встроенные системы синхронизации и регенерации, поэтому по внешним сигналам управления они не отличаются от статических.
Первые полупроводниковые оперативные ЗУ строились на схемах малой и средней степени интеграции и включали в себя несколько различных типов микросхем: собственно матрицы элементов памяти, усилители чтения-записи, дешифраторы и, при необходимости, регистры (адреса и данных).
Позднее, с появлением больших интегральных схем (БИС) и повышением частоты их работы, использование раздельных типов микросхем перестало быть оправданным
Поэтому микросхемы памяти стали включать в себя не только элементы памяти, но и всю остальную электронику управления: дешифраторы, усилители, буферные регистры, схемы управления.
Микросхема имеет три группы входов: адресные входы, вход(ы) данных и управляющие входы