Выбор кварцевого резонатора
По условию fокг=16МГц, тогда, параметры резонатора:
Задаемся
Вспомогательный параметр
Расчет параметров колебательной системы
- Резистивное сопротивление кварцевого резонатора
- Реактивное сопротивление по обходу колебательной системы
- Произведение
- Амплитуда напряжения на базе транзистора
- Сопротивление шунтирующего резонатор резистора
Принимаем
- Амплитуда первой гармоники тока через резонатор
- Сопротивления конденсаторов колебательной системы
- Емкости конденсаторов колебательной системы
Принимаем
- Сопротивление индуктивности контура
- Индуктивность контура
Принимаем
Эквивалентное сопротивление контура
Расчет энергетических параметров автогенератора
- Нагруженная добротность контура
, где
Задаемся , тогда
- Модуль коэффициента обратной связи
- Амплитуда напряжения на коллекторе транзистора
- Постоянное напряжение на коллекторе транзистора
выбирается из условия .
- Проверка условия недонапряженного режима
- Мощность, потребляемая транзистором от источника коллекторного питания
Поскольку вся мощность, отдаваемая транзистором, рассеивается на кварцевом резонаторе, то
- Коэффициент полезного действия транзистора
- Постоянная составляющая тока базы транзистора
- Напряжение смещения на базе транзистора
- Расчет сопротивления в цепи эмиттера транзистора
- Расчет индуктивности дросселя
Принимаем
- Напряжение источника коллекторного питания
- Расчет делителя
Расчет делителя базируется на выполнении двух условий:
· должно быть исключено шунтирование колебательной системы АГ делителем;
· напряжение смещения между базой и эмиттером должно соответствовать расчетному значению.
Принимаем
ток, проходящий через . Чтобы базовый ток не влиял на величину смещения, целесообразно выбирать
Принимаем
Принимаем
- Расчет емкости конденсатора в цепи эмиттера транзистора
Принимаем
- Расчет емкости разделительного конденсатора
, тогда
Принимаем
Система синтеза частот
Описание схемы
В соответствии с техническим заданием ССЧ строится по схеме синтезатора с кольцом ФАП.
Генератор управляемый напряжением (ГУН) является источником выходных колебаний. В фазовом детекторе ФД происходит сравнение фазы колебаний, поступающих с выхода делителя с эталонного генератора ОКГ с фазой колебаний ГУН, прошедших через делитель с переменным коэффициентом деления ДПКД. При расстройке ГУН на выходе ФД возникают биения, при этом ФНЧ пропустит на управляющий вход ГУН их постоянную составляющую.
В этой схеме из сигнала ОКГ датчик опорных частот ДОЧ формирует набор частот кратных шагу сетки, при этом каждая следующая частота ДОЧ в 10 раз отличается от предыдущей, кроме этого формируется частота fдоп . Сигналы с ДОЧ поступают на умножители с переменными коэффициентами умножения.
Структурная схема ССЧ
В соответствии с заданием надо получить частоты от 550 до 630 МГц с шагом 0,5 МГц.
На схеме указаны нижние и верхние (в скобках) частоты и соответствующие им коэффициенты у СГ.
Усилитель мощности
- Заданная выходная мощность составляет 80 Вт. Поэтому необходимо выбрать такое количество транзисторов для усилителя, чтобы их суммарная мощность была не меньше этого значения. В данном случае их количество будет равно 2. Рабочая частота выбранного транзистора не должна быть меньше верхней граничной частоты.
- Расчет выходной цепи
a. Выбор используемого транзистора:
2Т-984А* со следующими параметрами:
Pвых = 250 Вт
Рабочая частота
F = 1 ГГц
Допустимое значение рассеиваемой на коллекторе мощности
Pкдоп = 600 Вт
Максимально допустимое значение напряжения коллекторного питания
Ек max = 50 В
Максимально допустимое значение напряжения база-эмиттер
Uбэmax = 4 В
Максимально допустимое значение коллекторного тока
Ikmax = 16 А
Крутизна линии граничного режима
Sгр= 3 А/В
Индуктивность выводов
Lб = 0,01 нГн; Lэ = 0,4 нГн; Lк = 0,5 нГн
Межэлектродные емкости
Ск= 60 пФ
Частота единичного усиления
fт = 1,4 ГГц
Сопротивления выводов
rб = 0,2 Ом; rэ = 0,06 Ом
Схема включения
Общая база
· Зададимся напряжением коллекторного питания Ек = 45В, что не превышает предельно допустимого значения. Мощность отдаваемая одним транзистором на выходе Р1 = 200 Вт. При угле отсечки θ = 90º можно получить амплитуду импульса коллекторного тока из выражения:
= 21,065 А
· Амплитуда переменного напряжения на коллекторе:
Uкm= Eк – u0; u0 = / Sгр ; u0 = 21,065/ 3=7,02 В
Uкm = 37,978 В
· Амплитуда первой гармоники тока на выходе:
Iк1 = α1 ; α1 = 0.5
Iк1 = 0,5*21,065=10,532 А
· Амплитуда постоянной составляющей тока на выходе:
I0 = α0 ; α0 = 0,318;
I0 = 0,318*21,065=6,699 А
Постоянная составляющая тока стока не превосходит предельно допустимое значение.
· Мощность потребляемая транзистором от источника питания:
P0=Iк0 Eк
P0 =301,434 Вт
· КПД:
h = P1 / P0
h = 66,3 %
· Мощность рассеиваемая на коллекторе:
Pк=P0-P1
Pк =101,434 Вт
· Сопротивление нагрузки по первой гармонике:
R э=Uкm/ Iк1
R э =37,978/10,532=3,6 Ом
Расчет входной цепи
βi = 1/ α1(1-cosθ)
ωт = 2πfт
ωт =8,796*10^9 рад/с
βi = 2
- Rвх = rб + rэ
R вх =0,2+0,06=0,26 Ом
- R вх1 = βi R вх
R вх1 =2*0,26=0,52 Ом
- Коэффициент усиления по мощности:
Kp(ω) = Rэ/(R вх1*(1+(ωв/ ωт )^2 ))
Kp(ω) = 5,767 Вт
- Входная мощность:
Pвх = P1/ Kp(ω)
Pвх = 200/5,767=34,682 Вт
- Расчет входной согласующей цепи
- Входное сопротивление транзистора по первой гармонике:
Rвх1 = 0,52 Ом
Входная индуктивность:
Lвх = Lэ + Lб = 0,4+0,01=0,41 нГн
- Полоса пропускания:
Δω =502,7*106 рад/с
- Неравномерность примем δ = 0,2 дБ
- Пусть число элементов в согласующей цепи будет четное и равное 2. Тогда из справочника имеем:
g0 = 1
g1 = 1,0378
g2 = 0,6745
g3 = 1,5386
Общая схема цепи имеет вид:
- Денормировка по Δω и R:
Rнор = Rвх1*g3 =0,8 Ом
g0=ρ = 75 Ом
g1 : C1 = g1/ Rнор* Δω =2,581 нФ
g2 : L2 = g2* Rнор /Δω = 1,074 нГн
g3=R3 = Rвх1 = 0,52 Ом
- Преобразование ФНЧ в ППФ:
ω0 = (ωв* ωн)^1/2 =3,699*109 рад/с
Фильтр примет следующий вид:
Исходя из условия, что на резонансной частоте должно выполняться равенство:
1/ ω0*C = ω0*L
находятся значения емкостей и индуктивностей:
C2 =1/( ω0^2*L2)=68 пФ
L1 = 1/(ω0^2*C1)=0,028 нГн
- Трансформация сопротивления:
Коэффициент трансформации находится по формуле:
k2 = ρ/g3*Rвх1
k = 9,682
Тогда конечная схема входной согласующей цепи будет иметь вид:
где:
C1=C1/ k2 =25,81 пФ
L1=L1* k2 =2,833 нГн
С21=C2/k =6,809 пФ
С22=-C2*(k-1)/ k2 = -6,128 пФ
С23=C2*(k-1)/ k = 61,28 пФ
L2=1,074 нГн
C1=C1+C22=25,81-6,128=19,682 пФ
С2=С21=6,809 пФ
С3=С23=61,28 пФ
L1=2,833 нГн
L2=1,074 нГн
График коэффициента передачи входной согласующей цепи
График коэффициента отражения входной согласующей цепи
5. Расчет выходной согласующей цепи
- Общая схема выходной согласующей цепи будет подобна входной, то есть с n = 4 элементов. Значения для g будут те же. Схема имеет вид:
g0=1
g1=1.3028
g2=1.2814
g3=1.9761
g4=1.8468
g5=1.5386
Где g0 = Rэ, g5 = ρ, а g1 и g2 должны равняться выходной емкости и индуктивности транзистора соответственно.
- Денормировака по Δω и R:
Предполагается взять верхнюю граничную частоту больше, чем дано в задании, тогда увеличится и Δω.
Пусть Δω = 502,7*106 рад/с.
Сопротивление нормировки будет равно:
Rнор = ρ*g5 = 115,35 Ом
Тогда имеем:
g0=Rэ=3,6 Ом
g1 = C1 = Cвых = 60 пФ
g2 = L2 = Lвых = 0,5 нГн
g3 = C3 = g3/Rнор* Δω =34,08 пФ
g4 = L4 = g4*Rнор/Δω =194,1 нГн
g5 = R5 = ρ = 75 Ом
- Преобразование ФНЧ в ППФ:
Схема будет иметь вид:
ω0 = (ωв* ωн)^1/2 = 3,699*109 рад/с
Исходя из условия, что на резонансной частоте должно выполняться равенство:
1/ ω0*C = ω0*L
находятся значения емкостей и индуктивностей:
C2 = 146,2 пФ
C4 = 0,3765 пФ
L1 = 12,18 нГн
L3 = 2,145 нГн
- Трансформация сопротивления:
Так как Rэ меньше ρ, то необходимо ввести 2 трансформатора с коэффициентами связи, выбранными из условия:
Rнор * k12/k22 = Rэ
k2=17
k1=3
Тогда схема примет следующий вид:
Где
C1 = C1* k22/ k12
C2 = C2* k22
C3 = C3* k2*(k2-1)
C4 = C3*k2
C5 = -C3*(k2-1)
C6 = C4
L1 = L1*k1*(k1-1)/ k22
L2 = L1*k1/ k22
L3 = -L1*(k1-2)/ k22
L4 = L2/ k22
L5 = L3
L6 = L4
С1=0,187 пФ
С2=42250 пФ
С3=9270 пФ
С4=579,4 пФ
С5=-148300 пФ
С6=0.486 пФ
L1=-0.253 нГн
L2=0.0026 нГн
L3=-0,0008753 нГн
L4= 0,0000091нГн
L5=1,23 нГн
L6=9,245 нГн
- Расчет сумматора:
Эквивалентная схема сумматора представляет собой источник напряжения с внутренним сопротивлением, равным сопротивлению тракта, двух параллельно соединенных микрополосковых линий, нагруженных на сопротивления нагрузки, равные также сопротивлению тракта. Для развязки в линии включено балластное сопротивление, равное удвоенному сопротивлению нагрузки.
Схема имеет вид:
Параметры схемы:
Rг = 75 Ом
Rн = 75 Ом
Rб = 150Ом
Волновое сопротивление линии ρ = (2* Rг* Rн)1/2 =106 Ом
Электрическая длина отрезка микрополосковой линии θ = 90º.
- Структурная схема усилителя мощности:
Фильтр
Фильтр представляет собой состыкованные по уровню -3 дБ ФНЧ и ФВЧ.
Для предотвращения возбуждения усилителя мощности входное сопротивление фильтра должно быть 75 Ом (сопротивление тракта, данное в задании).
Требование к фильтру: подавление третьей гармоники на 30 дБ.(L=30)
Расчет:
· Требуемая неравномерность не должна превышать 0,25 дБ. Выбираем δ = 0,2 дБ.
· Количество элементов в фильтре рассчитывается по формуле:
n = arch [(10L/10 – 1)/(10δ/10 – 1)] 1/2 /arch [ω/ ωср]
где ω – частота подавления = 3ωн
ωср = ωв
После округления n = 4
Схема фильтра четного порядка для n = 4 имеет вид:
· Денормировка по частоте и сопротивлению:
C1= C1’/ ρ* ωв
L2 = L2’* ρ/ ωв
C3= C3’/ ρ* ωв
L4 = L4’* ρ/ ωв
C1’=0,7717 1/ C1’=1,2958
L2’=1,4798 1/ L2’=0,6758
C3’=1,7893 1/ C3’=0,5589
L4’=1,4561 1/ L4’=0,6868
C1 = 1,84 пФ L1 = 40 нГн
L2 = 39,6 нГн C2=1,85 пФ
C3 = 4,26 пФ L3 =17,24 нГн
L4 = 38,98 нГн C4 =1,876 пФ
Заключение
В данной работе были описаны и рассчитаны принципиальные схемы основных блоков транзисторного широкополосного передатчика. Рассчитаны характеристики и построена схема опорного кварцевого генератора. Кроме того, на уровне структурной схемы была разработана система синтеза частот с ФАП в требуемом рабочем диапазоне и шагом сетки частот. Для обеспечения заданного уровня мощности отдаваемой в нагрузку потребовалось соединение 4 усилительных элементов с согласующими цепями. Рассчитан фильтр с чебышевскими характеристиками. Также рассчитаны номиналы элементов принципиальных схем и построена общая схема передатчика.
Список использованной литературы
1. А. В. Митрофанов, В. В. Полевой, А. А. Соловьев. Устройства генерирования и формирования радиосигналов. Учебное пособие. Санкт-Петербург, 1999, ЛЭТИ
2. А. А. Соловьев. Автогенераторы гармонических колебаний и синтезаторы частоты. Учебное пособие. Санкт-Петербург, 2000, ЛЭТИ.