Насыщеннымназывается пар, плотностькоторого максимальна при данной температуре. Испарение уравнивается конденсацией.Свойства

насыщенного пара: 1) при постоянной температуре давление не зависит от объёма 2) при постоянном объёме давлениеувеличивается с

ростом температуры. . Влажность характеризует наличие водяного пара в воздухе. 1) -абсолютная влажность: –

2) относительная влажность : При понижении температуры, относительная влажность растет и достигает 100%, когда пар,

содержащийся в воздухе, станет насыщенным. Температура, при которой пар становится насыщенным, называется точкой росы. При этой

температуре начинается конденсация пара, и он выделяется в виде росы, тумана, инея.

3.При происходит короткое замыкание ;

№ 29

1. Законы отражения: 1) Луч, падающий, и луч отраженный лежат в одной плоскости с перпендикуляром, проведенным в точку падения луча

к границе раздела сред. 2) Угол падения равен углу отражения.Законы преломления: 1) Луч, падающий, и луч преломленный лежат в одной

плоскости с перпендикуляром, проведенным в точку падения луча, к границе раздела сред.2) Отношение sin угла падения к sin угла преломления –

есть величина постоянная для данных сред, она называется относительным показателем преломления. ( - относительный

показатель преломления. Он показывает во сколько раз скорость света в первой среде больше скорости света во второй среде.

Если свет переходит извакуума в среду, то: Если из среды в вакуум, то: (n – абсолютный показатель преломления среды).

Он показывает во сколько раз скорость света в вакууме больше скорости светав данной среде: Полное внутреннее отражение – отражение

света от границы менее плотной среды при угле падения больше предельного.Угол падения, при котором угол преломленияравен 90, называется

Предельнымуглом падения.

3. , , (A – атомная масса, n – валентность, F – постоянная Фарадея),

.

№30

1.Дистиллированная вода является изолятором, т.к. в ней отсутствуют свободные заряды. Но если к воде добавить небольшое количество соли

кислоты или щелочи, то раствор будет проводить ток,т.к. в нем появятся свободные заряды. Распад молекул на ионы под воздействием

растворителя называется электромагнитной диссоциацией.Жидкий проводник, в котором носителями зарядов являются положительные и

отрицательные ионы, называется электролитом.Протекание электрического тока через электролит, сопровождающийсяхимическим

превращением вещества и выделением его на электродах, называется электролизом.Законы электролиза:1) Масса вещества, выделившегося

при электролизе прямопропорциональна заряду, прошедшему через электролит.

. Он показывает, какая масса вещества выделится припротекании заряда в 1 Кл.2) Электрохимический эквивалент вещества прямо

пропорционален его химическому эквиваленту , (A – атомная масса, n – валентность, F – постоянная Фарадея), .

Электролиз используется в технике: очистка или рафинирование, электрометаллургия, гальваностегия, гальванопластика.

3. .Индукция: , ,

.

№ 31

1..Удельное сопротивление у полупроводников 10^-5 - 10⁴ Ом*м.Оно очень сильно зависит от внешних условий.К полупроводникам относятля элементы

3А, 4А, 5А группы, основные германий и кремний. Если полупроводник нагреть или осветить, то часть электрона отрывается от атома и становится

свободным, на их месте образуются дырки – избыток положительного заряда. Дырки может перемещатся и в результате заполняет электроны с

соседней связью, ток в полупроводниках создаётся движением дырак и электронов.Полупроводимость чистых полупрводников создаётся дырками и

электронами в равных количествах называется – собственными.Примесная проводимость— электрическая проводимость, обусловленная наличием

в полупроводникедонорных или акцепторных примесей.Контакт полупроводников с разными типам проводимости называется – электронно

дырочныйпереход или p-n переход. В полупроводнике n-типа основными носителями свободного заряда являются электроны; их концентрация

значительно превышаят концентрацию дырок (n_n >> n_p). В полупроводнике p-типа основными носителями являются дырки (n_p >> n_n). При контакте двух

полупроводников n- и p-типов начинается процесс диффузии: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n-области в p-область.

В результате в n-области вблизи зоны контакта уменьшается концентрация электронов и возникает положительно заряженный слой. В p-области

уменьшается концентрация дырок и возникает отрицательно заряженный слой. Таким образом, на границе полупроводников образуется двойной

электрический слой, поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу .

3.A = qEd ,ϕ = W_n/q₀ , A = W_n1 – W_n2 , A = Q₀V , ϕ = kq/ξr.