Задание 2. Рассчитать распределение энергетического потенциала по длине регенерационного участка для ЦВОСП

Рассчитать распределение энергетического потенциала по длине регенерационного участка для ЦВОСП.

Определение помехозащищенности в точке решения регенератора для цифровой системы с заданной степенью иерархии.

Исходные данные:

Фотоприемник: pin-ФД

А_рс = 0.5 дб

А_нр = 0.1 дб

Рекомендация G.655 (α = 0.35 дБ, λ = 1.55 мкм)

Система передачи: STM – 256 (В = 40 Гбит/с)

P_пер = - 5+0.1∙N = - 5+0.1∙3 = - 4.7

P_пр = - 40+0.5∙N = - 40+0.5∙3 = - 38.5

l_стр = 5 км

Количество разъемных соединителей: n_рс = 6

Количество неразъемных соединителей: n_нрс = 10

Квантовая эффективность: η = 0.7+0.01∙N = 0.7+0.01∙3= 0.73

Температура: T = 283 K

Длина регенерационного участка: L_рег = 30+0.5∙N = 30+0.5∙3 = 31.5 км

Паразитная емкость: C_пор = 0.1+0.01∙N = 0.1+0.01∙3 = 0.13 пФ

Энергетический потенциал: Э = 25+N∙0.1 = 25+3∙0.1 = 25.3 дБ

Р_рег = Р_пер – А_рс = - 4.7 – 0.5 = - 5.2 дБ

Р_п = Р_р1 – А_нс - α∙ l_стр

R_ос = =

Р_вх =

S_i = = A/Вт

I_ф = S_i∙ Р_вх =

Используем p-i-n фотодиод:

A = 20∙ lg(Q) = 20∙ lg(1.5∙10⁵) = 96.493 дБ

Используем ЛД:

A = 20∙ lg(Q) = 20∙ lg(5.852∙10³) = 75.346 дБ

Вывод: по данным, приведенным в моем варианте, лавинный фотодиод хуже p-i-n фотодиода, исходя из отношения сигнал/шум, а также защищенности.