Вязкость. Коэфф-т визк-ти газов и жидкостей. Динамическая и кинемат-я вязкости

Вязкое трение в газе или жидкости это результат переноса импульса направленного движ-я. Механизм возникновения внутреннего трения между слоями газа (жидкости), движущимися с различными скоростями, заключается в том, что из-за хаотического теплового движ-я происходит обмен молекулами между слоями, в результате чего импульс слоя, движущегося быстрее, уменьшается, движущегося медленнее - увеличивается, что приводит к появлению сил вязкого трения. Внутр-е трение подчиняется закону Ньютона «плотность потока импульса направленного движ-я (равная силе вязкого трения, действующей на единичную площадку, перпендикулярную направлению переноса) пропорциональна градиенту скорости направленного движ-я ,где h - динамическая вязкость (коэф-т вязкости), - градиент скорости направленного движ-я. Знак минус указ-т, что сила трения направлена против скорости u. Коэф-т вязкости для идеального газа .Сила F, действующая на площадь S, пропорциональна этой площади и градиенту скорости , . Кинемат-я вязкость может быть получена как отношение динамической вязкости к плотности вещества. Внутр-е трение жидкостей, как и газов, возникает при движ-и жидкости вследствие переноса импульса в направлении, перпендикулярном к направлению движ-я.

6.1.1Строение кристаллов. Точечные дефекты в кристаллах:вакансии.Примеси внедрения,замещения

КРИСТАЛЛЫ-твердые тела, обладающие трехмерной периодич. атомной (или молекулярной) структурой и, при определенных условиях образования, имеющие естеств. форму правильных симметричных многогранников. Каждому хим. в-ву, находящемуся при данных термодинамич. условиях (т-ре, давлении) в кристаллическом состоянии, соответствует определенная кристаллическая структура.Выросшие в равновесных условиях К. имеют форму правильных многогранников той или иной симметрии. Два осн. закона геом. кристаллографии - Стенона и Гаюи. Первый (закон постоянства углов) гласит: углы между соответствующими гранями К. одного и того же в-ва постоянны, грани при росте К. передвигаются параллельно самим себе. Закон рациональных параметров Гаюи утверждает, что если принять за оси координат три непараллельных ребра К., то расположение любой грани кристалла можно задать целыми числами. Атомная структура К. описывается как совокупность повторяющихся в пространстве одинаковых элементарных ячеек, имеющих форму параллелепипедов с ребрами а, b, с (периоды кристаллич. решетки). Расположение атомных плоскостей кристаллич. решетки (к-рым могут соответствовать и грани К.) характеризуется кристаллографич. индексами (или индексами Миллера). кри­сталлы разделяются на четыре типа: ионные, атомные, металлические, молекулярные.Дефекты кристалла Дефектами кристалла называют всякое нарушение трансляционной симметрии кристалла-идеальной периодичности кристаллической решётки. Различают несколько разновидностей дефектов по размерности. А именно, бывают нульмерные дефекты, одномерные, двумерные и трёхмерные.К нульмерным дефектам кристалла или точечным дефектам относят все дефекты, которые связаны со смещением или заменой небольшой группы атомов. Возникают при нагреве, в процессе роста кристалла и в результате радиационного облучения.вакансия-свободный, незанятый атомом, узел кристаллической решетки. примесный атом замещения-замена атома одного типа, атомом другого типа в узле кристаллической решетки. примесный атом внедрения-атом примеси (обычно неметалл, например, углерод) располагается в междоузлии кристаллической решетки. межузельный атом-атом основного металла, находящийся в междоузельном положении элементарной ячейки. По типу ближайшего окружения может также варьироваться (4 атома, 6 атомов). Основным источником и стоком точечных дефектов являются линейные и поверхностные дефекты.Одномерные (линейные) дефекты представляют собой дефекты кристалла, размер которых по одному направлению много больше параметра решетки, а по двум другим - соизмерим с ним. Основной дефект-представитель этого класса — поверхность кристалла. Другие случаи-границы зёрен материала, в том числе малоугловые границы, плоскости двойникование, поверхности раздела фаз и др.Трёхмерные дефекты.Как правило, это поры или включения примесных фаз. Представляют собой конгломерат из многих дефектов.