Фізичні властивості напівпровідників 4 страница

Розрахунок ВАХ ідеального діода наводиться в табл.3.1.

Таблиця 3. Результати розрахунку ВАХ ідеального діода

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , В -0,25 -0,15 -0,1 -0,07 -0,06 -0,04 -0,02 0,05
фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru 20,0 мкА 19,9 мкА 19,6 мкА 19,1 мкА 18,0 мкА 15,7 мкА 10,7 мкА 167 мкА
фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , В 0,1 0,13 0,14 0,15 0,16 0,17 0,2 0,25
фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru 916 мкА 2,95 мА 4,34 мА 6,39 мА 9,39 мА 13,8 мА 43,8 мА 300 мА

Особливістю розрахунку прямої гілки ВАХ є детальне обчислення струмів доокола заданої робочої точки фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В. В прикладі обрано п’ять значень прямої напруги (0,13; 0,14; 0,15; 0,16; 0,17)В. Така деталізація потрібна для ретельної графічної побудови ВАХ саме доокола робочої точки, що дасть змогу точно розрахувати диференціальний опір фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru за графіком та теоретично і порівняти отримані результати. На одному графіку складно відобразити значення струмів від 167 мкА до 300 мА. Тому доцільно навести два графіки прямої гілки ВАХ – «грубий» та «точний».На цих графіках необхідно нанести ВАХ прямої гілки реального діода, розраховуючи його за формулою

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru .

В цій формулі незалежною змінною є струм діода фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . Мистецтво розрахунку полягає в тому, щоб визначити такі значення струму, щоб вони відповідали прямим напруга доокола робочої точки фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В.

Розрахунок прямої гілки ВАХ реального діода наводиться в табл.3.2.

Таблиця 3.2. Пряма гілка ВАХ реального діода

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , мА 2,5 3,5 6,2
фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , В 0,104 0,124 0,13 0,14 0,15 0,16 0,17 0,2 0,25

«Грубий» графік будують обравши масштаб прямого струму по осі ординат (для даного прикладу) в межах від 0 до 40 мА. «Точний» графік (фрагмент ВАХ доокола робочої точки) будують в більш зручному масштабі для п’яти значень прямої напруги довкола робочої точки.

Результати побудови представлені на рис.11.

З розрахунків і графіків можна визначити диференціальний опір фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru ідеального і реального діодів в заданій робочій точці.

Ідеальний діод.

Теоретичне значення: фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . Для фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мкА маємо фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru Ом.

За графіком: фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . Маємо фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru Ом.

Значення диференціального опору визначені теоретично та за графіком практично співпадають (різниця близько 0,1 Ом), Різниця значень пояснюється квазілінійністю ВАХ в обраному інтервалі напруг.

Реальний діод.

Теоретичне значення: фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . Для фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мкА, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru Ом маємо

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru Ом.

За графіком: фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . Маємо фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru Ом.

Опір ідеального та реального діода постійному струму в робочій точці визначається як фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru .

Для ідеального діода: фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru Ом.

Для реального діода: фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru Ом.

а)

б) фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru

Рис. 11. ВАХ переходу(а - «грубий», б – «точний» масштаби)

Висновок.

1. Значення диференціального опору фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru та опору постійному струму фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru залежать від положення робочої точки на ВАХ.

2. Диференціальний опір фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru та опір постійному струму фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru в робочій точці в інженерній практиці найчастіше всього визначаються за графіками ВАХ. Їх значення практично співпадають з розрахованими теоретично.

3. ВАХ реального діода проходить нижче ВАХ ідеального, тому що не вся зовнішня напруга прикладається до переходу, частина її падає на опорах фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru та фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru .

Задача 3.2.3.

Розрахувати найпростішусхему без фільтра для випрямлення синусоїдальної напруги з діючим значенням, використовуючи діоди Д226Б. Скласти і розрахувати випрямне коло, що дозволяє одержувати випрямлений струм (мА), використовуючи діоди Д226Б. Намалювати обидві схеми випрямлення.

Розв’язання.

Дане завдання детально розглянуте в [1] основної літератури. Задачі 7.91, 7.92, с.138-139.

Задача 3.2.4

Для стабілізації напруги на навантаженні використовують напівпровідниковий стабілітрон з напругою стабілізаціїUст, В. Визначити допущенні межі зміни напруги живлення, якщо максимальний струм стабілітрона Iст.мах, мА, мінімальний струм стабілітрона Iст.мin,мА,опір навантаження Rн, кОм, опір обмежувального резистора Rобм, кОм. Привести схему стабілізації. За довідником визначити тип стабілітрона.

Розв’язання.

Дане завдання детально розглянуте в [1] основної літератури. Задача 7.103, с.142

Задача 3.2.5

Стабілітрон підключений для стабілізації напруги до резистора Rн = 2 кОм. Знайти опір обмежувального резистора Rобм, якщо напруга джерела міняється в межах, знайдених у задачі 2.4. Визначити, чи буде забезпечена стабілізація у всьому діапазоні зміни Е. Значення Uст , Iст.min , Iст.max узяти з умови задачі 2.4.

Розв’язання.

Дане завдання детально розглянуте в [1] основної літератури. Задача 7.105, с.143

ТРАНЗИСТОРИ

4.1. Приклади розв’язання задач розділу «Транзистори»

Задачі 4.3.1 і 4.3.2.

Умови задач беруться з розділу 8 „Біполярні транзистори” задачника [1] списку основної літератури. Номери задач вибираються індивідуально в залежності від номера варіанту РГР (див розділ 6 методичних вказівок).

Розв’язання.

Дані завдання детально розглянуті в [1] списку основної літератури і коментарів не потребують.

Задача 4.3.3

Потужний транзистор, що має тепловий опір між переходом і корпусом Rпк, К/Вт, повинний розсіювати потужність фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , Вт, при температурі навколишнього середовища Тс, 0С. Для підвищення надійності температуру переходу вирішено обмежити Тn, 0С. Між тепловідводом і корпусом транзистора міститься шайба та ізолююче силіконове змащення. Тепловий опір шайби Rтш , К/Вт, а силіконове змащення зменшує його приблизно на 40%. Визначити, яка повинна бути площа тепловідвода, якщо він необхідний. Вважати, что 1 см2 металевої поверхні тепловідводу має тепловий опір 800 К/Вт.

Розв’язання.

Дане завдання детально розглянуте в [1] списку основної літератури. Задача 8.172, с.204-205.

Задачі 4.3.4 та 4.3.5

Умови задач наведені в розділі 6 методичних вказівок.

Розв’язання.

Дані завдання відносяться до теоретичних питань. Вони детально розглянуті в [2,3] списку основної літератури і коментарів не потребують.

Задача 4.3.6

Польовий транзистор з керувальним p-n переходом, який має Ic max мА, Smax, мА/В включений у підсилювальний каскад за схемою зі спільним витоком. Опір резистора навантаження Rн, кОм. Визначити коефіцієнт підсилення за напругою заслін-витік, якщо а) Uзв = -1 В; б)Uзв = -0,5 В;
в) Uзв = 0. Навести схему підсилювача.

Розв’язання.

Дане завдання детально розглянуте в [1] основної літератури. Задача 8.217, с.217

ЕЛЕКТРОННІ ПРИЛАДИ

5.1. Приклади розв’язання задач розділу
«Електронні прилади»

Задача 5.4.1

Тріод працює в режимі, при якому крутість характеристики S, мА/В, внутрішній опір Ri, кОм, опір по постійному струму R0, кОм. Визначити діючу напругу тріода, якщо потужність, що розсіюється анодом Ра, Вт, і напруга сітки Uc, В.

Розв’язання.

Дане завдання детально розглянуте в [2] списку основної літератури. С.43-44, 55-59.

Задача 5.4.2

Тріод працює в квазістатичному режимі з активним навантаженням в анодному колі. Дано сімейство статичних анодних характеристик тріода 6С3Б і значення фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru кОм, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru Ec В, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В. Необхідно:

a) побудувати анодну навантажувальну характеристику;

б) побудувати анодно-сіткову навантажувальну характеристику методом переносу;

в) на анодній навантажувальній характеристиці вказати робочу точку і робочу ділянку;

г) з графіку визначити значення Іma, Іa0, Іa max, Іa mіn, Ua0, Ua max, Ua mіn, Uma, UmR;

д) визначити P0, PR~, h лампи;

е) для заданої робочої точки графічно визначити малосигнальні параметри S, Rі, μ в статичному режимі і робочі Sp, Ku при роботі тріода з навантаженням. Порівняти результати і зробити висновки

Розв’язання.

Дане завдання детально розглянуте в [2] списку основної літератури. С.64-70 та в [3] С.341-344.

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru

Рис. 12. Схема підсилювача напруги на електровакуумному тріоді

Умова задачі стосується найпростішого підсилювача напруги на тріоді, в анодному колі якого ввімкнено резистивне навантаження фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , а в колі сітки – джерело синусоїдальних коливань фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru (рис.12). За другим правилом Кіргофа для анодного кола можна записати:

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru .

Рівняння має дві змінні фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru та фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . Для двох крайніх випадків маємо: фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru та фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru .

На сімействі вольт-амперних характеристик тріода 6С3Б, приведених на рис.13, відкладаємо точки на осі абсцис фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , на осі ординат фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . З умови задачі фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru кОм. Тоді фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА. Сполучивши ці точки отримаємо лінію навантаження, яка перетинає сімейство анодних характеристик фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru при фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru .

Лінія навантаження – це геометричне місце положення робочих точок анодного кола. Робоча точка визначає режим роботи кола на постійному струмі при заданих параметрах фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . При відсутності вхідного сигналу фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , коли є тільки зміщення сітки фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В, в робочій точці РТ0 можна визначити (див. рис.13) падіння напруги на лампі (постійну складову анодної напруги) фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В, постійну складову анодного струму фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА, падіння напруги на резисторі фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В.

При наявності вхідного сигналу фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru з амплітудою фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В напруга сітки фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru змінюється від -0,5 до -9,5 В. Анодні характеристики з такими напругами сітки відсутні, тому робочі точки РТ1 та РТ2 на лінії навантаження визначаються як середини відповідного інтервалу значень фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru (0… - 1) та ( - 9… - 10)В. При зміні напруги сітки в межах від - 0,5 В до – 9,5 В змінюється напруга на аноді та анодний струм. З анодних ВАХ (рис.13) визначимо РТ1: фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА та РТ2 – фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА.

Відповідно амплітуди змінних складових анодної напруги та анодного струму становлять:

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В,

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА.

Лінія навантаження на сімействі анодно-сіткових ВАХ будується методом переносу. Кожна з робочих точок РТ0, РТ1, та РТ2 на анодних ВАХ визначається трьома параметрами (координатами) - фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru та фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . Ці параметри переносяться на анодно-сіткові ВАХ. Починати треба з нанесення координат точки РТ0 з анодної характеристики. На перетині ліній фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В та фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА на сімействі анодно-сіткових характеристик утвориться дубль робочої точки РТ0. Складності в перенесенні виникають тоді, коли значення фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru робочої точки не відповідає наявним фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru сімейства анодно-сіткових ВАХ. Наприклад РТ0 має фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В при фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА, а на сімействі є характеристики з параметрами фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В та фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В, або РТ2 має фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В при фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА, а на сімействі є характеристики з параметрами фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В та фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В. Для РТ2 необхідно інтерполювати положення, вважаючи що для струму фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА анодна напруга між цими характеристиками змінюється рівномірно, тобто ВАХ з фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В, 190 В,…..150 В еквідистантні. Сполучивши робочі точки на сімействі анодно-сіткових ВАХ отримуємо шукану навантажувальну ВАХ.

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru

Рис. 13. ВАХ електровакуумного тріода 6С3Б

На анодних та анодно-сіткових ВАХ (рис.13) показані всі величини, які вимагає умова задачі. Змінна напруга на резисторі фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru та на аноді фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru знаходяться в протифазі, їх амплітуди фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . Необхідно звернути увагу, що зміна фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru відбувається синфазно з напругою фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , а фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru - протифазно.

Коефіцієнт корисної дії підсилювача (анодного кола) визначається, як

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , де фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru - корисна потужність підсиленого вхідного сигналу, фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru - потужність, яка підводиться від джерела фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru .

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru Вт

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru Вт

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru %.

Низьке значення коефіцієнта корисної дії пояснюється тим, що для даного типу підсилювача обрано режим лінійного підсилення, тобто амплітуда вихідної змінної напруги фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru на навантаженні повинна бути якомога більша амплітуди вхідного сигналу фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , а вихідний сигнал за формою повинен відповідати формі вхідного сигналу з мінімальними спотвореннями. В розглянутому пристрої такий режим підсилення носить назву «режим класу А» і характеризується значними витратими потужності джерела навіть при відсутності вхідного сигналу. ( фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru ).

Коефіцієнт підсилення за напругою визначається як фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru і дорівнює фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru .

Малосигнальні (диференціальні) параметри фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru і фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru визначаємо в робочій точці за побудованими графіками на анодних або анодно-сіткових характеристиках.

На рис.13 параметри визначаються на анодних ВАХ.

Крутість анодно-сіткової характеристики в статичному режимі фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru визначається як фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru при фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . Через робочу точку проводиться вертикальна лінія ( фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В), яка перетинає дві анодні характеристики при фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В та фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В в точках фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru та фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru в точці фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru = 9,8 мА, в точці фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru = 5 мА.

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА/В.

При роботі тріода з навантаженням крутість анодно-сіткової характеристики фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru зменшується, що пояснюється реакцією анодного кола. Нехай негативний потенціал сітки зменшується, це призводить до зростання анодного струму фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru і напруги фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru на навантаженні фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru , при цьому анодна напруга падає фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . При менших анодних напругах анодний струм буде меншим. Анодне коло протидіє змінам, які викликані зміною напруги на сітці, тобто керованість анодним струмом під дією фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru погіршується.

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru при змінній фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru .

При зміні напруги фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru від – 6 В до – 4 В робоча точка по лінії навантаження переміщається з точки фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru в точку фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . При цьому анодний струм змінюється від 6,6 мА (точка фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru ) до 7,8 мА (точка фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru ).

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru мА/В.

Диференціальний опір фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru в робочій точці РТ0 визначаємо як: фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru при фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru . Визначення проводимо на анодній ВАХ при фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В.

При зміні анодної напруги фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru від точки фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru ( фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В) до точки фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru ( фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru В) фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru змінюється від фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru = 7,2 мА (точка фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru ) до фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru = 9,6 мА (точка фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru ).

фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru кОм.

Статичний коефіцієнт підсилення фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru визначається як: фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru при фізичні властивості напівпровідників 4 страница - student2.ru .

Наши рекомендации