Загальні принципи розрахунку електричних полів в анізотропних середовищах
Кругове профілювання. Під круговим профілюванням розуміють вивчення залежності позірного опору 
від азимута лінії розмотки установки при незмінному положенні центра приймальної лінії МN. Кругове профілювання симетричною установкою застосовують для вивчення анізотропних в електричному відношенні порід – тріщинуватих вапняків, сланців, при виявленні тріщинуватих обводнених зон у кристалічних породах та ін.
Вимірюваний позірний опір анізотропного середовища суттєво залежить від напрямку перебігу струму, а отже від орієнтації установки відносно простягання анізотропних порід. При круговому профілюванні симетричною установкою АМNВ живильні і вимірювальні електроди переміщують навкруг центра приймальної лінії МN і при кожному положенні установки на профілі визначають значення rП. Результати зображують у вигляді полярної (кругової) діаграми rП (рис. 3.25). При наявності анізотропного середовища полярна діаграма має форму еліпса (чи близьку до еліпса). При цьому напрямок його великої вісі співпадає з напрямком простягання анізотропної пачки порід. Відношення великої напіввісі полярної діаграми до малої при крутому падінні анізотропного середовища дає можливість оцінити його коефіцієнт анізотропії l.
Рисунок 3.25 Полярна діаграма rП, отримана симетричною установкою АMNB
Інколи кругове профілювання виконують на декількох розносах з метою вивчення поширення анізотропії на глибину. З цією ж метою можуть виконуватися і вертикальні електричні зондування при орієнтації установки в різних азимутах. За результатами багатоазимутальних ВЕЗ будується серія полярних діаграм для різних фіксованих розносів. Такий вид робіт називається круговим вертикальним зондуванням (КВЗ). Частковим випадком КВЗ є хрестові зондування, коли на одній точці виконують два вертикальні електричні зондування з орієнтацією установки вздовж двох взаємно-перпендикулярних азимутів.
Для визначення напрямку і оцінки кута падіння закартованих пластів над ними ставлять кругові профілювання несиметричною установкою АМN. Полярна діаграма rп в цьому випадку асиметрична. Зокрема, для погано провідного пласта в напрямку його падіння rп більший, ніж в напрямку його підйому. Ступінь відмінності позірного опору в різних напрямках характеризує величину кута падіння.
23. Поле точкового джерела в однорідному анізотропному напівпросторі.
24. Парадокс анізотропії та його використання в електророзвідці. Кругові профілювання та зондування.