Некристаллические полупроводники
Аморфные и стеклообразные полупроводники. Структура атомной матрицы некристаллических полупроводников. Идеальное стекло. Гидрированные аморфные полупроводники.
Особенности электронного энергетического спектра неупорядоченных полупроводников. Плотность состояний. Локализация электронных состояний. Щель подвижности.
Легирование некристаллических полупроводников.
Механизмы переноса носителей заряда. Прыжковая проводимость. Закон Мотта.
Спектры оптического поглощения некристаллических материалов. Правило Урбаха.
Нестационарные процессы. Определение дрейфовой подвижности по измерениям времени пролета. Дисперсионный перенос.
Влияние внешних воздействий на свойства некристаллических полупроводников. Метастабильные состояния.
12. Полупроводниковые структуры пониженной размерности
и сверхрешетки
Размерное квантование. Двумерные и квазидвумерные электронные системы и структуры, в которых они реализуются. Контра- и ковариантные композиционные сверхрешетки, легированные сверхрешетки легирования. Квантовые нити. Квантовые точки. Энергетический спектр электронов и плотность состояний в этих системах.
Оптические явления в структурах с квантовыми ямами, правила отбора для межзонных и внутризонных (межподзонных) переходов. Межзонное поглощение и излучательная рекомбинация в этих структурах. Экситоны в квантовых ямах, квантово-размерный эффект Штарка.
Электрические и гальваномагнитные явления в двумерных структурах. Эффект Шубникова-де Гааза. Общее представление о квантовом эффекте Холла.
13. Принципы действия полупроводниковых приборов
Вольтамперная характеристика p-n перехода. Приборы с использованием p-n переходов.
Туннельный диод. Диод Ганна. Биполярный транзистор. Тиристор.
Энергетическая диаграмма структуры металл-диэлектрик-полупроводник
(МДП). Полевые транзисторы на МДП-структурах. Приборы с зарядовой связью.
Шумы в полупроводниковых приборах.
Фотоэлементы и фотодиоды. Спектральная чувствительность и обнаружительная способность. Полупроводниковые детекторы ядерных излучений. Фотоэлектрические преобразователи, КПД преобразования.
Светодиоды и полупроводниковые лазеры. Инжекционные лазеры на основе двойной гетероструктуры.
Использование наноструктур в полупроводниковых приборах. Гетеротранзистор с двумерным электронным газом (HEMT). Гетеролазеры на основе структур с квантовыми ямами и квантовыми точками. Резонансное туннелирование в двухбарьерной гетероструктуре и резонансно-туннельный диод. Оптический модулятор на основе квантово-размерного эффекта Штарка.
Основная литература
Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1979.
Займан Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1974.
Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высш. шк., 1975.
Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.
Мотт Н., Мотт Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974.
Мотт Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977.
Примечание. При подготовке к экзамену по техническим наукам необходимо особое внимание обратить на раздел 13 программы.
Перечень программ
Параметры запроса:
| Отрасль наук | |
| Специальность | 01.04.11 |
| Отрасль наук | Код специаль- ности | Название специальности | Специализация |
| физико-математические | 01.04.11 | Физика магнитных явлений |
ПРОГРАММА-МИНИМУМ
кандидатского экзамена по специальности
Физика магнитных явлений»
по техническим и физико-математическим наукам
Введение
В основу настоящей программы положены следующие дисциплины: физика магнитных явлений, магнитооптика, микромагнетизм, магнитные материалы. Программа разработана экспертным советом Высшей аттестационной комиссии Министерства образования Российской Федерации по физике при участии Института радиотехники и электроники РАН и Московского физико-технического университета.
Общие понятия
Магнетизм. Магнитное поле. Магнитный момент. Векторы магнитной индукции, намагниченности, напряженности магнитного поля. Магнитный поток. Магнитный заряд. Магнитный диполь.