Находим величину напряжения покоя между базой и эмиттером транзистора

Поскольку в открытом состоянии транзистора напряжение между его базой и эмиттером составляет около 0,6 В, то напряжение покоя базы

U_Б0=0,6 В

иможно найти ориентировочное значение входного сопоротивления транзистора

r_вх= U_Б0/ I_Б0 .

9. Находим величину сопротивлений резисторов делителя R₁ ,R₂ .

Величина тока в делителе выбирается в пределах

І_Д =(2÷5)І_Б0,

что обеспечивает независимость задания режима покоя транзистора при изменении его параметров от влияния температуры, при замене транзисторов и др.

Падение напряжения на резисторе R_Э составляет

U_RЭ =(I_K0 + I_Б0) R_Э.

Тогда

R₁ =

R₂ =

Находим мощность, что выделяется в резисторах R₁ і R₂:

P_R1 = (I_Б0 + I_Д)²R₁; P_R2 = I_Д² R₂ .

Из табл. 4, 5 выбираем резисторы R₁ і R₂ по мощности и сопротивлению.

10. Находим емкость конденсатора С₂ .

Емкость С₂ выбираем из условия обеспечения допустимого значения коэффициента частотных искажений М_н :

С₂≥

значения получим в микрофарадах.

Рабочее напряжение С₂ примем равным

U_C2=1,5E_K .

Из табл. 6 выбираем конденсатор С₂.

11. Находим амплитудные значения тока и напряжения на входе каскада:

I_вх.т =

де h_{21Э min} – минимальное значение коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ для выбранного транзистора.

U_вх.т= I_вх.т r_вх.

Необходимая мощность входного сигнала

Р_вх =

12. Находим расчетные коэффициенты усиления каскадапо току, напряжению и мощности:

К₁=h_{21Э min} К_U=h_{21Э min} К_P=K₁K_U ; [К_P]_дБ=101g К_P .

Каскад рассчитан правильно, если значения коэффициента усиления по мощности равны приблизительно 20 дБ, как и было, принято раньше.

Так как, диапазон возможных значений коэффициента усиления по току у транзистора очень широкий: для КТ315Гон составляет h_21Э = 50...350, то каскад имеет запас по усилению.

ДОПОЛНЕНИЕ

Таблица 3 – Основные параметры некоторых транзисторов

Тип транзистора	Струк-тура	Рк макс, мВт	h21Э (β)	ƒh21 МГц	Граничный режим	Клас по мощности
Uк макс В	Iк макс мА
КТ 361 Г   КТ 3107 Е   КТ 315 Г	p-n-p   p-n-p   n-p-n		50-350   120-220   50-350				Малой мощности
КТ 502 В   КТ 503 В	p-n-p   n-p-n		40-120   40-120				Средней мощности
КТ 814 А   КТ 816 А   КТ 815 А   КТ 817 А	p-n-p   p-n-p   n-p-n   n-p-n	(10000) (25000) (10000) (25000)	>40   >20   >40   >20				Большой мощности

*) В скобках приведена мощность с дополнительным теплоотводом

Таблица 4 – Ряды номинальных значений

Індекс ряда	Позиции ряда	Допустимые отклонения от номинальной величины, %
Е 6	1,0; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8
Е 12	1,0; 1,2; 1,5; 1,8; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2
Е 24	1,0; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2,0; 2,2; 2,4; 2,7; 3,0; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1

Таблица 5 – Постоянные резисторы

Тип транзистора	Диапазон сопротивлений	Номинальная мощность, Вт
МЛТ	1 Ом – 3,01 МОм 1 Ом – 51 МОм 1 Ом – 10 МОм	0,125 0,25;0,5 1;2
С2-32	1 Ом – 3 МОм 1 Ом – 5,1 МОм 0,1 Ом – 5,1МОм 1 Ом – 10 МОм 1 Ом – 22МОм	0,125 0,25 0,5

Таблица 6 – Конденсаторы постоянной емкости

Номинальное напряжение, В	Номинальная емкость, мкФ
К 50-7	К 50-35	К 50-18	К 10-17	К 73-17
6,3		20;30;50; 100;200;500
		10;20;30;50; 100;200;500; 1000;2000;5000
		5;10;20;30;50; 100;200;300; 1000;2000;5000
		2;5;10;20;30;50;100;200;500; 1000;2000;5000
		2;5;10;20;30; 50;100;200; 500;1000;2000		0.001 0.01 0.022 0.056
					0.22;0.33; 0.47;0.68; 1;1.5;2.2; 3.3;.4.7
		0.5;1;2.5;10; 20;30;50
	2;50; 100; 200;500	1.2;5;10;20			1.5;2.2
	10;20; 50; 100;200				0.047; 0.068;0.1; 0.15;0.22; 0.33;0.47; 0.68;1
	5;10; 20;50; 100;200
	10;20; 50;100
	10;20; 50;100