Включение p-n-перехода под обратное напряжение:
Полярность внешнего напряжения: + - к n, - - к р. Полярность приложенного напряжения соответствует полярности Uзап.
Разность потенциалов р-n-перехода увеличивается основные носители заряда от пограничного удаляются от запирающего слоя и увеличивают его толщину R I (обратный ток, обратное напряжение). Обратный ток обусловлен неосновными носителями. Iпр≈102 – 103Iобр.
2. Полупроводниковый диод, его свойства и область применения.
|
Р-n-переход
обладает неодинаковыми
Сопротивлениями в прямом
и обратном направлениях;
Можно преобразовать
Iперем в Iпост.
Д И О Д Ы
Точечные плоскостные (слоистые)
Электронно-дырочный переход создаётся в основаны на использовании р-n-перехода.
Месте контакта пластинки Ge (Si) с заострён- Изготовляются методом сплавления Ge с In
Ной металлической проволочкой, имеющей (акцептором). При нагревании In плавится
акцепторные\донорные примеси. и диффундирует в Ge на границе с In у
Исп-ся: Ge – дырочная односторонняя
- в маломощных выпрямительных схемах; проводимость.
- для детектирования и преобразования Исп-ся:
Частоты; - выпрямление, преобразование, стабили-
- в измерительной аппаратуре зация, генерация и т.п.
2 опасных случая:
1) Uобр.max>[U]
Включаем несколько диодов последовательно для равномерного распределения напряжения между ними. Из-за разброса параметров диодов может Rобр. различны U распределяется между диодами ~ их R может также быть Uобр.max>[U] на одном из них подключаются активные сопротивления Rш~1-10 кОм.
2) I>[I]
|
|
|
1) 2)
3. Принцип действия транзистора (полупроводникового триода).
Полупроводниковый триод (транзистор) представляет собой электронный прибор, основанный на свойствах двух, расположенных весьма близко друг к другу, электронно-дырочных р-n переходов.
Основной элемент транзистора – кристалл германия или кремния, в котором с помощью соответствующих примесей создаются три слоя с различными типами проводимости.
|
Принцип действия транзисторов обоих типов один и тот же. Различие состоит лишь в выборе полярности присоединяемых источников питания.