Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами

П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя
выводами.

Полупроводниковые приборы разделяют на 1) точечные; 2) плоскостные.

По способу внесения примесей: 1) сплавные; 2) диффузионные.

Типы диодов:

1. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменных токов (рис.12.11).

Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru

а) б)

Рис.12.11. Условное обозначение (а) и ВАХ (б) диода

Основные параметры: Iпр.max ; Uпр = (0,5 − 1,5)B;

Uобр. max ; Iобр; Ppac.max; Cмеж.эл; fпред.

Обозначения: Г − германий, К − кремний, А − арсенид галлия.

2. Кремниевые стабилитроны − для стабилизации напряжения. Исполь­зуется работа при обратной полярности (рис.12.12).

Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru

а) б)

Рис.12.12. Условное обозначение (а) и ВАХ (б) стабилитрона

Основные параметры: Uст; Iст.min; Iст.max. Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru .

Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru − температурный коэффициент напряжения стабилизации (−0,05 ÷ +0,02)% С.

3. Туннельные диоды, в которых используется туннельный эффект (при эл. пробое происходит тоннелирование электронов из зоны P-слоя в зону N-слоя (рис.12.13).

Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru

Рис.12.13. Условное обозначение (а) и ВАХ (б) туннельного диода

На ВАХ есть участок с отрицательным Rд.

Основные характеристики Iп, Iп/Iв. Применяются в генераторах ВЧ колебаний, в импульсных переключателях.

4. Обращенные диоды − разновидность туннельных диодов. Они обладают вентильными свойствами там, где выпрямительные диоды не обладают. Iп − ток пика. При Iобр име­ют наибольшую проводимость (рис.12.14).

Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru

Рис.12.14. Условное обозначение (а) и ВАХ (б) обращенного диода

5. Варикапы − полупроводниковые диоды, у которых ёмкость С с увеличением Uобр уменьшается, т.е. это элемент с управляемой емкостью.

Основные параметры: 1) общая емкость Св при U = 2−5 В.

2) Кс = Сmaxmin = (5÷20) − коэффициент перекрытия по емкости. Приме­няется в параметрических усилителях, при дистанционном управлении, в системах автоматической подстройки частоты (рис.12.15).

Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru

а) б)

Рис.12.15. Условное обозначение (а) и ВАХ (б) варикапа

Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru 6. Светодиоды, в которых P-N-переход излучает свечение. Этим свойством обладают п/п на основе карбида кремния, арсенида и фосфида галлия.
При прохождении через P-N-переход Iпр основные носители заряда инжектируют в соседние слои и рекомбинируют в граничных областях. При рекомбинации выделяется квант электромагнитной энергии (фотон) количество излучаемого света зависит от Iпр. Применяются для контроля работоспособности элект­ронных цепей, индикации (цифровые, буквенные индикаторы).

7. Фотодиоды − используют внутренний фотоэффект.

Фотодиод работает в режиме фотогенера­тора, когда внешний источник ЭДС отсут­ствует (рис.12.16) и при освещении поверхности появляется фото-ЭДС

Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru

Рис.12.16. Схема включения фотогенератора

В режиме фотопреобразователя, когда Uвнеш подано в запирающем направлении (рис.12.17,а); участок оа рис.12.17 – фото-ЭДС; участок об рис.12.17 – фотодиода; на участке аб рис.12.17 – работа в режиме фотогенератора; на участке бв рис.12.17 – работа в режиме фотопреобразователя.

Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru

а) б)

Рис.12.17. Схема включения(а)и ВАХ фотодиода (б)

Солнечные фотоэлементы (батареи) на космических кораблях имеют η > 20%. Мощность солнечной батареи 200 вт/кг массы, 1кВт/м2 поверхности.

Чувствительность интегральная SI = Iф/Ф (для германиевых SI < 20 mA/лм).

8. Оптроны содержат в одном корпусе источник излучения (светодиод) и приемник излучения (фоторезистор –рис.12.17, а), фотодиод – (рис.12.18.б).

Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя выводами - student2.ru

а б

. Рис.12.18. Схемы включения оптронов: а - фоторезисторный;

б - фотодиодный

Применение оптронов – быстродействующие реле, элементы связи в электронных цепях. Информация передается оптически.

.

ЛЕКЦИЯ 13 Транзисторы

Наши рекомендации