Справочные данные стабилизаторов напряжения в интегральном исполнении

Обозначение стабилизатора наносят на корпус МС типа 402.16-7 (4116.4-3; 4116.8-2; 201.14-1; 2102.14-1) полным наименованием. Однако, в последнее время заводы-изготовители ставят сокращенное обозначение (номер серии МС опускают). На металлокерамические (пластмассовые) корпуса наносят кодовую маркировку, состоящую из буквы К и двух цифр для серии К142 или двух цифр для серии 142. Все последующие знаки несут служебную информацию. Коды маркировки представлены в таблице.

ПРИМЕЧАНИЕ: знаком ( * ) обозначены двухполярные интегральные стабилизаторы.

Приложение 3

Справочные данные транзисторов:

МП25, МП25А, МП25Б, МП26, МП26А, МП26Б

Общие сведения. Германиевые сплавные высоковольтные транзисторы предназначены для работы в усилителях, генераторах и переключающих схемах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.1, а). Масса транзистора не более 2 г.

Условия эксплуатации в соответствии с табл. П2.2.

Электрические параметры. Классификационные параметры: , .

наименование	обозначение	значения	режимы измерений
номинальное	максимальное	В	В	мА	мА	мА	кГц
Обратный ток коллектора, мкА: МП25, МП25А, МП25Б МП26, МП26А, МП26Б
Обратный ток эмиттера, мкА: МП25, МП25А, МП25Б МП26, МП26А, МП26Б
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:			0,25
Напряжение насыщения база – эмиттер, В: МП25, МП26 МП25А, МП25Б МП26А МП26Б			1,2   1,0
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом:								2,5
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом: МП25, МП25А, МП26 МП25Б, МП26Б МП26А								2,5 2,5 2,5
Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала		0,8× ×10-3	4× ×10-3					2,5
Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала		1,5× ×10-3	10× ×10-3					2,5
Коэффициент передачи токав режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: МП25 МП25А МП25Б МП26 МП26А МП26Б								2,5 2,5 2,5 1,5 1,5 1,5
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., мкСм: МП25, МП25А, МП25Б МП26, МП26А, МП26Б		0,7	1,5					2,5 1,5
Предельная частота коэффициента передачи тока, кГц: МП25, МП25А М25Б МП26, МП26А МП26Б								2,5 2,5 1,5 1,5
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц: МП25, МП25А, МП26 МП26А МП25Б, МП26Б		0,166 0,42	0,5 0,84					2,5 2,5
Время переключения, мкс			1,5					2,5
Емкость коллекторного перехода пФ: МП25, МП25А, МП25Б МП26, МП26А, МП26Б
Сопротивление базы, Ом: МП25, МП25А, МП25Б МП26, МП26А, МП26Б								2,5 1,5

Максимально допустимые параметры.Гарантируются при температуре окружающей среды .

постоянный ток коллектора в режиме насыщения, мА:

МП25, МП26................................................................................................................300

МП25А, МП25Б, МП26А, МП26Б.............................................................................400

постоянный ток эмиттера в режиме насыщения, мА:

МП25, МП26................................................................................................................300

МП25А, МП25Б, МП26А, МП26Б.............................................................................400

постоянное напряжение эмиттер – база, В:

МП25, МП25А, МП25Б……………………………………………………………..40

МП26, МП26А, МП26Б……………………………………………………………..70

постоянное напряжение коллектор – база, В:

МП25, МП25А, МП25Б………………………………………………............……..40

пpи и мВт..................………………………………………......60

МП26, МП26А, МП26Б…………………………………………………………......70

пpи и мВт...................................................................................100

постоянное напряжение коллектор – эмиттер ( ), В:

МП25, МП25А, МП25Б……………………………………………………………..40

пpи и мВт.....................................................................................60

МП26, МП26А, МП26Б………………………………………………………….….70

пpи и мВт...................................................................................100

постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт...............................200

температура перехода, ..............................................................................75

тепловое сопротивление переход – среда …………………...…0,2

Допустимая температура окружающей среды,

При .

МП35, МП36А, МП37, МП37А,

МП37Б, МП38, МП38А

Общие сведения. Германиевые сплавные транзисторы предназначены для усиления и генерирования низкочастотных колебаний, а также для работы в других схемах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.1,а). Масса транзистора не более 2 г.

Условия эксплуатации – в соответствии с табл. П2.2.

Электрические параметры. Классификационные параметры: , .

наименование	обозначение	значения	режимы измерений
номинальное	максимальное	В	В	мА	кГц
Обратный ток коллектора, мкА: При
Обратный ток эмиттера, мкА:
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: МП35 МП36А МП37, МП37А МП37Б МП38 МП38А при Тс = + 70оС: МП35 МП36А МП37, МП37А МП37Б МП38. МП38А при Тс = + 70оС: МП35 МП36А МП37, МП37А МП37Б МП38 МП38А
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц: МП35 МП36А, МП37, МП37А, МП37Б МП38, МП38А		0,5 1,0 2,0
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х, мкСм			2,5
Коэффициент шума, дБ МП36А				1,5		0,5
Емкость коллекторного перехода, пФ
Сопротивление базы. Ом

Максимально допустимые параметры.Гарантируются при температуре окружающей среды .

постоянный ток коллектора, мА:……………......………………………...20

, постоянный ток коллектора (эмиттера) в режиме насыщения, мА:…………………………………...…………………….………………………….150

МП37А, МП37Б.............................................................................................................30

при МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А...........................................15

МП37А, МП37Б…………………………………..…..............................................….30

постоянное напряжение коллектор – эмиттер ( ), В:

пpи :МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А...………….…….…15

при МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А...…………...………….…10

постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт

при …………………......................................................................150

Допустимая температура окружающей среды,

Среднее значение тока эмиттера за 1 с не должно превышать 30 мА. Значение не нормируется.

При , где , . При давлении окружающей среды 50 мм рт. ст. (6650 Па) .

ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г

Общие сведения.Германиевые сплавные транзисторы предназначены для работы всхемах усиления и генерирования.

Корпус металлический, герметичный (рис. П1.2,а и П1.3).Масса транзистора не более 0,5 г.

Условия эксплуатации – в соответствии с табл. П2.1.

Электрические параметры. Классификационные параметры: .

наименование	обозначение	значения	режимы измерений
номинальное	максимальное	В	В	мА	кГц
Обратный ток коллектора, мкА:
Обратный ток эмиттера, мкА:
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала: ГТ108А ГТ108Б ГТ108В ГТ108Г
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц: ГТ108А ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г		0,5 1,0
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х, мкСм			3,3
Емкость коллекторного перехода, пФ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс

Максимально допустимые параметры.

постоянный ток коллектора, мА при …………….............…50

постоянное напряжение база – коллектор, В:….………………...…....10

импульсное напряжение база – коллектор, В:….……………..……..18

постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВтпри …75

температура перехода, .......................................................................

тепловое сопротивление переход – среда ………………….…0,8

Допустимая температура окружающей среды, ….............................

При . При давлении окружающей среды менее 50 мм рт. ст. значение рассчитываются по той же формуле при . Для выходного каскада приемника временно допускаются мВт при .

ГT122A, ГТ122Б, ГТ122В, IT122Г

Общие сведения. Германиевые сплавные низкочастотные транзисторы предназначены для усиления и генерирования низкочастотных колебаний.

Корпус металлический, герметичный (рис П1.1,а). Масса транзистора неболее 2 г.

Условия эксплуатации – в соответствии с табл. П2.3.

Электрические параметры. Классификационные параметры: , ,

наименование	обозначение	значения	режимы измерений
номинальное	максимальное	В	мА	кГц
Обратный ток коллектора, мкА:
Обратный ток эмиттера, мкА:
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: ГТ122А, ГТ122Б ГТ122В ГТ122Г
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц: ГТ122А, ГТ122Б ГТ122В, ГТ122Г		1,0 2,0
Сопротивление базы. Ом

Максимально допустимые параметры.

постоянное напряжение коллектор – эмиттер ( и ), В:

ГТ122А...………………………….……………………………………………….….35

ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г………............................................................................…20

при ………………….................................................................................10

постоянное напряжение база – коллектор, В:

ГТ122А...……………………………………………………..……………………..…35

ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г…………………………………….....……………………20

при …………………………………………..……………………............10

постоянный ток коллектора, мА при ………………...20

импульсный ток коллектора в режиме переключения, мА

при ……………………………………………………………...150

постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт

при …………………....................................................................150

температура перехода, ..........................................................................

тепловое сопротивление переход – среда …………………..…..0,2

Допустимая температура окружающей среды,

При .

КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г,

КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И,

КТ208К, КТ208Л, KT208M

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы предназначены для использования в импульсных, усилительных и других схемах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рис. П1.15). Масса транзистора не более 0,7 г.

Условия эксплуатации – в соответствии с табл. П2.2.

Электрические параметры. Классификационные параметры: , :

наименование	обозначение	значения	режимы измерений
номинальное	типовое	максимальное	UК, В	IК, мА	IБ, мА	f, кГц
Обратный ток коллектора, мкА:					UБК max
Обратный ток эмиттера, мкА: (при )
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В				0,4
Напряжение насыщения база – эмиттер, В				1,5
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ208А, КТ208Г, КТ208Ж, КТ208Л КТ208Б, КТ208Д, КТ208И, КТ208М КТ208В, КТ208Е, КТ208К При Тс = +125оС: КТ208А, КТ208Г, КТ208Ж, КТ208Л КТ208Б, КТ208Д, КТ208И, КТ208М КТ208В, КТ208Е, КТ208К При Тс = -60оС: КТ208А, КТ208Г, КТ208Ж, КТ208Л КТ208Б, КТ208Д, КТ208И, КТ208М КТ208В, КТ208Е, КТ208К								0,27 0,27 0,27   0,27 0,27 0,27   0,27 0,27 0,27
Отношение статического коэффициента передачи тока в прямом и инверсном включении		2,0	4,5	12,0				0,27
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ, Ом (при мА)								0,27
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., 10-4 См (при мА)		0,15	0,3	0,55				0,27
Коэффициент шума ( кОм), дБ: КТ208В, КТ208Е, КТ208К						0,2
Емкость коллекторного перехода, пФ
Емкость эмиттерного перехода, пФ (при В)
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц						0,2

Максимально допустимые параметры.Гарантируются при температуре окружающей среды .

постоянный ток коллектора, мА:……………....................................…0,3

импульсный ток коллектора, мА:……..…………………………....0,5

постоянный ток базы, мА:………………..…………………………....0,1

постоянное напряжение коллектор – база, В:

КТ208А – КТ208В………………………….....……………………………….….15

КТ208Г – КТ208Е………………………….....………………..………………….30

КТ208Ж – КТ208К………………………….....………………..…………………45

КТ208Л – КТ208М………………………….....………………………………..…60

постоянное напряжение коллектор – эмиттер (при кОм), В:

КТ208А – КТ208В………………………….....……………………………………15

КТ208Г – КТ208Е………………………….....………………..…………………...30

КТ208Ж – КТ208К………………………….....………………………………....…45

КТ208Л – КТ208М………………………….....………………………………....…60

постоянное напряжение эмиттер – база, В:

КТ208А – КТ208Е………………………….....………………………………….….10

КТ208Ж – КТ208М………………………….....………………………………….…20

постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт………………….200

температура перехода, ...........................................................................150

Допустимая температура окружающей среды,

гарантируется , А.

При понижении значения , уменьшаются по линейному закону до 10 В для групп А – В; до 25 В для групп Г – Е; до 40 В для групп Ж – К; до 55 В для групп Л, М. уменьшается линейно до 15 В для групп Ж – М.

В диапазоне – 60…+ 60^оС. При мощность линейно уменьшается до 50 мВт.

KT312A, KТ312Б, КТ312В

Общие сведения. Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты, для работы в быстродействующих импульсных схемах.

Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. П1.21,а). Масса транзистора не более 1 г.

Условия эксплуатации — в соответствии с табл. П2.3.

Электрические параметры.Классификационные параметры:

, , , │ │.

наименование	обозначение	значения	режимы измерений
номиналь-ное	типовое	максималь-ное	UК, В	UЭ, В	IК, мА	IБ, мА	IЭ, мА	f, МГц
Обратный ток коллектора, мкА КТ312А, КТ312В КТ312Б При Тс = +85оС: КТ312А, КТ312В КТ312Б При Тс = – 40оС: КТ312А, КТ312В КТ312Б			0,2 0,2     0,01 0,01
Обратный ток эмиттера, мкА:			0,1
Граничное напряжение транзистора, В: КТ312А, КТ312В КТ312Б									7,5 7,5
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В			0,18	0,8
Напряжение насыщения база – эмиттер, В			0,83	1,12
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТ312А КТ312В, КТ312Б	│ │
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ312А КТ312В КТ312Б При Тс = + 85оС: КТ312А КТ312В КТ312Б При Тс = – 40оС: КТ312А КТ312В КТ312Б
Емкость эмиттерного перехода, пФ
Емкость коллекторного перехода, пФ (при В)			3,5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс

Максимально допустимые параметры.Гарантируются при температуре окружающей среды .

постоянный ток коллектора, мА:……………......……………………….30

импульсный ток коллектора, мА:……..……………………………......60

постоянное напряжение коллектор – база, В:

КТ312А, КТ312В………………………….....…………………………………..….20

КТ312Б…………………………………….....………………………………………35

постоянное напряжение коллектор – эмиттер (при Ом), В:

КТ312А, КТ312В………………………….....……………………………………...20

КТ312Б…………………………………….....………………………………..…..…35

постоянное напряжение эмиттер – база, В:…………………………..…4