Тема 6. Траектории электронного пучка в электровакуумных приборах с электростатическим отклонением

Практическим занятиям по курсам “Электроника” и

“Электротехника и Электроника”

Тема 1. Вольт-амперные характеристики

полупроводникового диода

1. Объяснить механизмы формирования тока через p-n – переход.

2. При каких допущениях получено соотношение, описывающее вольтамперную характеристику полупроводникового диода.

3. Какими факторами ограничивается ток прямо смещенного перехода.

4. К чему приводит увеличение мощности, выделяемой в полупроводниковой структуре в высоковольтной области вольт-амперной характеристики.

5. Указать основные отличия реального полупроводникового диода от идеального.

Тема 2. Барьерная емкость полупроводникового диода и

Электронная перестройка частоты колебательного контура

1. Пояснить, при каких допущениях относительно структуры p-n – перехода выведены расчетные соотношения, описывающие барьерную емкость полупроводникового диода.

2. От какого параметра диодной структуры в наибольшей степени зависит величина барьерной емкости перехода.

3. В какой области изменения обратного напряжения возможно линейное представление экспериментально полученной зависимости .

4. Привести примеры использования варикапов в резонансных колебательных системах.

Тема 3. Вольт-амперные и световые характеристики

фотодиода

1. Объяснить механизм формирования тока через освещенный p-n – переход и дать определение эффекта генерации фото-ЭДС.

2. При каких допущениях получено соотношение, описывающее вольт-амперную характеристику фотодиода.

3. От каких параметров полупроводников и светового потока зависит чувствительность фотоприемника на основе p-n – перехода.

4. В какой части вольт-амперной характеристики реализуется режим преобразования энергии оптического излучения в электрическую энергию.

5. Пояснить, при каких условиях фотоэлемент выдает максимальную выходную мощность.

Тема 4. Параметры и статические характеристики

МДП транзистора

1. Объяснить механизм формирования проводящего канала в МДП-транзисторе.

2. Дать определение порогового потенциала на поверхности полупроводника и порогового напряжения в идеализированной МДП-структуре.

3. Описать основные методы улучшения параметров МДП-транзисторов.

4. Представить критерии длинного и короткого каналов в МДП-транзисторах.

5. Обосновать выбор материала и толщины слоя диэлектрика для обеспечения необходимых значений напряжения пробоя на затворе и крутизны стоко-затворной характеристики.

6. Пояснить эффект модуляции длины канала при изменении напряжения между стоком и истоком.

Тема 5. Термоэмиссионные характеристики

Вакуумного диода

1. Указать преимущества и недостатки различных типов материалов, используемых в качестве катодов промышленных электровакуумных приборов.

2. Пояснить физический смысл работы выхода при эмиссии электронов из катода.

3. Объяснить различия в режимах работы вакуумного диода при ограничении тока пространственным зарядом электронов и насыщении тока при заданной температуре катода.

4. Пояснить физические принципы и граничные условия, которые используются при выводе зависимости тока от напряжения в планарном диоде.

5. Представить зависимость тока от напряжения вакуумного диода при цилиндрической конструкции анода и катода.

Тема 6. Траектории электронного пучка в электровакуумных приборах с электростатическим отклонением

1. От каких параметров зависит траектория электрона в электрическом поле плоского конденсатора.

2. Какие противоречивые требования накладываются на конструкцию электронно-лучевой трубки и скорость электронного пучка.

3. Какими параметрами электронного осциллографа определяется предельная частота отклоняющего напряжения.

4. Пояснить осциллографические методы измерения фазового сдвига и сравнения частот переменных напряжений.

5. Перспективы использования электронных осциллографов при проведении радиоизмерений.