Схема транзисторного усилителя низкой частоты

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ – УЧЕБНО-НАУЧНО- ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ КОМПЛЕКС

УНИИИТ

Кафедра «ПТЭиВС»

Пояснительная записка

к расчётно-графической работе

по разделу «Основы электроники»

дисциплины «Общая электротехника и электроника»

Тема РГР: «Расчет параметров и режимов работы транзисторных каскадов усилителя низкой частоты»

Работу выполнил Поляничев Е.С.
шифр 210202 группа 31В

специальность проектирование и технология электронных и вычислительных систем

Руководитель Рабочий А.А.

Орёл, 2012г

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ – УЧЕБНО-НАУЧНО- ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ КОМПЛЕКС

Кафедра «ПТЭиВС»

Задание на РГР

Студент Поляничев Е.С. шифр 210202 группа 31 В

1. Тема: «Расчёт параметров и режимов работы транзисторных каскадов усилителя низкой частоты»

2. Срок сдачи РГР

3. Исходные данные для расчёта:

В задаче № 1:

- тип структуры транзистора p-n-p;

- напряжение источника питания Е_п = 12 В;

- амплитуда тока нагрузки I_нм = 8.4 мА;

- сопротивление нагрузки R_н = 590 Ом;

- максимальное напряжение нагрузки U_н.м. = 5 В;

- нижняя частота входного сигнала f_н = 1 кГц;

- коэффициент частоты искажений М_н = 1.2;

- диапазон рабочих температур + (25¸27)°С;

В задаче № 2:

параметры элементов схемы и транзистора

R₁ = 470 кОм

R₂ = 33 кОм

R_с = 3.9 кОм

R_и = 1.7 кОм

R_н = 10 кОм

R_г = 8.2 кОм

g₁₁ = 0.15∙10^-6 (1/Ом)

g₁₂ = 0.15∙10^-6 (1/Ом)

g₂₁ = 4,0∙10^-3 (1/Ом)

g₂₂ = 40∙10^-6 (1/Ом)

4. Содержание пояснительной записки - в соответствии с методическими указаниями к РГР.

Руководитель РГР Рабочий А.А.

Задание принял к исполнению <> 2012г.

подпись студента _____________

СОДЕРЖАНИЕ

РАСЧЕТНО-ГРАФИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ……………………………………......4

1. РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ……………………….……………………….4

1.1 Схема транзисторного усилителя низкой частоты….……............................4

1.2 Выбор биполярного транзистора………………………………………...…..5

1.3 Выбор положения рабочей точки…………………………………...……….7

1.4 Расчет параметров элементов схемы…………...………………………........9

1.5 Расчет параметров усилительного каскада на биполярном транзисторе…….………………………………………………….……………10

2. АНАЛИТИЧЕСКИЙ РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ…………………….……………11

Список литературы…………………………………..……………………………13

РАСЧЕТНО-ГРАФИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

1. РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ УСИЛИТЕЛЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Схема транзисторного усилителя низкой частоты

Упрощенная схема каскада, выполненного на биполярном транзисторе типа n-р-n, включенного по схеме ОЭ, приведена на рисунке 1. На схеме обозначены: R₁, R₂ - резисторы входного делителя, обеспечивающего нужное смещение на базе транзистора, R_к, R_э - соответственно коллекторный и эмиттерный ограничивающие резисторы, R_н - сопротивление нагрузки. В простей­шем случае резисторы R₂ и R_э могут отсутствовать (R₂^{= ∞}, R_э=0), R_г - внутрен­нее сопротивление источника сигнала (генератора). С_вх, С_р - разделительные конденсаторы. Резистор R_э и конденсатор С_э образуют цепь отрицательной об­ратной связи по току эмиттера. Полагаем, что на вход (на базу транзистора) относительно общей точки подаётся синусоидальный входной сигнал с такой амплитудой, чтобы каскад работал в квазилинейном режиме и на нагрузке вы­делялся усиленный синусоидальный сигнал. Это обеспечивается соответст­вующим выбором положения рабочей точки на характеристиках транзистора.

Рисунок 1 - Схема каскада усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе