П.3. Некоторые единицы системы СИ
Основные единицы
| Величина | Символ | Наименование | Обозначение | Размерность |
| Длина | L | метр | м | L |
| Масса | m | килограмм | кг | M |
| Время | t | секунда | с | T |
| Электрический ток | I | Ампер | А | I |
| Температура | T | Кельвин | К | Θ |
| Сила света | Iv | кандела | кд | J |
Некоторые производные механические единицы
| Величина | Символ | Наименование | Обозначение | Размерность |
| Плоский угол | α, β, φ | радиан | рад | – |
| Телесный угол | ω | стерадиан | ср | – |
| Площадь | S | квадратный метр | м2 | L2 |
| Объем | V | кубический метр | м3 | L3 |
| Частота | f | Герц | Гц | Т -1 |
| Угловая частота | ω | радиан в секунду | рад/с | Т -1 |
| Скорость | υ | метр в секунду | м/с | LТ -1 |
| Ускорение | а | метр на секунду в квадрате | м/с2 | LТ -2 |
| Угловая скорость | ω | радиан в секунду | рад/с | Т-1 |
| Длина волны | λ | метр | м | L |
| Плотность | ρ | килограмм на кубический метр | кг/м3 | ML-3 |
| Работа | W | Джоуль | Дж | ML2T-2 |
| Мощность | Р | Ватт | Вт | ML2T-3 |
| Энергия | Е | Джоуль | Дж | ML2T-2 |
Некоторые производные единицы электрических величин
| Величина | Символ | Наименование единиц | Обозначение единиц | Размерность |
| Количество электричества | Q | Кулон | Кл | TI |
| Напряженность эл. поля | E | Вольт на метр | В/м | LMT -3I -1 |
| Электрический потенциал | V | Вольт | В | L2MT -3I -1 |
| Емкость | C | Фарада | Ф | L-2M-1T4I2 |
| Сопротивление | R | Ом | Ом | L2MT -3I -2 |
| Удельное сопротивление | ρ | Ом∙метр | Ом·м | L3MT -3I -2 |
| Проводимость | G | Сименс | См | L-2M-1T3I2 |
| Удельная проводимость | γ | Сименс на метр | См/м | L-3M-1T3I2 |
| Плотность тока | j | Ампер на квадратный метр | А/м2 | L -2I |
| Электрическая мощность | P | Ватт | Вт | L2MT -3 |
| Электрическая энергия | W | Джоуль | Дж | L2MT -2 |
| Диэлектрическая проницаемость, относительная | ε | – | – | – |
Некоторые производные единицы магнитных величин
| Величина | Символ | Наименование единиц | Обозначение единиц | Размерность | ||||||
| Напряженность магнитного поля | H | Ампер на метр | А/м | L -1I | ||||||
| Магнитный поток | Ф | Вебер | Вб | L2MT -2I -1 | ||||||
| Магнитная индукция | В | Тесла | Тл | MT -2I -1 | ||||||
| Магнитная проницаемость, относительная | μ | – | – | – | ||||||
| Индуктивность | L | Генри | Гн | L2MT -2I -2 | ||||||
| Взаимная индуктивность | M | Генри | Гн | L2MT -2I -2 | ||||||
| Магнитное сопротивление | R | Ампер на вебер | А/Вб | L2M -1T 2I 2 | ||||||
| Намагниченность | J | Ампер на метр | А/м | L -1I | ||||||
П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
| Величина | Символ | Наименование единиц | обозначение единиц | Размерность |
| Объем | V | литр | л | L3 |
| Плоский угол | α, β | градус минуты секунда | º ‘ “ | - - - |
| Время | t | минута час | мин ч | Т Т |
| Температура | t | градус Цельсия | ºС | Θ |
| Энергия | E | электрон-вольт | эВ | L 2MT -2 |
П.5. Плотность некоторых твердых тел
| Твердое тело | Плотность, 103/м3 |
| Алюминий Висмут Вольфрам Железо (чугун, сталь) Золото Каменная соль Латунь Марганец Медь Никель Платина Свинец Серебро Уран | 2,70 9,80 19,3 7,87 19,3 2,20 8,55 7,40 8,93 8,80 21,4 11,3 10,5 18,7 |
Библиографический список
1. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники / И. П. Степаненко. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2000. – 488 с.
2. Россадо, Л. Физическая электроника и микроэлектроника / Л. Россадо. – М.: Высшая школа, 1991. – 351 с.
3. Новиков, В. В. Теоретические основы микроэлектроники / В. В. Новиков. – М.: Высшая школа, 1972. – 352 с.
4. Павлов, П. В. Физика твердого тела / П. В. Павлов, А. Ф. Хохлов. – М.: Высшая школа, 2000. – 494 с.
5. Пихтин, А. Н. Оптическая и квантовая электроника / А. Н. Пихтин. – М.: Высшая школа, 2001. – 573 с.
6. Блохинцев, Д. И. Основы квантовой механики / Д. И. Блохинцев. – М.: Высшая школа, 1961. – 512 с.
7. Бондарев, Б. В. Курс общей физики. В 3 кн. Кн. 2. Электромагнетизм. Волновая оптика. Квантовая физика / Б. В. Бондарев, Н. Л. Калашников, Г. Г. Спиркин. – М.: Высшая школа, 2003. – 438 с.
8. Бондарев, Б. В. Курс общей физики. В 3 кн. Кн. 3. Термодинамика. Статическая физика. Строение вещества / Б. В. Бондарев, Н. Л. Калашников, Г. Г. Спиркин. – М.: Высшая школа, 2003. – 366 с.
9. Епифанов, Г.И. Физические основы микроэлектроники / Г. И. Епифанов. – М.: Современное радио, 1971. – 376 с.
10. Интегральные схемы и микроэлектронные устройства на сверхпроводниках / В. Н. Алфеев, А. А. Васенков, П. В. Бахтин и др. – М.: Радио и связь, 1985. – 232 с.
11. Игумнов, В. Н. Физические основы микроэлектроники: практикум / В. Н. Игумнов. – Йошкар-Ола: МарГТУ, 2008. – 188 с.
12. Игумнов, В. Н. Основы высокотемпературной криоэлектроники / В. Н. Игумнов. – Йошкар-Ола: МарГТУ, 2006. – 188 с.
13. Фистуль, В. И. Введение в физику полупроводников / В. И. Фистуль. – М.: Высшая школа, 1975. – 296 с.
14. Киреев, П. С. Физика полупроводников / П. С. Киреев. – М.: Высшая школа, 1975. – 584 с.
15. Епифанов, Г. И. Физика твердого тела / Г. И. Епифанов. – М.: Высшая школа, 1975. – 288 с.
16. Щука, А. А. Функциональная электроника / А. А. Щука. – М.: МИРЕЭ, 1998. – 260 с.
17. Гуртов, В. А. Твердотельная электроника / В. А. Гуртов. – М.: Техносфера, 2005. – 408 с.
18. Пека, Г. П. Физика поверхности полупроводников / Г. П. Пека. – Киев: Изд-во Киевского университета, 1967. – 320 с.
19. Технология тонких пленок. Т.1 / под ред. Л Майссела, Р. Гленга. – М.: Современное радио, 1977. – 664 с.
20. Технология тонких пленок. Т.2 / под ред. Л Майссела, Р. Гленга. – М.: Современное радио, 1977. – 768 с.
21. Технология толстых и тонких пленок / под ред. А. Ресмана, К. Роуза. – М.: Мир, 1972. – 174 с.
22. Драгунов, В. П. Основы наноэлектроники / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. – Новосибирск: Изд-во НГУ, 2000. – 332 с.
23. Кравченко, А. Ф. Физические основы функциональной электроники / А. Ф. Кравченко. – Новосибирск: Изд-во НГУ, 2000. – 444 с.
24. Нано- и микросистемная техника. От исследований к разработкам: сб. статей. – М.: Техносфера, 2005. – 592 с.
25. Миронов, В. Л. Основы сканирующей электронной микроскопии / В. Л. Миронов. – М.: Техносфера, 2004. –144 с.